Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Азиза УМК ЭиСАУ-.каз.doc
Скачиваний:
409
Добавлен:
18.02.2016
Размер:
2.1 Mб
Скачать

2.6. Курстың мазмұны

      1. Дәріс сабақтарының тізбесі

Тақырып атауы

Көле

мі, сағ

Әдебиеттер

Ағымды бақылау, балл

1

2

3

4

Кіріспе. Пән алдына қойылған мақсаттар мен мәселелер. Қатты денелер өтпесіндегі физика-лық құбылыстар. Жартылай өткізгіштер физикасы. Жартылай өткізгіштік заттар. Элек-трон-кемтіктік (p-n) ауысу. Оның вольт-амперлік сипаттамасы.

1

[10] с.80-84

[14] с.21-29

0,8

Жартылай өткізгіштік диодтар. Жалпы мағлұматтар. Түзеткіштік және жоғары жиіліктік диодтар. Стабилитрондар.

1

[3] 7-20 б.

[6] с. 29-42

0,8

Биполяр транзистор. Екі p-n- өтпелі құрылымның сипаттамалары. Транзистордың күшейту қабілеттілігі және сұлбалық қосылымдары.

1

[3] 20-28 б.

[6] с.48-51

0,8

Транзистордың статикалық сипаттамалары, h-көрсеткіштері.

1

[3] 20-28 б.

[6] с.48-51

0,8

Өрістік транзистор, олардың түрлері мен олар-дың ерекшеліктері. p-n-өтпелі өрістік тран-зистор. Оның жұмыс атқару принципі. р-n-өтпелі өрістік транзистордың сұлбалық қосылымдары, статикалық сипаттамалары және негізгі көрсеткіштері.

1

[3] 29-35 б.

[6] с.59-61

0,8

Металл-диэлектрик-жартылай өткізгіш (МДЖ) құрылымды транзисторлар. МДЖ-транзистор түрлері. Индукцияланған және қондырылған арналы МДЖ-транзисторлар, олардың жұмыс атқару принципі.

1

[3] 29-35 б.

[6] с.59-61

0,8

Тиристорлар. Тиристор - бірнеше p-n-өптеден тұратын басқарылмалы аспап. Тиристордың вольт-амперлік сипаттамасы және оның негізгі көрсеткіштері

1

[3] 36-48 б.

[6] с. 67-73

0,8

Оптоэлектрондық жартылай өткізгіштік ас-паптар. Жартылай өткізгіштердегі оптикалық сәулелер.

1

[4] с. 53-59

0,8

1

2

3

4

Сәуле қабылдағыштар. Құрылымдары, сипаттамалары және көрсеткіштері.

1

[10] с.209-237

[18] c.78-18

0,8

Оптожұптар (оптрондар). Құрылымы, сипат-тамалары және көрсеткіштері.

1

[10] с.209-237

[18] c.78-18

0,8

Микроэлектроника, интегралдық сұлбалар (ИС). ИС-лардың жіктелуі: жартылай өткізгіш-тік, қабыршақтық, гибридтік, біріктірілген.

1

[10] с.154-157

[18] с.83-87

0,8

ИС элементтерін оқшаулау. Интегралдық сұл-балардағы транзисторлар. Көпэмиттерлі тран-зистор. Шотки транзисторы.

1

[1] с. 229-239

0,8

Логикалық және аналогтық интегралдық сұл-балар. Транзисторлық логика. Интегралдық инжекциялық логика (ИИЛ). МДЖ негізді логикалық элементтер.

1

[10] с.331-427

0,8

Аналогтык интегралды сұлбалар.

1

[10] с.608-614

0,8

Электрониканың болашағы

1

[10] с.680-693

0,8

Барлығы

15

12

2.6.2 Практикалық – зертханалық сабақтарының тізбесі

Тақырып атауы

Кө

ле

мі, сағ.

Әдебиеттер

Ағымды бақылау, балл

Жартылай өткізгішті диодтың сипаттамалары мен олар негізінде түзілген кұрылғыларды зерттеу

2

[18] 8-20

2,66

Туннельді диодтың вольтамперлі сипаттамасын зерттеу

2

[18] с.33-42

2,66

Тористор мен басқарушы түзеткіштің сипаттамаларын зерттеу

2

[18] с.20-32

2,66

Биполярлы транзистордың сипаттамаларын зерттеу

3

[18] с.42-55

2,66

Өрістік транзистордың сипаттамаларын зерттеу

3

[18] с.56-69

0,533

Операциялық күшейткіш негізіндегі схемаларды зерттеу

3

[18] с.70-88

2,66

Барлығы

15

16