- •Введение
- •1. Третье начало термодинамики
- •2. Методы достижения низких температур
- •2.1. Процессы, сопровождающиеся понижением температуры в адиабатных условиях
- •2.2. Изменение основных термодинамических величин при сжатии реального газа
- •2.3. Дросселирование
- •2.5. Равновесное адиабатное расширение газа
- •Выхлоп или свободный выпуск газа из баллона. Процесс впуска
- •2.7. Процессы в адиабатной системе с переменной маcсой
- •2.8. Расширение газа в адиабатной вихревой трубе ранка—хилша
- •2.9. Процессы волнового расширения газа
- •2.10. Откачка паров кипящей жидкости
- •2.11. Процессы охлаждения с использованием рабочей среды в твердом состоянии
- •2.12. Процессы охлаждения, основанные на использовании свойств 4He и 3He
- •2.13. Различные процессы охлаждения
- •3. Циклы криогенных установок
- •3.1. Цикл с однократным дросселированием
- •1. Цикл без регенерации
- •2. Цикл с регенерацией
- •3. Анализ энергетических характеристик цикла линде
- •3.2. Потери холода в циклах криогенных установок
- •3.3. Цикл с однократным дросселированием и промежуточным охлаждением
- •3.4. Детандерные циклы
- •3.5. Детандерный цикл среднего давления
- •3.6. Детандерный цикл высокого давления
- •3.7. Детандерный цикл низкого давления
- •3.8. Газовые криогенные циклы
- •4. Теоретические основы разделения смесей
- •4.1. Термодинамические диаграммы смесей
- •4.2. Теоретические основы процесса ректификации
- •4.3. Методы расчета процесса ректификации
- •Литература
2.11. Процессы охлаждения с использованием рабочей среды в твердом состоянии
Наиболее распространенный тип термодинамической системы, применяемой в криогенной технике, термомеханическая система с рабочей средой в газообразном или
жидком состоянии. Рассмотренные выше классические процессы построены на использовании именно такой термомеханической системы. Однако, в ряде случаев целесообразно применение твердых тел для охлаждения; при этом вместо механической работы проявляются такие типы взаимодействия, как магнитные и электрические.
Существует ряд термодинамических процессов, пригодных для получения низких температур и основанных на использовании рабочей среды в твердом состоянии. Некоторые из них (адиабатное размагничивание и термоэлектрическое охлаждение) нашли широкое применение, другие используют редко, но они перспективны и, возможно, получат распространение в будущем. Рассмотрим ряд процессов получения низких температур с использованием твердых тел в качестве рабочей среды.
Адиабатное размагничивание. Для снижения температуры тела необходимо тем или иным способом предварительно уменьшить энтропию. Наиболее распространенный термомеханический способ уменьшения s изменением давления неэффективен при температурах, близких к 1 К, так как в этой области неупорядоченность (энтропия) слабо зависит от параметров р и v. Для охлаждения вблизи 1 К необходима иная физическая система, энтропия которой могла бы существенно изменяться при изменении параметра состояния X.
В 1926 г. В. Джиок и П. Дебай независимо друг от друга предложили использовать в качестве такой системы парамагнетики. Однако, еще в 1905 г. П. Ланжевен показал, что изменение намагниченности парамагнитного вещества должно сопровождаться обратимыми изменениями температуры. Парамагнитное вещество можно рассматривать как систему, состоящую из элементарных магнитных диполей, обладающих магнитным моментом, но очень слабо взаимодействующих между собой. Вплоть до гелиевых температур диполи расположены хаотически, что обусловлено их тепловым движением и слабым взаимодействием. Однако, их можно ориентировать (перевести в упорядоченное состояние) наложением внешнего магнитного поля. Причем сделать это можно только, если энергия колебаний решетки мала и не влияет на магнитную систему. Появляется возможность уменьшить энтропию системы при помощи внешнего магнитного поля, напряженность которого Н можно рассматривать в качестве параметра состояния X. Таким образом получаем принципиальную возможность использовать эту систему для охлаждения.
