- •Методические указания по лабораторным работам
- •Лабораторная работа №1 «Состав и структура типовой пэвм».
- •1 Упрощенная структурная схема.
- •2) Характеристики и принцип действия.
- •2.1) Материнская плата.
- •2.2) Центральный процессор.
- •2.3) Основная память.
- •2.4) Накопители на жестких магнитных дисках.
- •2.5) Накопители на сменных магнитных дисках.
- •2.6) Носители на лазерных дисках.
- •2.7) Твердотельные накопители.
- •2.8) Видеокарта.
- •3) Внешние устройства.
- •3.1) Клавиатура.
- •3.2) Монитор.
- •Жидкокристаллические дисплеи (lcd)
- •3.3) Принтер.
- •3.4) Сканер.
- •4) Характеристики внутренних и внешних линий связи.
- •Лабораторная работа №2 «Электротехника цепей постоянного и переменного тока, физические основы полупроводниковых материалов»
- •9.1.1. Точечный диод
- •11.4. Токи биполярного транзистора.
- •11.5. Усилительные свойства биполярного транзистора.
- •1. Электрическое поле.
- •9.1.1. Точечный диод.
- •11. Транзисторы
- •11.1. Биполярные транзисторы
- •11.2. Схемы включения биполярного транзистора и режимы его работы
- •11.3. Работа биполярного транзистора в активном режиме.
- •11.4. Токи биполярного транзистора.
- •11.5. Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Лабораторная работа №3 «Элементы эвм»
- •4. Триггеры.
- •Лабораторная работа №4 «Узлы эвм».
- •Лабораторная работа №5
- •Принципы построения и функционирования центральных устройств эвм.
- •2.3. Состав, устройство и принцип действия основной памяти.
- •1. Кодирование алфавитно-цифровой информации.
- •3. Двоичный код для обработки информации (дкои).
- •6. Внутри процессорное представление целых чисел со знаком (Форматы h и f).
- •7. Внутри машинное представление чисел, представленных в форме с плавающей запятой (Формат е, d).
- •2.2. Понятие адресного пространства.
- •2.3. Состав, устройство и принцип действия основной памяти.
- •2.4. Методы расширения основной памяти.
- •2.5. Запоминающие устройства на жестких магнитных дисках.
- •2.7. Оптические диски.
- •2.8. Флэш-память. Принципы построения и функционирования.
- •1. Состав и структура процессора.
- •2. Форматы машинных команд эвм.
- •3. Арифметико-логическое устройство.
- •4. Блок микропрограммного управления.
- •5. Блок управляющих регистров.
- •6. Состав машинных команд
- •Лабораторная работа №7 «Основные понятия теории вычислительных сетей»
- •1) Базовые топологии
- •2) Локальные сети
- •Построение сети
- •Адресация
- •3) Расширенные локальные сети
- •4) Глобальные сети
- •Структура глобальной сети
- •Транспортные функции глобальной сети
- •5) Передача данных между локальными и глобальными сетями.
- •В протоколе четвертой версии (iPv4)
- •В протоколе 6 версии (iPv6)
- •6) Локальные сети на электропроводах и оптоволоконных кабелях
- •7) Технология Bluetooth
- •Лабораторная работа №8 «Аппаратные средства вычислительных сетей»
- •Кабели их основные характеристики.
- •1.1 Коаксильный кабель
- •1.2 Витая пара
- •Сравнение кабелей
- •2) Сетевые адаптеры
- •2.1 Назначение сетевых адаптеров
- •2.2 К основным сетевым функциям адаптеров относятся:
- •2.3 Преобразование информации в сетевых адаптерах
- •Преимущества Wi-Fi
- •Недостатки Wi-Fi
- •3) Модемы
- •3.2 Устройства и принцип действия модемов
- •Лабораторная работа №8
- •Кабели их основные характеристики.
- •1.1 Коаксильный кабель
- •1.2 Витая пара
- •Сравнение кабелей
- •2) Сетевые адаптеры
- •2.1 Назначение сетевых адаптеров
- •2.2 К основным сетевым функциям адаптеров относятся:
- •2.3 Преобразование информации в сетевых адаптерах
- •Преимущества Wi-Fi
- •Недостатки Wi-Fi
- •3) Модемы
- •3.2 Устройства и принцип действия модемов
- •Лабораторная работа №9. «Сетевое передающее оборудование»
- •Передающее оборудование локальных сетей
- •Сетевые адаптеры
- •Репитеры
- •Модули множественного доступа
- •Сетевой концентратор
- •1.5 Сетевой мост
- •Сетевой коммутатор
- •Режимы коммутации
- •Сетевой шлюз
- •Передающее оборудование глобальных сетей.
