Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
питання.docx
Скачиваний:
4
Добавлен:
19.02.2016
Размер:
355.94 Кб
Скачать

Модуль 4

Енергетичні стани електрона в ізольованому атомі від енергетичних станів таких же атомів в кристалі відрізняються:

У ізольованих N атомів є однакові N енергетичних рівнів.

У ізольованих N атомів всі енергетичні рівні різні .

У кристалах замість однакового для всіх N атомів рівня виникають N дуже близьких рівнів, які не співпадають (утворюється енергетична смуга - енергетична зона).

Де згідно рисунку розташовуються дозволені енергетичні зони:

1.

2.

3.

Заборонена енергетична зона в ТТ - це:

Енергетична зона в ТТ повністю заповнена валентними електронами при будь-якій температурі.

Енергетична зона в ТТ, яка повністю вільна від електронів або частково заповнена електронами при температурі Т=0К.

Енергетична зона в ТТ, в якій електрони перебувати не можуть.

Енергетична зона в ТТ, яка при Т=0К максимально заповнена валентними електронами.

Валентна зона - це енергетична зона в ТТ:

Яка повністю вільна від електронів при будь-якій температурі.

Яка повністю заповнена дірками.

В якій електрони перебувати не можуть.

Яка при Т=0К максимально заповнена валентними електронами.

Зона провідності - це енергетична зона в ТТ:

Яка повністю вільна від електронів або частково заповнена електронами при температурі Т=0К.

Яка повністю заповнена дірками.

В якій електрони перебувати не можуть.

Яка при Т=0К повністю заповнена валентними електронами.

Носіями зарядів у власних напівпровідниках є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

Основними носіями зарядів у напівпровідниках р-типу є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

Основними носіями зарядів у напівпровідниках n-типу є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

Неосновними носіями зарядів у напівпровідниках р-типу є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

Неосновними носіями зарядів у напівпровідниках n-типу є:

Електрони.

Дірки.

Електрони і дірки.

Позитивно і негативно заряджені іони.

Який вираз відноситься до концентрації електронів у власному напівпровіднику n-типу:

Який вираз відноситься до концентрації електронів у напівпровіднику р-типу:

Який вираз відноситься до концентрації електронів у власному напівпровіднику ?

Який вираз відноситься до концентрації електронів у металах:

Домішки , які є джерелом електронів, називаються:

Акцепторами.

Донорами.

Домішки , які є джерелом дірок, називаються:

Акцепторами.

Донорами.

Зонна діаграма для напівпровідника n- типу є:

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом дірок, називаються:

Донорними.

Акцепторними.

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом електронів, називаються:

Донорними.

Акцепторними.

Напівпровідники з дірковою провідністю називаються:

Електронними.

Дірковими.

n- типу.

р- типу.

Напівпровідники з електронною провідністю називаються:

Електронними.

Дірковими.

n- типу.

р- типу.

Метал (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

Напівпровідник (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

Діелектрик (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

Що таке зона провідності для металів одновалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Повністю заповнена зона.

Зона заповнена на половину

Гібридна зона.

Що таке зона провідності для металів двовалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Повністю заповнена зона.

Зона заповнена на половину.

Гібридна зона.

Енергетичні стани електрона в ізольованому атомі від енергетичних станів таких же атомів в кристалі відрізняються:

У ізольованих N атомів є однакові N енергетичних рівнів.

У ізольованих N атомів всі енергетичні рівні різні .

У кристалах замість однакового для всіх N атомів рівня виникають N дуже близьких рівнів, які не співпадають (утворюється енергетична смуга - енергетична зона).

Валентна енергетична зона у н/п - це:

Дозволена зона для електронів.

Сама нижня зона пуста зона.

Сама верхня зона, в якій при Т=0 К всі рівні зайняті електронами.

Зона, в якій можуть переміщатися дірки.

Де згідно рисунку розташовуються дозволені енергетичні зони ?

1.

2.

3.

Де згідно рисунку у власному напівпровіднику розташовується рівень Фермі при 0 К?

1.

2.

3.

Яка зонна діаграма відповідає одновалентному металу:

Яка зонна діаграма відповідає напівпровіднику?:

Яка зонна діаграма відповідає діелектрику:

За зонною теорією тверде тіло є провідником струму, коли є:

Вільні носії заряду.

Вільні енергетичні рівні.

Носії заряду та вільні енергетичні рівні.

Де розташований рівень Фермі у власному напівпровіднику при Т=0К?

Поблизу нижнього рівня зони провідності.