Рассмотрим некоторые соотношения термодинамики применительно к термомагнитной системе, для которой энтропия является функцией температуры и напряженности поля s =f (Т, Н). В общем случае выражение для элементарной работы в термодинамике запишем так: dL = Х dY, где Х — обобщенная сила; Y — обобщенная координата. В термомеханической системе работа связана с изменением объема, т. е. Х = р, а Y = v. В магнитной системе работа состоит в поляризации диполей при наложении внешнего магнитного поля напряженностью Н; при этом меняется намагниченность материала H. Очевидно, что Х = Н и Y = М, следовательно, dL= -HdM. Знак минус показывает, что при увеличении намагниченности работа производится над магнетиком. В этом случае первое начало термодинамики можно записать в форме du= dq + HdM (изменение объема магнитного вещества при этом не учитываем). С учетом второго начала запишем
du = Tds + HdM. (2.30)
Очевидно, что таким же образом можно ввести магнитную энтальпию е = u — НМ.
Определим изменение температуры при использовании магнитной системы для охлаждения. Рассмотрим наиболее эффективный обратимый процесс охлаждения — изоэнтропное размагничивание. Используем соотношение s = f (Т, Н) для процесса
s = const:
ds = {s/Т)н dT + (s / Н)т Н = О (2.31)
или
(Т/Н)s = — (s / Н)т / (s / Т)н. (2.32)
Для процесса Н = const из соотношения Tds = cH dT получим
(s / Т)н = cн / Т, (2.33)
где cн - теплоемкость парамагнитного вещества при постоянной напряженности поля Н.
Используя уравнение Максвелла для магнитной системы
(s / Н)т = (М / Т)н , (2.34)
получим формулу для магнитокалорического коэффициента
м = (Т/Н)s = — (Т / сн) (М / Т)н. (2.35)
Это уравнение по структуре сходно с аналогичным уравнением для процесса s = const в термомеханической системе. Оно характеризует дифференциальный эффект процесса охлаждения. В принципе любое магнитное вещество (парамагнетик или ферромагнетик) можно использовать для охлаждения, если эффект достаточно велик.
Принцип магнитного охлаждения удобно проиллюстрировать с помощью диаграммы Т — s для парамагнитного вещества (рис. 2.12. ) (H0, ..., Н4) — линии постоянной напряженности).
Рис. 2.12. Процесс магнитного охлаждения в диаграмме T—s
Магнитное охлаждение состоит из двух этапов: процесса А-В изотермического намагничивания от Н0 = 0 до Н3 при постоянной начальной температуре Tн и процесса В-С изоэнтропного размагничивания, в результате которого напряженность поля уменьшается от Hз до Н0 = 0 при sb = const и температура снижается до Tк. При изотермическом намагничивании парамагнитного вещества (процесс А-В) магнитные диполи ориентируются параллельно полю, энтропия от sa уменьшается до sв, процесс сопровождается отдачей теплоты q= Тн (sА — sв) в окружающую среду. Аналогом этого процесса для термомеханической системы является изотермическое сжатие газа. При адиабатном размагничивании В-С температура падает до Tк при постоянной энтропии. Аналог этого процесса — расширение газа в детандере.
Метод адиабатного размагничивания применяют для получения низких температур, чаще всего в интервале от 1 до 0,001 К. Верхняя граница применимости метода определяется температурой То, выше которой тепловые колебания очень интенсивны, и система не может быть упорядочена воздействием внешнего магнитного поля. Нижняя граница определяется температурой, при которой энергия взаимодействия частиц становится сравнимой с их тепловой энергией. При этом достигается упорядоченное состояние самопроизвольно без наложения внешнего магнитного поля.
На рис. 2.13. показаны этапы процесса адиабатного размагничивания.
.
Рис. 2.13. Схема процесса адиабатного размагничивания:
а — охлаждение; б — намагничивание; в — откачка теплообменного газа; г — размагничивание; 1 — образец; 2 — контейнер; 3 — жидкий гелий; 4 — магнит; 5 — вентиль
Образец 1 парамагнитного вещества помещен в контейнер 2, находящийся в ванне с жидким гелием 3. Вначале происходит охлаждение образца; при этом контейнер заполняется газообразным гелием, способствующим переносу теплоты между жидкостью и парамагнетиком; жидкий гелий в ванне вакуумируется обычно до температуры Тн 1 К. Затем образец намагничивается при Тн =const; теплота намагничивания передается жидкому гелию. Далее откачивается теплообменный газ из контейнера 2 для создания адиабатных условий. После этого магнитное поле снимается (Н = 0), образец размагничивается и температура падает до Тк.
