- •1. Основные понятия и определения в эмо.
- •2. Звенья проблемы эмс и методы решения проблемы эмс(концептуально)
- •3. Цели и основное содержание работ в области эмс.
- •4. Источники электромагнитных помех, классификация, уровни помех.
- •6. Логарифмическое представление помех и свойств систем
- •7. Механизм проникновения помех (паразитные каналы).
- •8. Примеры реализации мер по снижению помех в гальванически связанных сигнальных контурах и цепях питания.
- •9 Емкостное влияние (гальванически разделенные контуры).
- •10. Емкостное влияние (контуры с общим проводом системы опорного потенциала).
- •11.Емкостное влияние молнии.
- •12.Индуктивное влияние (между промышленными токовыми контурами).
- •13.Индуктивное влияние разряда статистического электричества
- •14Индуктивное влияние молнии
- •15Воздействие электромагнитного излучения.
- •16. Актуальность проблемы эмс на современном этапе.
- •17 Гальваническое влияние через цепи питания и сигнальные контуры.
- •18 Дайте определение коэффициенту затухания.
- •19Какие способы повышения эффективности помехоподавления в сетевых Фильтрах вы знаете.
- •20. Объясните принцип Действия тогокомпенсирующего дросселя.
- •21Как можно измерить коэффициент затухания сетевого фильтра.
- •22. Назначение имитатора провалов и перенапряжений.
- •23Опишите порядок производства испытаний на устойчивость к провалам напряжения сети электропитания.
- •24Принцип работы простейшего сетевого фильтра
- •25 Дайте определение коэффициенту затухания.
- •26 Энергетический спектр прямоугольного видеоимпульса.
- •27.Основные параметры стандарта iec61000-4-4 относительно испытаний на помехозащищенность пачками импульсов помех.
- •28. Для каких целей и как применяются х-конденсаторы.
- •29.Для каких целей и как применяются y-конденсаторы.
- •30. Опишите принцип работы имитатора импульсных помех.
- •31. Для чего предназначен имитатор импульсных помех.
- •32Назначение сетевого фильтра в имитаторе.
- •33. Назовите основные требования, предъявляемые к имитаторам помех.
- •34. Дайте определение уровня электромагнитной совместимости.
- •35 .Что представляет собой спектральное разложение для периодического и одиночного сигнала.
- •36 Детерминированный и вероятностный методы определения уровня эмс.
- •46. Чем отличается одиночная помеха от пачки импульсов помех
- •47 Воздействие электромагнитного излучения.
10. Емкостное влияние (контуры с общим проводом системы опорного потенциала).
Причиной емкостного влияния могут быть паразитные, т.е. неустранимые схемным путем, емкости между проводами.
Контуры с общим проводом типичны для аналоговых и цифровых схем, где может произойти непредусмотренное изменение состояния переключающего элемента при изменении сигнала на выходе элемента А из-за наличия паразитной емкости С.
Мероприятия по снижению емкостного влияния контуров с общим проводом системы опорного потенциала следующие:
-обеспечение малой емкости связи С из-за сокращения длины проводов l, уменьшения диаметра провода D, увеличения расстояния d между проводами 1 и 2, исключения параллельной их прокладки, применения изоляции проводов и печатных плат с малой диэлектрической проницаемостью;
увеличение емкости С путем размещения сигнальных проводов между проводниками системы опорного потенциала , скрутки сигнальных проводов и проводов системы опорного потенциала, использования сигнальных жил кабеля в проводами цепей питания (расположение прямого и обратного проводов рядом друг с другом), выполнение системы опорного потенциала в печатных платах, жгутах, разъемах, соединений с корпусом, землей, а при возможности и проводов питания в виде плоских шин. Эффективным является выполнение предметами, принадлежащими разными токовыми контурам.
Упрощенная модель емкостного влияния: длина контура l мала по сравнению с длиной волны качестве проводников системы опорного потенциала, расположения плоских проводов системы, что также сказывается благоприятно и при снижении гальванических влияний;
выполнение предельно низкоомными токовых контуров, подтвержденных влиянию;
ограничение скорости изменения напряжения i/t (в логических схемах скорость переключения должна быть не выше, чем требуемая для функционирования);
Рис.4.12. Емкостное влияние контуров с общим проводом системы опорного потенциала 2,4: а-схема с элементами логики; б-схема замещения; 1,2-влияющий контур; 3,4-контур испытывающий влияние; С13-паразитная емкость связи.
11.Емкостное влияние молнии.
Если молния ударяет непосредственно в землю или находящиеся вблизи проводящие предметы (молниеприемники, осветительные мачты, металлические фасады и т.п.), то канал молнии кратковременно приобретает высокий потенциал (Umax>100 кВ)вследствие падения напряжения на сопротивлении заземления.В результате потенциал сигнальной линии при наличии емкостей Сk и CE повысится до значения Если нет устройств, защищающих от перенапряжений, то входная изоляция приборовG1 и G2 будет повреждена, а в лучшем случае (слабая интенсивность молнии, большое расстояние до соединений шин системы опорного потенциала в виде многих параллельных кабелей, благодаря чему одновременно компенсируются как емкостные, так и индуктивные влияния
.
12.Индуктивное влияние (между промышленными токовыми контурами).
Индуктивное влияние обусловлено паразитным потокосцеплением между контурами. В качестве первого простого примера на рис. 4.20а показаны два индуктивно связанных контура. Если в контуре 1 имеет место быстрое изменение тока ∆i/∆t, например, при коммутациях, то в контуре 2 индуктируется напряжение помехи
где Ф - магнитный поток, пронизывающий контур 2; L12 - взаимная индуктивность контуров 1 и 2.