Поблизу верхнього рівня валентної зони.

Посередині забороненої зони.

Де згідно рисунку у власному напівпровіднику розташовується валентна енергетична зона ?:

1.

2.

3.

Зонна діаграма для напівпровідника p – типу :

Напівпровідники n- типу – це напівпровідники з домішкою, валентність якої:

На одиницю менша, ніж валентність основних атомів.

На одиницю більша, ніж валентність основних атомів.

Не залежить від валентності основних атомів.

Рівна основних атомів.

Напівпровідники n- типу – це напівпровідники з домішкою, валентність якої:

На одиницю менша, ніж валентність основних атомів.

На одиницю більша, ніж валентність основних атомів.

Не залежить від валентності основних атомів.

Домішки , які є джерелом електронів, називаються:

Акцепторами.

Донорами.

Домішки , які є джерелом дірок, називаються:

Акцепторами.

Донорами.

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом дірок, називаються:

Донорними.

Акцепторними.

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом електронів, називаються:

Донорними.

Акцепторними.

Напівпровідники з дірковою провідністю називаються:

Електронними.

Дірковими.

n- типу.

р- типу.

Напівпровідники з електронною провідністю називаються:

Електронними.

Дірковими.

n- типу.

р- типу.

Метал (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

Напівпровідник (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

Діелектрик (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Речовина з вузькою забороненою зоною.

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Речовина із шириною забороненої зони .

Що таке зона провідності для металів одновалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Повністю заповнена зона.

Зона заповнена на половину

Гібридна зона.

Що таке зона провідності для металів двовалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Повністю заповнена зона.

Зона заповнена на половину.

Гібридна зона.

Яка домішка призводить до виникнення електронної провідності в Ge

Ga.

P.

In.

As.

Яка домішка призводить до виникнення діркової провідності в Si

Ga.

P.

In.

As.

Які носії заряду називаються неосновними:

Електрони в напівпровіднику -n типу.

Електрони в напівпровіднику p – типу.

Дірки в напівпровіднику n – типу.

Дірки в напівпровіднику p – типу.

Що таке робота виходу електронів із металу - це:

Робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб перейти на сусідній енергетичний рівень.

Робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб перейти на найвищий енергетичний рівень.

Робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб перейти на найнижчий енергетичний рівень.

Найменша робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб вийти із металу назовні.

При контакті метал-напівпровідник p – типу з Амн/путворюється:

Контактний шар збіднений електронами (запірний шар)

Контактний шар збагачений електронами (антизапірний шар)

Контактний шар збагачений дірками (антизапірний шар)

Контактний шар збіднений дірками (запірний шар)

На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі. Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 А1< А2?

1 – охолоджуватимесь.

2 – нагріватимесь.

1 – нагріватимес.

.2 – охолоджуватимесь.

1.

2.

3.

Надання металу надлишкового позитивного заряду:

Збільшує потенціал і всередині, і на поверхні металу.

Зменшує потенціальну енергію.

Зменшує потенціал і всередині, і на поверхні металу.

Збільшує потенціальну енергію

Робота виходу із речовини у вакуум описується виразом:

Термоелектрорушійна сила описується виразом:

На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі.

Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 при А1> А2і заданому напрямі струму:

1 – охолоджуватимесь.

2 – нагріватимесь.

1 – нагріватимесь.

2 – охолоджуватимесь.

Вольт-амперна характеристика p – n переходу має вигляд:

Надання металу надлишкового негативного заряду:

Збільшує потенціал і всередині , і на поверхні металу.

Зменшує потенціальну енергію.

Зменшує потенціал і всередині , і на поверхні металу.

Потенціал не змінює.

Напрям зовнішнього електричного поля, який зменшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається:

Зворотним.

Прямим.

Пропускним.

Запірним.

Напрям зовнішнього електричного поля, який збільшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається:

Зворотним

Прямим..

Пропускним.

Запірним.

При контакті метал-напівпровідник p – типу з Амн/путворюється:

Контактний шар збіднений електронами (запірний шар).

Контактний шар збагачений електронами (антизапірний шар).

Контактний шар збагачений дірками (антизапірний шар).

Контактний шар збіднений дірками (запірний шар).

Внутрішня контактна різниця потенціалів проявляється у:

р-n переходах.

Діодах Шотткі.

Термісторах.

Фоторезисторах.

Від чого залежить внутрішня контактна різниця потенціалів:

Від різниці робіт виходу електрона.

Від різниці енергій Фермі.