Для определения конечного изменения температуры из формулы (2.35) необходимо использовать уравнение состояния парамагнитного вещества f (Т, Н, М) = 0. Для определения изменения температуры при размагничивании необходимо также знать зависимость магнитной теплоемкости cH от температуры и напряженности поля.
В качестве парамагнитных веществ применяют парамагнитные соли типа железоаммониевых, хромокалиевых, хромометиламмониевых квасцов; сульфаты (медно-калиевый, кобальтоаммониевый, гадолиния) и др. Каждая парамагнитная соль имеет ограниченный интервал температур, в котором ее применение наиболее эффективно. Границы этого интервала зависят от температуры, при которой магнитная теплоемкость максимальна, а также определяются соотношением между энергией взаимодействия магнитных ионов и их тепловой энергией. Наиболее распространенные соли хорошо изучены, для них известны весьма полные данные по энтропии, энтальпии и теплоемкости.
Дальнейшая разработка метода адиабатного размагничивания связана, в частности, с применением двухступенчатого процесса. Идея метода заключается в использовании двух последовательно соединенных образцов различных парамагнитных солей. Низкая температура, достигнутая при размагничивании первого образца, является начальной температурой для второго образца, при размагничивании которого достигается минимальная температура.
Возможность получения еще более низких температур открывается в случае использования явления парамагнетизма, обусловленного ядерными спинами. Магнитные свойства ядер (в отличие от магнетизма, обусловленного электронными спинами) выражены значительно слабее. Магнитный момент у ядер примерно в 1000 раз меньше, чем у электронов. По этой причине подобные материалы можно использовать для охлаждения только при начальных температурах порядка 0,01 К, так как при более высоких Т посторонние воздействия нарушают ориентацию ядерных магнитных моментов.
Процесс реализуют по схеме, аналогичной двухступенчатому размагничиванию. На верхней ступени обычный парамагнитный материал обеспечивает уровень порядка 0,01 К — исходный для ядерного размагничивания. Впервые процесс осуществлен Н. Кюрти в 1956 г.; в качестве рабочей среды была применена медь. Температура, достигнутая при использовании метода ядерного размагничивания, составляет несколько микрокельвин, однако, следует учитывать, что речь идет не о температуре всего образца, а лишь о температуре системы ядерных спинов.
Материал в целом может быть охлажден этим методом до температуры порядка 10-4К.
Магнитные криогенные машины. Дальнейшее развитие метода адиабатного размагничивания привело к созданию магнитных машин непрерывного действия, позволяющих устранить существенный недостаток этих систем — одноразовость процесса. Первая такая машина создана Даунтом (рис. 2.14. ).
В криостате с жидким гелием (Тн 1 К) расположен вакуумный контейнер 6, внутри которого находится парамагнитное вещество 1 (железоаммониевые квасцы) и охлаждаемый объект 2. Два тепловых ключа 3 и 4 обеспечивают тепловой контакт между объектами 1 и 2, а также с гелиевой ванной. Магнитное поле создается магнитом 5; малые магниты 7 управляют тепловыми ключами.
Рис. 2.14. Магнитная криогенная машина:
а — схема; б — цикл в T—s-диаграмме
Последовательность процессов в машине: 1) изотермическое намагничивание (линия АВ); ключ 3 открыт, 4 закрыт; напряженность поля увеличивается от НА до Нв (ТА = const.); выделяется и отводится к гелию теплота QA == Tа (sa —Sc); 2) адиабатное размагничивание (линия ВС); оба ключа закрыты — система адиабатна; напряженность поля уменьшается до Нс', температура снижается до Те; 3) изотермическое размагничивание (линия CD); ключ 3 закрыт, 4 открыт; процесс изотермичен вследствие поглощения теплоты от объекта 2 и передачи ее рабочему веществу 1; напряженность поля падает до Н0 при Tc = const; поглощенная теплота Qc = Те (sa—So); 4) адиабатное намагничивание (линия DA) при закрытых ключах 3 и 4; система возвращается в исходное положение. Из диаграммы Т — s видно, что машина работает по циклу Карно; КПД с = Тс / (Та — Тc).
