35. Статичні оперативні запам’ятовуючі пристрої.

Пристрої пам'яті, в яких як запам'ятовуючих осередків використовуються паралельні регістри, називаються статичними ОЗП, тому що інформація в них зберігається весь час, поки до мікросхеми підключено живлення.

У мікросхемах статичних ОЗУ присутні дві операції: запис і читання.

Запам'ятовуючі пристрої - це блок обчислювальної машини або самостійне пристрій, призначений для запису, зберігання та відтворення інформації. Найбільшого поширення ЗУ отримали в цифрових обчислювальних машинах (ЦВМ), а також в пристроях автоматики, телемеханіки, ядерної фізики і т.д. для зберігання головним чином дискретної інформації, для тимчасового узгодження роботи декількох об'єктів або накопичення даних, які підлягають передачі по каналах телемеханіки. Фіксація інформації в ЗУ заснована на різних фізичних принципах: механічне переміщення або видалення частини матеріалу носія інформації (перфораційні стрічки, перфокарти), зміна магнітного стану матеріалу (магнітні стрічки, диски, барабани, ферритові сердечники), накопичення електростатичного заряду в діелектриках (конденсаторні ЗУ, що запам'ятовують електроннопроменеві трубки), використання звукових і ультразвукових коливань (лінії затримки), застосування явища надпровідності (Кріогенні елементи) і ін

Статичні ЗУ можуть бути стійкими, в яких інформація зберігається необмежено довго (наприклад, ЗУ на тригерах, феритових сердечниках), і нестійкими, що володіють властивістю мимовільного стирання інформації (конденсаторні ЗУ, що запам'ятовують електроннопроменеві трубки).

Статичний ЗУ (Static Random Access Memory - SRAM) в якості елемента пам'яті використовується тригер, що, звичайно, складніше, ніж конденсатор з транзисторним ключем динамічного ЗУ. Тому статичні ЗУ володіють меншою щільністю зберігання інформації: Однак тригер з часів перших комп'ютерів був і залишається самим швидкодіючим елементом пам'яті. Тому статична пам'ять дозволяє досягти найбільшої швидкодії, забезпечуючи час доступу в одиниці і навіть десяті частки наносекунд, що й обумовлює її використання в ЕОМ. Головними недоліками статичної пам'яті є її відносно високі вартість і енергоспоживання.

Основними різновидами статичної пам'яті (SRAM) з точки зору організації її функціонування є асинхронна (Asynchronous), синхронна пакетна (Synchronous Burst) і синхронна конвейєрно-пакетна (Pipeline Burst) пам'ять.

Першою з'явилася асинхронна пам'ять, Інтерфейс цієї пам'яті включає шини даних, адреси і управління.

Дещо пізніше з'явилася синхронна пакетна статична пам'ять (SBSRAM), орієнтована на виконання пакетного обміну інформацією, який характерний для кеш-пам'яті. Ця пам'ять включає в себе внутрішній лічильник адреси, призначений для перебору адрес пакету, і використовує сигнали синхронізації CLK, як і синхронна DRAM пам'ять. Звернення до синхронної пам'яті можуть бути і одиночними.. Статична пам'ять

Наступним кроком у розвитку статичної пам'яті з'явилася конвейєрно-пакетна пам'ять PBSRAM, що забезпечує більш високу швидкодію, ніж SBSRAM.

Статичні ОЗП вимагають для своєї побудови великої площі кристала, тому їх ємність відносно невелика. Статичні ОЗП застосовуються для побудови мікроконтролерних схем через простоту побудови принципової схеми і можливості працювати на як завгодно низьких частотах, аж до постійного струму. Крім того статичні ОЗП застосовуються для побудови КЕШ-пам'яті в універсальних комп'ютерах за високого швидкодії статичного ОЗУ. Тимчасові діаграми читання із статичного ОЗП збігаються з тимчасовими діаграмами читання з ПЗУ.