Від різниці енергій дна зони провідності та стелі валентної зони.

Від чого залежить зовнішня контактна різниця потенціалів:

Від різниці робіт виходу електрона.

Від різниці енергій Фермі.

Від різниці енергій дна зони провідності та стелі валентної зони.

Що таке ЗБАГАЧЕННЯ в контактних явищах:

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж неосновних.

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж в об’ємі.

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду менше, ніж неосновних.

Що таке ВИСНАЖЕННЯ в контактних явищах:

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж неосновних.

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж в об’ємі.

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду менше, ніж неосновних.

В чому суть ефекту Зеєбека:

У виникненні електрорушійної сили в колі при освітленні р-n переходу.

У виникненні електрорушійної сили в колі, складеному з різних речовин, коли контакти мають різну температуру.

У виділенні додаткової (до ленц-джоулевої теплоти) теплоти при проходженні струму через контакт в колі складеному з різних речовин.

У поглинанні теплоти при проходженні струму через контакт в колі складеному з різних речовин.

В чому суть ефекту Пельтьє:

У виникненні електрорушійної сили в колі при освітленні р-n переходу.

У виникненні електрорушійної сили в колі, складеному з різних речовин, коли контакти мають різну температуру.

У виділенні додаткової (до ленц-джоулевої теплоти) теплоти при проходженні струму через контакт в колі складеному з різних речовин.

У поглинанні теплоти при проходженні струму через контакт в колі складеному з різних речовин.

Нагрівання чи охолодження контакту у випадку прояву ефекту Пельтьє залежить від:

Різниці енергій Фермі матеріалів контакту.

Напряму струму в колі.

Сили струму.

Різниці робіт виходу.

За зонною теорією тверде тіло є провідником струму тоді, коли є:

Вільні носії заряду .

Вільні енергетичні рівні.

Вільні носії заряду та вільні енергетичні рівні.

Є два метали з різними термодинамічними роботами виходу. При цьому . Як метали зарядяться, коли їх привести в контакт:

Перший позитивно, другий негативно.

Перший негативно, другий позитивно.

Обидва позитивно.

Обидва негативно.

Контакт двох металів добре проводить струм, тому що:

Метали мають велику концентрацію носіїв заряду.

Товщина контакту дуже мала.

Рівень Фермі установлюється на одному рівні.

Різна робота виду.

Вказати, в яких речовинах область приповерхневого просторового заряду максимальна (по довжині) при утворенні контакту з металом:

Метал.

Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 1019м-3.

Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 1021м-3.

Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 1023м-3.

Напрям зовнішнього електричного поля, який зменшує потенціальний бар’єрp – n переходу називається.

Пропускним.

Запірним.

Зворотним.

Прямим.

Зовнішня контактна різниця потенціалів визначається:

Внутрішня контактна різниця потенціалів визначається:

Термоелектрорушійна сила описується виразом:

Кількість теплоти, яка виділяється у спаї при явищі Пельтьє є:

При контакті метал-напівпровідник n – типу з Амн/путворюється контактний шар:

Збіднений електронами (запірний шар).

Збагачений електронами (антизапірний шар).

Збагачений дірками (антизапірний шар).

Збіднений дірками (запірний шар).

При контакті метал-напівпровідник р – типу з Амн/путворюється контактний шар:

Збіднений електронами (запірний шар)

Збагачений електронами (антизапірний шар)

Збагачений дірками (антизапірний шар)

Збіднений дірками (запірний шар)

На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі. Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 при А1< А2?:

1 - охолоджуватимесь

2 - нагріватимесь

1 - нагріватимесь

2 – охолоджуватимесь

Надання металу надлишкового позитивного заряду:

Збільшує потенціал і всередині , і на поверхні металу.

Зменшує потенціальну енергію.

Зменшує потенціал і всередині , і на поверхні металу.

Збільшує потенціальну енергію

Причина явища Пельтьє в різниці:

Енергій електронів і дірок.

Енергій Фермі металів.

Концентрацій металів.

Робіт виходу металів.

На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі. Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 при А1< А2?:

1 – охолоджуватимесь.

2 – нагріватимесь.

1 – нагріватимесь.

2 – охолоджуватимесь.

Як визначається рухливість електронів

Питома електропровідність металів за класичною теорією визначається:

Питома електропровідність металів за квантовою теорією визначається:

Що таке α у виразі ?:

Опір при t=00С.

Опір при t0С

Термічний коефіцієнт опору.

Температура.

Що таке у виразі?

Опір при t=00С.