Важный элемент этой машины — сверхпроводящие тепловые ключи. Как отмечено ранее, теплопроводности в нормальном и сверхпроводящем состояниях резко отличаются . Очевидно, что вводом материала в сверхпроводящее состояние и выводом из него можно делать его то хорошим проводником теплоты, то теплоизолятором. Для управления ключами (перевода из сверхпроводящего состояния в нормальное и наоборот) предназначены магниты 7.
Машина Даунта малоэффективна; в интервале 0,2—1 К ее КПД составляет 20 % при холодопроизводительности 7 мВт. В то же время эта машина явилась прототипом современных магнитных систем непрерывного действия.
Установлено, что ряд материалов на основе редкоземельных металлов имеет высокий магнитокалорический (МК) коэффициент M в довольно широком диапазоне температур — вплоть до нормальной. Экспериментальные данные, полученные в МВТУ им. Н. Э. Баумана и МГУ свидетельствуют о большом магнитокалорическом эффекте при температуре перехода антиферромагнетизм — парамагнетизм для ряда материалов: 232 К для тербия, 178 К для диспрозия, 132 К для гольмия, 85 К для эрбия, 58 К для туллия.
Материалы, применяемые для магнитного охлаждения, помимо высоких значений магнитокалорического эффекта, должны иметь малую фононную (решеточную) теплоемкость, которая поглощает тепловой эффект размагничивания, а также высокую теплопроводность.
В настоящее время наибольшее практическое применение получил гадолиниево-галлиевый гранат Gd2Ga5O12 (GGG). Этот материал наиболее эффективен в области температур 1,5—4,5 К, хотя его можно использовать и до 20 К.
С использованием GGG были созданы образцы эффективно работающих магнитных машин, функционирующих по циклу Карно и позволяющих снижать температуру от 4,2 до 1,8 К. Переход от 4,2 к до 1,8 К имеет важное практическое значение и, в частности, позволяет существенно улучшить характеристики сверхпроводящих магнитов, обеспечить работу высокочувствительных приемников инфракрасного излучения и др. Приближенная расчетная диаграмма Т—s для GGG дана на рис. 2.15, где энтропия отнесена к газовой постоянной R.
На рис. 2.15. представлена конструктивная схема поршневой магнитной машины двойного действия, созданной Лаказом и др. Шток 5 с магнитными элементами 2 из GGG перемещается возвратно-поступательно в изолированном корпусе 3; опоры 4—из алюминиевого порошкового сплава. По обе стороны от штока находятся сверхпроводящие магниты 1. Наружная полость омывается жидким гелием Не I при Т = 4,2 К; охлаждаемый объем 6 заполнен He II при температуре 1,8—2,1 К. В этой машине теоретически осуществляется цикл Карно ABCD для магнитной системы. Процесс АВ намагничивания при постоянной температуре TA = 4,2 К происходит при введении штока с GGG в поле верхнего магнита 1. При этом теплота намагничивания QA отводится к жидкому Не, который кипит при 4,2 К и обеспечивает изотермичность намагничивания. Процесс ВС — размагничивание в адиабатных условиях (Sc = const.) от Tа до Тс — происходит при опускании штока 5 (быстрое перемещение без теплообмена). В конце этого процесса GGG попадает в ванну с Hell при ТА 1,8 К и полностью размагничивается при Тс = const (процесс CD); при этом отводится теплота от Не11 и реализуется полезная холодопроизводительность Qc.
Рис. 2.15. Диаграмма Т—s для гадолиниево-галлиевого граната (GGG)
Рис. 2.16. Конструктивная схема поршневой магнитной криогенной машины
Замыкающий процесс намагничивания DA при Sa = const обеспечивается быстрым возвратом GGG в магнитное поле. Такой же цикл совершает и образец GGG, помещенный в нижней части штока. При осуществлении цикла Карно полезная холодопроизводительность
Qc = Tc (Sa - Sc). (2.36)
Теплота намагничивания, отводимая гелием
QA = TA (SA - Sc) (2.37)
Для реального цикла характерны потери, уменьшающие полезную холодопроизводительность Qc по сравнению с её теоретическим значением. Основной источник потерь связан с температурным градиентом, который возникает из-за наличия термического сопротивления между жидкостью и образцом. Имеются также потери теплоты на трение, в окружающую среду и другие. Идеальный цикл ABCD (см.рис.2.14) практически не реализуется, реальные процессы идут по линиям, близким к АВ' и CD'. Тем не менее, магнитная машина высокоэффективна. Так, при площади поверхности магнитного материала
F = 40 см2, диаметре штока 24 мм, частоте 0,6—1,0 Гц, максимальной индукции поля
4 Тл получены следующие характеристики: Qc = 2,35 Вт при Тc = 2,1 К (l31 Вт/дм3);
Qc = 1,35 Вт при Тс = 1,8 К (75 Вт/дм3). Максимальный термодинамический КПД t65 % при 2,1 К и t 40 % при 1,8 К. Эти данные свидетельствуют о больших возможностях магнитных криогенных машин.