- •Дуплексные мультиплексоры
- •Триплексные мультиплексоры
- •Сетевые мультиплексоры
- •Видео рекордеры и сетевые видеорегистраторы - мультиплексоры
- •2.2 Телефонные модемы
- •Классификация модемов
- •2.3 Серверы доступа
- •Серверы доступа к данным
- •Серверы удаленного доступа
- •2.4 Маршрутизаторы Маршрутизаторы. Основные виды и принцип работы
- •Уровень маршрутизации
- •Уровень передачи пакетов
- •Обеспечение передачи информации в локальных и глобальных сетях.
- •Лабораторная работа №10. «Сетевая модель osi»
- •Основные понятия osi
- •Уровни моделей osi
- •Прикладной
- •Представительский
- •Сеансовый
- •Транспортный
- •Сетевой
- •Канальный
- •Физический
- •Взаимодействие уровней модели osi
- •Характеристики управляющей информации уровней osi
11.2. Схемы включения биполярного транзистора и режимы его работы
При включении транзистора в схему один из его выводов делают общим для входной и выходной цепей, поэтому схемы включения бывают: с общей базой (ОБ) (рис. 4.3,а); с общим эмиттером (ОЭ) (рис.4.3,б); с общим коллектором (ОК) (рис. 4.3,в). Относительно общего вывода измеряют напряжения входной и выходной цепей транзистора. Наибольшее применение имеет схема включения с ОЭ. Физические процессы в транзисторе удобнее рассматривать на примере схемы с ОБ.
Рис.
4.3. Схемы включения транзисторов: а
- схема с общей базой, б - схема с общим
эмиттером, в
- схема с общим коллектором
В зависимости от смещения, созданного на эмиттерном и коллекторном
р-n
переходах, транзистор может работать
в трех режимах. Если один переход смещен
в прямом направлении, а другой - в
обратном, режим называют активным . Если
в прямом направлении включен эмиттерный
переход, а коллекторный - в обратном,
такое включение называют нормальным
(рис.4.4,а). Если смещение на р-n
переходах противоположное, включение
называют инверсным В последнем
случае коллектор выполняет роль эмиттера,
а эмиттер -
роль коллектора. Активный режим
используется в усилительных схемах, в
схемах генерирования,
где транзистор выполняет функции
активного элемента схемы. Если оба р-n
перехода смещены в обратном н
Рис. 4.4. Режимы работы транзистора:
а – нормальный,
активный режим, б – режим отсечки,
в
– режим насыщения
транзистор работает в режиме насыщения ( рис. 4.4,в). Режимы отсечки и насыщения используют в ключевых режимах работы транзистора: режим отсечки соответствует состоянию «отключено», режим насыщения - «включено». На рис. 4.4 показаны знаки потенциалов выводов для этих режимов .
11.3. Работа биполярного транзистора в активном режиме.
Рассмотрим работу на постоянном токе биполярного диффузионного сплавного транзистора со структурой p-n-р, включенного по схеме с ОБ в активном режиме .
В активном режиме прямое смещение эмиттерного перехода создается за счет включения постоянного источника питания UЭБ, а обратное смещение коллекторного перехода - за счет включения источника UКБ. Величина UЭБ имеет небольшое значение, близкое к высоте потенциального барьера, и составляет доли вольт. Величина UКБ на порядок больше UЭБ и ограничивается напряжением пробоя коллекторного перехода. При включении источников питания UЭБ и UКБ потенциальный барьер эмиттерного перехода снижается за счет UЭБ, а потенциальный барьер коллекторного перехода повышается за счет UКБ. Дырки эмиттера легко преодолевают понизившийся потенциальный барьер и за счет диффузии инжектируются в базу, а электроны базы - в эмиттер. Дырки эмиттера диффундируют в базе в направлении к коллекторному переходу за счет перепада плотности дырок по длине базы, большинство из них доходит до коллекторного перехода, а незначительная часть рекомбинирует с электронами базы. Для уменьшения потерь дырок на рекомбинацию базу делают тонкой. Поскольку поле коллекторного перехода для дырок является ускоряющим, они втягиваются через коллекторный переход в коллектор, т. е. происходит экстракция дырок в коллектор. Распространяясь вдоль коллектора за счет перепада плотности вдоль коллектора, дырки достигают контакта коллектора и рекомбинируют с электронами, подходящими к выводу от источника.
Наряду с основными носителями заряда через эмиттерный и коллекторный переходы движутся и неосновные для каждой из областей транзистора носители. На работу транзистора существенно влияет движение неосновных носителей через коллекторный переход: дырок базы — в коллектор и электронов коллектора — в базу. Их количество растет с повышением температуры (тепловая генерация). Оно зависит также от материала полупроводника.