7. Механизм проникновения помех (паразитные каналы).

Проникновение помех в ЦТС возможно по трем паразитным каналам.

1. Через гальваническую связь по проводам;

2. Через емкостная связь (электрическое поле);

3. Через индуктивную связь (магнитное поле).

Используется также понятие электромагнитной связи. Между напряженностью электрического и магнитного полей существует строгое соотношение. Е/Н = 377 Ом.

8. Примеры реализации мер по снижению помех в гальванически связанных сигнальных контурах и цепях питания.

1. Выполнение соединений между двумя или более контурами с возможно низким полным сопротивлением, особенно низкой индуктивностью. Для этого требуется:

-по возможности меньшая длина общих линий;

-большое сечение проводников (особенно для проводников системы опорного потенциала, общей для многих контуров);

-малые расстояния d между проводами цепей питания;

-выполнение системы опорного потенциала в печатных платах, а при возможности и проводов питания в виде плоских шин .

-эффективным является выполнение соединений шин системы опорного потенциала в виде многих параллельных кабелей

2. Гальваническая развязка, т.е. устранение совместных проводящих соединений между различными контурами, или же гальваническое разделение контуров таким образом, чтобы ток наиболее мощного контура или ток фильтра не протекал по слаботочному контуру.Это достигается следующим образом:

-отказ от общих обратных проводников вцепях передачи сигналов ;

-отказ от испол-ния проводов зазем-ния, корпусов приборов, машин и технологических устройств в качестве проводов сигнальных цепей;

- разделение потенциалов;

9 Емкостное влияние (гальванически разделенные контуры).

На рис. 4.11a показана упрощенная модель емкостного влияния. Предполагается, что длина контура l мала по сравнению с длиной волны самой высокой учитываемой частоты. Система проводников 1, 2 принадлежит к влияющему контуру, а 3, 4 - контуру , испытывающему влияние. Соответствующие элементы R_Q, R_S и C₁₂ образуют полное сопротивление Z_i влияющего контура, а элементы R_Q, R_S и C₃₄ - полное сопротивление Z контура, испытывающего емкостное влияние.        Отсюда нетрудно заметить, что напряжение помехи U_st равно нулю, если соблюдается условие симметрии:

C₁₃/C₂₃=C₁₄/C₂₄. (4.6)

Рис. 4.11. Емкостное влияние между гальванически разделенными контурами: а-модель влияния; б-схема замещения; в-модель влияния на экранирование обоих контуров; г-схема замещения при наличии экранов.

       Это условие можно обеспечить попарным скручиванием проводников (провода 1 с проводом 2, провода 3 с проводом 4), а в некоторых случаях - включением симметрирующих конденсаторов.        Следующей возможностью снижения емкостного влияния в гальванически разделенных контурах является применение экранированных проводов (рис.4.11,в) с экранами S₁ и S₂ из хорошо проводящего материала, которые, как правило, соединяются с одной стороны с проводом системы опорного потенциала какого-либо контура. Благодаря этому увеличивается емкость связи С₁₃. В ненагруженном состоянии для контура, испытывающего влияние (рис.4.11,г) можно записать:

U_st /U₁₂=1/(1+C₃₄ /C₁₃+C₃₄ /C₂₄).

       Из этого уравнения следует, что экранирующее воздействие тем лучше, чем больше емкость С₃₄ проводника относительно экрана по сравнению с емкостями С₁₃ и С₂₄.