Термоэлектрическое охлаждение. Известен ряд термоэлектрических явлений, связанных с взаимным превращением тепловой и электрической энергии, — это эффекты Зеебека, Пельтье и Томсона. Метод термоэлектрического охлаждения основан на эффекте Пельтье(1834 г.). Этот эффект заключается в выделении (или поглощении) теплоты Q в месте контакта двух различных проводников, включенных в электрическую цепь, при прохождении через нее тока. Рабочий средой в такой электрической цепи из двух разнородных проводников является электронный газ, который переносит энергию от холодного контакта к теплому.
Кинетику термоэлектрических явлений объясняют на основе статистической теории электронного газа. При движении электронов в металлическом проводнике под действием разности потенциалов их средняя кинетическая энергия различна для разных материалов.
При переходе электронов из одного материала в другой этот избыток (или недостаток) энергии выделяется (или поглощается) в виде теплоты Q в зоне контакта. Термическая неравновесность проводника также приводит к диффузии электронов из теплой зоны в холодную, влияя на термоэлектрические явления. Если учесть еще и джоулеву теплоту, то полная картина явлений в проводнике с током оказывается достаточно сложной.
Эффект Пельтье у металлов мал, а у полупроводников он значительно выше, особенно в парах разнородных полупроводников дырочного (p) и электронного (n) типов. Схема термоэлемента, состоящего из двух последовательно соединенных полупроводниковых ветвей А и В, приведена на рис. 2.17. При прохождении тока в зоне с низкой температурой Тх поглощается теплота Qх, необходимая для образования пары электрон — дырка, которая движется в зону с высокой температурой Т0, где эта пара аннигилирует с выделением теплоты Qo. Количество теплоты Qx прямо пропорционально силе тока I и температуре
Тx холодного конца:
Qx = I Tx, (2.38)
где — коэффициент термоЭДС, зависящий от рода материала.
Рис. 2.17. Схема термоэлемента,состоящего из пары полупроводников
Полная термоЭДС пары проводников А и В определяется разностью абсолютных значений для каждого проводника = ( A - B ). Таким образом, теплота, поглощаемая на холодном конце, или холодопроизводительность элемента (при отсутствии потерь)
Qx. о = (A - B) I Tx (2.39)
Увеличение силы тока I приводит к росту Qx.о., но одновременно увеличиваются и потери за счет джоулевой теплоты Qj = 0,5 I2 R, где множитель 0,5 учитывает выделение половины теплоты в холодной зоне; R = l / f — полное электрическое сопротивление, (—удельное электрическое сопротивление).
Другой вид потерь обусловлен теплопроводностью ветвей термоэлемента:
Qт = К (Т0 — Тх), где К = ( / l) f ( — теплопроводность, l и f — длина и площадь поперечного сечения каждой ветви термоэлемента).
Уравнение теплового баланса для контакта, находящегося в холодной зоне, при отсутствии теплопритока из окружающей среды имеет вид
(A - B ) ITx = Qx + 0,5 I2 R + К (То - Tx), (2.40)
где Qx — полезный эффект охлаждения.
Минимально возможная температура Tx может быть достигнута при Qx = 0; тогда
из (2.40) соответствующая разность температур
То - Тx = [ (A - B) I Tx - 0,5 I 2 R ] / K (2.41)
Оптимальную силу тока Iopt, соответствующую наибольшей разности температур
(То- Тх)мах, можно определить из (2.41), используя условие максимума
(То — Тх)/ I = 0. Тогда Iopt = (A - B) Tx / R . Подставив Iopt в (2.41), получим
(То - Тx)мах = (A - B)2 Tx2 / (2 R K) = 0.5 Z Tx2 , (2.42)
где Z = (A - B) 2/ (KR) — комплекс, определяющий физические свойства материалов термоэлементов.
