3 Разработка подсистемы памяти

3.1 Модуль озу кр565ру6

В микросхемах памяти динамического типа функции ЭП выполняет электрический конденсатор, образованный внутри МДП-структуры. Информация представляется в виде заряда:наличие заряда на конденсаторе соответствует логическому 0,отсутствие—'логической 1. Поскольку время сохранения конденсатором заряда ограничено, предусматривают периодическое восстановление (регенерацию) записанной информации. В этом состоит одна из отличительных особенностей динамических ОЗУ. Кроме того, для них необходима синхронизация, обеспечивающая требуемую последовательность включений и выключений функциональных узлов. Для изготовления микросхем динамических ОЗУ в основном применяют дг-МДП-технологию, которая позволяет повышать быстродействие и уровень интеграции микросхем, обеспечивать малые токи утечки и за этот счет увеличивать время сохранения заряда на запоминающем конденсаторе.

На рисунке 11 представлена цоколевка БИС ОЗУ КР565РУ6.

Рисунок 11 – Цоколевка БИС ОЗУ КР565РУ6

Таблица 7 — Описание выводов БИС ОЗУ КР565РУ6

Номера выводов	Обозначение		Назначение выводов	Тип сигн.	Сос-тояние
	Англ.	Рус.
1	2	3	4	5	6
14	DO	ДО	Выход данных при чтении	выход	1
2; 5-7; 10-13	А(6-0)	А(6-0)	Входы данных с локальной шины МП	вход	1
2	DI	ДИ	Вход данных при записи	вход	1
3		ЗП/ЧТ	Сигнал записи/чтения	вход	0
4			Сигнал адресный строб строк	вход	0
15			Сигнал адресный строб столбцов	вход	0
8	5V	5B	Напряжение питания (+5 В)	вход	0
16	OV	ОБЩ	Напряжение питания (0 В)	вход	1

Приведенные значения параметров характеризуют микросхему в диапазоне рабочих температур — 10... +70° С.

Элемент памяти построен по однотранзисторной схеме и включает конденсатор и транзистор. Транзистор выполняет функции ключа: при сигнале на адресной шине строки Xj = 1 он открывается и соединяет конденсатор с j-разрядной шиной. Предварительно в паузах между обращениями к накопителю емкости полушин заряжает источник напряжения U_o через открытые ключевые транзисторы. При обращении к накопителю эти транзисторы закрываются и изолируют полушины от источника напряжения U₀.

3.2 Модуль пзу к556рт5

Для расширения памяти программ микроЭВМ в соответствии с заданием используется К556РТ6. Это ППЗУ, изготовленная по ТТЛШ-технологии.

Условное обозначение микросхемы К556РТ5 приведено на рисунке 12. Назначение выводов БИС ПЗУ К556РТ5 представлено в таблице 8.

Матрица до программирования, т. е. в исходном состоянии, содержит однородный массив проводящих перемычек, соеди­няющих строки и столбцы во всех точках их пересечений. Пере­мычки устанавливают из поликристаллического кремния. Перемычка в матрице вы­полняет роль ЭП. Наличие перемычки кодируют логической 1, если усилитель считывания является повторителем, и логическим 0, если усилитель считывания – инвертор. Сле­довательно, микросхема ППЗУ в исходном состоянии перед программированием в зависимости от характеристики выходного усилителя может иметь заполнение матрицы либо логическим 0, либо логической 1.

Рисунок 12 – Микросхема БИС К556РТ5

Операция программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30 ... 50 мА. Технические средства для выпол­нения этой операции достаточно просты и могут быть построены самим пользователем.

Таблица 8 – Описание выводов БИС ПЗУ К556РТ5

Номера выводов	Обозначение		Назначение выводов	Тип сигн.	Сос-тояние
	Англ.	Рус.
1	2	3	4	5	6
0-7	DO(7-0)	ДО(7-0)	Выходы данных	выход	1
1-8; 23	А(8-0)	А(8-0)	Входы данных с локальной шины МП	вход	1
18-21	CS (1-4)	ЦС(1-4)	Выбор микросхем, L-уровень сигнала подключения ПЗУ к системной шине	вход	1
24	UCC	UCC	Напряжение питания (+5 В)	вход	0
12	OV	ОБЩ	Напряжение питания (0 В)	вход	1
22	UPR	Uпр	Напряжение программирования	вход	1

Микросхемы ППЗУ потребляют боль­шую мощность от источника питания. Поэтому представляется целесообразным использовать их свойство работать в режиме импульсного питания, когда питание на микросхему подают только при обращении к ней для считывания информации. При использовании импульсного режима питания среднее значение потребляемого тока и, следовательно, уровень потреб­ляемой мощности существенно уменьшаются.

3.3 Подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине

Подключение БИС ОЗУ КР565РУ6 и БИС ПЗУ К556РТ5 к cистемной шине зависит от их разрядности, а для оперативной памяти - также от ее типа. В микропроцессорной системе построенной на базе МП серии К580, удобнее всего использовать восьмиразрядные запоминающие устройства. Подключение статических ОЗУ осуществляется аналогично ПЗУ. Объем памяти определяется количеством используемых БИС.

Схема подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине показа на рисунке 13.

Рисунок 13 - Подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине