Правила поводження з напівпровідниковими приладами і мікросхемами
Якщо при виконанні монтажних робіт з яких – небудь причин відсутні заземлюючі браслети або антиелектростатичні халати з антиелектростатичною подушкою, необхідно виконувати наступні вимоги:
перед початком робіт радіомонтажник повинен наступити на заземлений лист для стікання електростатичного заряду в землю;
перед монтажем НП і ІС повинні бути короткочасно поміщені на заземлений металевий лист;
радіомонтажник, перед тим як взяти НП або ІС, повинен доторкнутися рукою до заземленого металевого листа, встановленого на робочому місці. Контакт руки і заземленого листа повинен тривати до тих пір, поки напівпровідниковий прилад або мікросхема не будуть установлені на плату або підключені в контактне гніздо.
Закорочуючі пристосування, з якими ряд напівпровідникових приладів надходить на підприємство, не повинні зніматися до початку монтажу. Після зняття пристрою який закорочує напівпровідниковий прилад включають в гніздо вимірювального приладу або випробувальної колодки. Забороняється знаходження на робочому столі одночасно декількох приладів зі знятими короткозамикачами. Виводи польових транзисторів з ізольованим затвором (та інших приладів, якщо це зазначено в ТУ) необхідно електрично з'єднати між собою за допомогою короткозамикачів.
Пайку польових транзисторів з ізольованим затвором слід робити при наявності пристосування, яке закорочується на їх виводах. Переносити напівпровідникові прилади та мікросхеми радіомонтажник повинен у спеціально призначеній для цього тарі. При роботі з польовими транзисторами з ізольованим затвором не рекомендується торкатися до незакорочених виводів транзисторів предметами, виготовленими з струмопровідних матеріалів та ізольованими від землі (монтажним інструментом і ізольованими ручками).
Мікросхеми
Інтегральна
мікросхема (ІС) являє собою функціональний
мініатюрний мікроелектронний блок, в
якому містяться транзистори, діоди,
резистори, конденсатори та інші
радіоелементи, які виконані методом
молекулярної електроніки. За конструктивно
– технологічним виконанню мікросхеми
діляться на кілька основних груп:
гібридні, напівпровідникові (монолітні) і плівкові.
Гібридні мікросхеми виконуються на діелектричній підкладці з використанням монтажу дискретних радіокомпонентів пайкою або зварюванням на контактних майданчиках.
У напівпровідникових ІС всі елементи схеми формуються в кристалі напівпровідника.
У плівкових ІС радіоелементи виконані у вигляді плівок, нанесених на поверхню діелектрика.
Всі ці мікросхеми діляться на схеми з малим (до 10 елементів), середнім (10 ... 100 елементів) і великим (понад 100 елементів) ступенем інтеграції.
Промисловість випускає велику кількість найрізноманітніших ІС, які залежно від функціонального призначення ділять на аналогові і цифрові (логічні).
Аналогові мікросхеми застосовують для генерації, посилення і перетворення сигналів.
Цифрові ІС служать для обробки дискретного сигналу, вираженого в двійковому або цифровому коді, тому їх частіше називають логічними мікросхемами. Ці мікросхеми застосовують в обчислювальній техніці, автоматиці і в інших областях промисловості.