С увеличением Z, отражающего тепловые, электрические и термоэлектрические
свойства, возрастает эффективность охлаждения. Для различных полупроводников
Z = (1,5 ... 4,0) 10-3 K-1 , причем Z зависит от температуры.
Одни из лучших материалов для термоэлементов — полупроводники из сплавов Bi -Te и Bi—Sb. Увеличение T приводит к резкому уменьшению холодильного коэффициента
= Qx / L. Работа L затрачивается на джоулеву теплоту и создание термоЭДС:
L = I2 R + ( A - B ) (T0 - Tx) I (2.43)
Коэффициент резко уменьшается с понижением температуры за счет потерь от
джоулевой теплоты и теплопроводности. При T = То — Тх 50 ... 60 К 0.
Увеличения эффективности и снижения температуры можно достичь применением многокаскадных схем. В каскадной термобатарее несколько элементов последовательно охлаждают один другой; в этом случае сравнительно легко обеспечивается охлаждение до 180—200 К при КПД t = 1 ... 2 %. С помощью восьмикаскадной батареи достигнута температура Тх = 134 К. В такой батарее между ступенями должен быть обеспечен хороший тепловой контакт, но электрически их изолируют одну от другой; питание каждой ступени индивидуальное.
Преимущества термоэлектрического охлаждения — простота, отсутствие движущихся частей, высокая надежность. Однако, низкие термодинамические характеристики не позволяют, пока применять эти устройства для эффективной работы при температуре ниже 170 К. Для систем с малой холодопроизводительность, например, для охлаждения инфракрасных приемников излучения, эти устройства могут оказаться наиболее подходящими.
Десорбционное охлаждение. Процесс физической адсорбции можно использовать для создания систем охлаждения. Метод предложен и впервые осуществлен Ф. Симоном
(1928 г.). Рабочая среда находится в газообразном состоянии, а уменьшение энтропии происходит в результате проявления адсорбционных сил, возникающих между поверхностью твердого тела и адсорбируемым газом. Природа этих сил обусловлена ионным взаимодействием. В качестве адсорбентов обычно используют активированный уголь, цеолиты и другие поверхностно-активные материалы. Процесс адсорбции и обратный ему процесс — десорбция — сопровождаются тепловыми эффектами .
Захват молекул газа поверхностью твердого тела (адсорбция) приводит к выделению теплоты, эквивалентной изменению кинетической энергии молекул газа. Отрыв молекул от поверхности адсорбента (десорбция) требует затрат энергии и сопровождается поглощением теплоты. Десорбция, проведенная в адиабатных условиях, приводит к снижению температуры.
На рис. 2.18. приведена схема аппарата для реализации этого процесса охлаждения.
Рис. 2.18. Схема аппарата для десорбционного охлаждения
Аппарат состоит из сосуда Дьюара 6, в котором расположен вакуумный кожух 4. Внутри кожуха имеется сосуд 3, заполненный адсорбентом 2 (активированным углем). Охлаждаемая камера 1предназначена для экспериментальных целей. Сосуд Дьюара заполнен жидким водородом 5, а вакуумный кожух — теплообменным газом (гелием) для установления теплового контакта между жидкими водородом и адсорбентом. Охлажденный водородом адсорбент интенсивно поглощает газообразный гелий, поступающий по линии 9. Выделяющаяся теплота адсорбции поглощается жидким водородом; процесс изотермичен. Температура водорода является исходным уровнем процесса (То). Откачкой водорода из сосуда 3 вакуумным насосом по линии 7 можно обеспечить То до 10 К. Затем теплообменный газ удаляется вакуумированием по линии 10, адсорбент адиабатически изолируется, начинается десорбция гелия откачкой его вакуумным насосом через линию 8; в результате в изолированном сосуде 2 (с адсорбентом) температура падает до Tx 4,0 К при Т0= 14 ... 10 К.
Если вместо водорода использовать жидкий воздух или кислород (То 90 К), а вместо гелия — неон, то в интервале давлений 0,17—1,6 МПа можно достичь температуры
Тx 68 К (T = 22 К).