- •2.Основные физические понятия и принципы работы лазеров.
- •3.Спонтанное и индуцированное излучение и их сво-ва.
- •4.Поглощение.Коэффициенты поглощения.
- •5.Вероятности переходов. Коэффициенты Энштейна.
- •6.Принцип работы лазеров.Оптическая накачка, скорость накачки. Активная среда.
- •7.Коэффициент усиления и условие самовозбуждения генератора. Порог генерации.
- •8. Излучение в резонаторе. Модовая структура поля.
- •9.Дисперсия и коэффициент поглощения.
- •10. Интегральные коэффициенты Эйнштейна.
- •11. Форма и ширина спектральной линии.
- •12. Время жизни возбужденных состояний. Безызлучательная релаксация.
- •13. Механизмы уширения линии. Естественное время жизни и ширина спектра спонтанного излучения.
- •14. Однородное уширение спектральной линии. Профиль однородного уширения линии.
- •15.Неоднородное уширение и контур линии поглощения
- •16. Насыщение в двухуровневой системе.
- •17.Насыщение поглощения при однородном уширении.
- •18.Насыщение поглощения при неоднородном уширении.
- •19. Лазеры на основе конденсированных сред. Общая хар-ка. И св-ва.
- •20. Режимы работы твердотельных лазеров.
- •21.Лазер на рубине. Принцип действия и генерационные характеристики.
- •22. Полупроводниковые лазеры на гетероструктурах и их генерационные характеристики.
- •23: Лазер на итрий-алюминиевом гранате (иаг). Структура энергетических уровней и генерационные характеристики.
- •24. Полупроводниковые лазеры. Принцип действия, типы полупроводниковых лазеров. Спектральные и генерационные характеристики.
- •25. Лазер на александрите. Структура энергетических уровней и генерационные характеристики.
- •26.Лазеры на красителях.
- •27.Ге́лий-нео́новый ла́зер.
- •28.Ионные газовые лазеры.Схема энергетических состояний и механизм получения инверсии в ионизированном аргоне.
- •29.Лазеры на парах металлов.Общая характеристика и принцип действия гелий-кадмиевого лазера.Генерационные параметры.
- •30.Лазер на парах меди.
- •31. Молекулярные лазеры. Общая характеристика и типы молекулярных лазеров. Со2-лазер. Устройство и генерационные параметры.
- •32. Молекулярные лазеры ультрафиолетового диапазона. N2-лазер.
- •33. Эксимерные лазеры. Механизм образования инверсии и генерационные параметры эксимерных лазеров на галогенидах инертных газов.
- •35.Газодинамические лазеры. Принцип действия и генерационные параметры.
- •36.Оптические резонаторы, их виды и свойства.
- •37.Добротность и потери резонатора, число возбужденных мод. Модовые конфигурации резонатора.
- •38.Обобщенный сферический резонатор.
- •39.Дисперсионные резонаторы и их характеристики.
- •40.Неустойчивые резонаторы. Коэф. Увеличения и потерь резонатора.
- •41.Симметрический и телескопии-ческий неустойчивые резонаторы.
- •42.Химичечкие лазеры их типы и генерацион. Параметры.
- •43. Лазеры на свободных электронах и их свойства.
- •45. Теория лазера. Пороговые условия генерации. Стационарный режим.
- •46. Теория лазера. Модулированная добротность. Нестационарный режим генерации.
- •48.Режим синхронизации мод. Активная и пассивная синхронизация мод.
15.Неоднородное уширение и контур линии поглощения
При неоднородном характере уширения форма и ширина спектральных линий отдельных частиц и ансамбля частиц не совпадают. Типичный для неоднородного уширения фактор – эффект Доплера. Для наблюдателя частота излучающих частиц будет зависеть от их скорости υ и направления движения: ν = ν0(1 + υ/с), причем скорость может быть больше или меньше нуля, а частоты больше или меньше ν0 (рис. 1.22).
Рис. 1.22. Неоднородное уширение спектральных линий
Ансамблю движущихся частиц соответствует пространство скоростей, которое можно описать функцией g(υ). В ансамбле всегда можно выделить группы частиц, имеющих примерно одинаковые скорости в интервале dυ. Каждому интервалу dυ в пространстве скоростей соответствует определенный интервал dν в пространстве частот, описываемом форм-фактором неоднородного уширения g(ν)нд (рис. 1.23, а, б).
Рис. 1.23. Пространства: а – скоростей; б – частот
С учетом энергетических представлений соответствие интервалов может быть записано в виде g(ν)ндdν = g(υ)dυ или g(ν)нд = g(υ)dυ/dν. Из функции Доплера υ = (ν – ν0) с /ν0, что после дифференцирования дает dυ или dυ/dν = с/υ0 и, соответственно, для форм-фактора неоднородно уширенной линии g(ν)нд = g(υ)с/υ0. Предположим, что распределение частиц по скоростям является максвелловским.
16. Насыщение в двухуровневой системе.
НАСЫЩЕНИЯ ЭФФЕКТ - выравнивание населённостей двух уровней энергии квантовой системы (молекулы, атома) под действием резонансного эл.-магн. излучения. При увеличении интенсивности падающего излучения возрастает вероятность индуциров. квантовых переходов с верхнего уровня на нижний (вынужденное испускание) и обратно (поглощение), что приводит к выравниванию населённости этих уровней. Степень насыщения определяется соотношением скоростей индуциров. переходов и релаксац. процессов, ответственных за установление равновесного распределения населённостей по уровням.
Если на среду, представляющую собой набор одинаковых двухуровневых систем с собств. частотами w21, падает монохроматич. эл.-магн. волна с частотой w и интенсивностью I, то разность населённостей нижних и верхних уровней ∆N =N1- N2 описывается выражением ∆N=∆N0
где ∆N0- разность населённостей в отсутствие падающего излучения, g - однородная полуширина спектральной линии, IH - насыщающая интенсивность. В точном резонансе (w =w21) при I = Iн разность населённостей уменьшается вдвое: ∆N = 0,5 ∆N0. При очень больших интенсивностях падающего излучения (I/IH→∞) скорость индуциров. переходов намного превышает скорость релаксац. процессов, населённости уровней выравниваются (∆N→0).
Степень насыщения убывает с увеличением отстройки частоты излучения от резонанса. Это приводит к деформации спектральных линий. В случае однородного уширения линия поглощения падающего излучения сохраняет лоренцову форму, однако её ширина увеличивается в раз. Этот эффект наз. полевым уширением или уширением вследствие насыщения.