Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Газовый лазер.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
24.11.2018
Размер:
215.55 Кб
Скачать

Контрольные вопросы.

1. Что такое когерентность излучения?

2. Спонтанные и вынужденные переходы в квантовых системах.

3. Что такое инверсная населенность? Способы ее получения.

4. Принцип действия, устройство лазеров и их отличие от обычных источни-

ков излучения.

5. Основные типы лазеров, их характеристики и области применения.

Список рекомендованной литературы

1. Трофимова Т.И. Курс физики: Учеб. пособие для вузов. - 7-е изд., стер. - М.: Высшая школа, 2003.- §§ 232, 233.

2. Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики: Учеб. пособие для втузов.- 2-е изд., испр. и доп. М.: Высшая школа, 1999.- §§ 40.1, 40.2.

3. Савельев И.В. Курс физики: Учеб.: В 3-х т. Т. 3. Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. - М.: Наука., 1987. - §§ 32, 33.

4. Грабовский Р.И. Курс физики (для сельскохозяйственных вузов): Учеб. пособие. 5-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая шк., 1980. – Часть II, § 67.

где I - сила тока через образец, А,

U - напряжение на образце, В,

Ra - внутреннее сопротивление амперметра, Ом,

l - длина образца, м,

S - сечение образца, м2.

Экспериментальные и расчётные данные занести в таблицу 2.

Таблица 2

Опытные данные

Расчётные данные

t, oC

T, K

Нагрев

Охлажение

Uср, В

Iср, А

σ

[Ом∙м]-1

ln σ

1/T

K-1

U, B

I, A

U, B

I, A

1

2

3

4

Задание 4. Построить зависимость ln σ = f (103/T).

 Примечание:  Энергия активации примесных уровней мала, поэтому при комнатной температуре примесные уровни уже истощены, и на построенной зависимости будут наблюдаться только участки II и III (рис.1).

Задание 5. На полученной зависимости ln σ = f (103/T) найти участок собственной проводимости и рассчитать ширину запрещенной зоны ΔЕ. Для определения ширины запрещенной зоны на участке собственной проводимости построенной зависимости взять две крайние точки (см. рис. 1) и по ним рассчитать ΔЕ полупроводника. Расчёты производятся по формуле (7)

 ΔЕ = 2k(ln σ2 - ln σ 1)/(1/Т1 - 1/Т2), (7)

где Т1, Т2, σ1, σ2 - значения температуры и соответствующие им проводимости

для двух точек прямолинейного участка собственной проводимости.

Задание 6. Сравнить найденное значение ΔЕ с табличными (таблица 1) и установить материал исследуемого образца.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]