Опір при t0С

Термічний коефіцієнт опору.

Температура.

Що таке R у виразі ?

Опір при t=00С.

Опір при t0С

Термічний коефіцієнт опору.

Температура.

Що таке t у виразі ?

Опір при t=00С.

Опір при t0С

Термічний коефіцієнт опору.

Температура.

Опір у власному напівпровіднику при зростанні температури

Зростає за лінійним законом.

Зростає за експоненціальним законом.

Спадає за лінійним законом.

Спадає за експоненціальним законом.

Опір у напівпровіднику р-типу при зростанні температури:

Зростає за лінійним законом.

Зростає за експоненціальним законом.

Спадає за лінійним законом.

Спадає за експоненціальним законом.

Провідність при зростанні температури у напівпровіднику р-типу:

Зростає за лінійним законом.

Зростає за експоненціальним законом.

Спадає за лінійним законом.

Спадає за експоненціальним законом.

Провідність при зростанні температури у напівпровіднику n-типу:

Зростає за лінійним законом.

Зростає за експоненціальним законом.

Спадає за лінійним законом.

Спадає за експоненціальним законом.

Провідність при зростанні температури у власному напівпровіднику:

Зростає за лінійним законом.

Зростає за експоненціальним законом.

Спадає за лінійним законом.

Спадає за експоненціальним законом.

Зростання провідності у власному напівпровіднику при зростанні температури пояснюється:

Збільшенням кількості дірок.

Збільшенням кількості електронів.

Зменшенням кількості дірок.

Зменшенням кількості дірок.

Зростання провідності у напівпровіднику n-типу при зростанні температури пояснюється:

Збільшенням кількості дірок.

Збільшенням кількості електронів.

Зменшенням кількості дірок.

Зменшенням кількості дірок.

Зростання провідності у напівпровіднику р-типу при зростанні температури пояснюється:

Збільшенням кількості дірок.

Збільшенням кількості електронів.

Зменшенням кількості дірок.

Зменшенням кількості дірок.

Надпровідність це явище:

Різкого зростання провідності при підвищенні температури.

Різкого зменшення провідності при підвищенні температури.

Падіння опору речовини до нуля при критичній температурі.

Незалежності опору речовини від температури.

Критична температура в температурній залежності електропровідності речовини– це температура при якій:

Зростає провідність.

Зменшується провідність.

Опір речовини рівний нулю.

Опір речовини максимальний.

Що таке дрейфовий струм у напівпровіднику:

Струм обумовлений зовнішнім електричним полем.

Струм, який виникає в результаті дифузії в неоднорідних напівпровідниках.

Струм, який виникає в результаті хаотичного руху електричних зарядів.

Густина дрейфового струму у напівпровіднику в загальному випадку описується виразом

Електронна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони в зону провідності.

Валентної зони на домішковий рівень.

Домішкових рівнів в зону провідності.

Діркова провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони в зону провідності.

Валентної зони на домішковий рівень.

Домішкових рівнів в зону провідності.

Власна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони на домішковий рівень.

Домішкових рівнів в зону провідності.

Валентної зони в зону провідності.

Яку енергію можна визначити із залежності для домішкових напівпровідників р-типу:

Концентрацію основних носіїв заряду.

Ширину забороненої зони власного напівпровідника.

Енергію активації напівпровідника з електронною провідністю.

Енергію активації напівпровідника з дірковою провідністю.

Яку енергію можна визначити із залежності для домішкових напівпровідниківn-типу:

Концентрацію основних носіїв заряду.

Ширину забороненої зони власного напівпровідника.

Енергію активації напівпровідника з електронною провідністю.

Енергію активації напівпровідника з дірковою провідністю.

Яку енергію можна визначити із залежності для власних напівпровідників:

Концентрацію основних носіїв заряду.

Енергію активації напівпровідника з електронною провідністю.

Енергію активації напівпровідника з дірковою провідністю.

Ширину забороненої зони власного напівпровідника.

Провідність напівпровідника називається власною, коли провідність здійснюється за рахунок:

Електронів в зоні провідності.

Дірок у валентній зоні .

Електронів в зоні провідності та дірок у валентній зоні .

Внутрішній фотоефект – це явище:

Виривання електронів із речовини в вакуум під дією світла.

Зміни енергетичного положення носіїв заряду речовини під дією світла.

Зміни кольору тіла дією світла.

Виникнення тиску на поверхню речовини під дією світла.

Вказати, в яких речовинах область приповерхневого просторового заряду максимальна (по довжині) при утворенні контакту з металом:

Метал.

Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 1019м-3.

Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 1021м-3.

Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 1023м-3.

Генерацією носіїв заряду у власному напівпровіднику називається процес:

Приєднання діркою електрона і утворення нейтрального атома.

Утворення пари електрон – дірка.

Утворення електронів

Утворення дірок.

Рекомбінацією носіїв заряду у власному напівпровіднику називається процес:

Приєднання діркою електрона і утворення нейтрального атома.

Утворення пари електрон – дірка.

Утворення електронів

Утворення дірок.

Який механізм електропровідності у власних напівпровідниках ?:

Електронний.

Дірковий.

Електронний і дірковий

Що таке дифузійний струм у напівпровіднику:

Струм обумовлений зовнішнім електричним полем.

Струм, який виникає в результаті дифузії в неоднорідних напівпровідниках.

Густина дифузійного струму у напівпровіднику в загальному випадку описується виразом

Залежність електропровідності у власному напівпровіднику від температури зображена на рисунку:

Надпровідність це явище:

Різкого зростання провідності при підвищенні температури.

Різкого зменшення провідності при підвищенні температури.

Падіння опору речовини до нуля при критичній температурі.

Незалежності опору речовини від температури.

Який з графіків відповідає явищу надпровідності?:

Який з графіків відповідає залежності опору металів від температури (при не дуже низьких температурах)?:

Як записується вираз для червоної межі при дірковій фотопровідності ?

Як записується вираз для червоної межі при електронній фотопровідності ?

Як записується вираз для червоної межі при власній фотопровідності ?

В чому полягає явище дифузії

Це зростання провідності власному напівпровіднику при нагріванні.

Це зростання провідності власному напівпровіднику освітленні.

Це взаємне проникнення речовин при дотику внаслідок теплового руху їх частинок

Що таке дрейфовий струм у напівпровіднику:

Струм обумовлений зовнішнім електричним полем.

Струм, який виникає в результаті дифузії в неоднорідних напівпровідниках.

Густина струму у напівпровіднику загальному випадку описується виразом:

Чому діелектрики не проводять струм при звичайних умовах ?

У них велика відстань між атомами.

У них мала відстань між атомами.

У них мала ширина забороненої зони.

У них велика ширина забороненої зони.

Чим пояснюється збільшення сили струму через напівпровідник при збільшенні температури:

Зменшенням рухливості електронів.

Збільшенням концентрації носіїв заряду.

Зменшенням рухливості дірок.

Зменшенням концентрації носіїв заряду.

Який процес називається генерацією носіїв заряду у власному напівпровіднику?:

Процес приєднання діркою електрона і утворення нейтрального атома.

Процес утворення пари електрон – дірка.

Процес утворення тільки електрона.

Процес утворення тільки дірок.

Співвідношення між рухливістю і коефіцієнтом дифузії для дірок є:

Електронна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони в зону провідності.

Валентної зони на домішковий рівень.

Домішкових рівнів в зону провідності.

Діркова провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони в зону провідності.

Валентної зони на домішковий рівень.

Домішкових рівнів в зону провідності.

Власна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони на домішковий рівень.

Домішкових рівнів в зону провідності.

Валентної зони в зону провідності.

Яку енергію можна визначити із залежності для домішкових напівпровідників р-типу:

Концентрацію основних носіїв заряду.

Ширину забороненої зони власного напівпровідника.

Енергію активації напівпровідника з електронною провідністю.

Енергію активації напівпровідника з дірковою провідністю.

Яку енергію можна визначити із залежності для домішкових напівпровідниківn-типу:

Концентрацію основних носіїв заряду.

Ширину забороненої зони власного напівпровідника.

Енергію активації напівпровідника з електронною провідністю.

Енергію активації напівпровідника з дірковою провідністю.

Яку енергію можна визначити із залежності для власних напівпровідників:

Концентрацію основних носіїв заряду.

Енергію активації напівпровідника з електронною провідністю.

Енергію активації напівпровідника з дірковою провідністю.

Ширину забороненої зони власного напівпровідника.

Провідність напівпровідника називається власною, коли провідність здійснюється за рахунок:

Електронів в зоні провідності.

Дірок у валентній зоні .

Електронів в зоні провідності та дірок у валентній зоні .

Внутрішній фотоефект – це явище:

Виривання електронів із речовини в вакуум під дією світла.

Зміни енергетичного положення носіїв заряду речовини під дією світла.

Зміни кольору тіла дією світла.

Виникнення тиску на поверхню речовини під дією світла.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.