- •Министерство образования и науки Украины
- •Содержание
- •1 Оценки «черного ящика» для импульсных источников питания
- •2.Расчет трансформаторов
- •2.1 Расчет трансформатора однотактного прямоходового
- •2.2 Расчет трансформаторов однотактного обратноходового
- •2.3 Расчет трансформатора двухтактного мостового пре-
- •2.4 Трансформатор тока
- •3 Дроссели
- •3.1 Сглаживающие дроссели
- •3.2. Дроссели переменного тока
- •4 Проектирование выпрямителей
- •4.1 Выходной фильтр
- •4.2 Проектирование секции входного выпрямителя фильтра
- •5 Силовые ключи
- •5.1 Проектирование ключа и секции драйвера мощного биполярного транзистора
- •5.2 Проектирование ключа и секции драйвера на мощном
- •5.3 Управление мощными полевыми транзисторами
- •5.4 Транзистор igbt в качестве ключа
- •5.5 Драйверы управления мощными транзисторами
- •5.5.1 Быстродействующие драйверы, управляющие mosfet
- •5.5.2 Одноканальный драйвер с защитой по току управляемо-
- •5.5.3 Драйверы igbt с расширенными функциональными
- •5.5.4 Защита от выхода в активную область силового ключа
- •5.5.5 Включение драйвера без цепей защиты
- •5.5.6 Включение драйвера с использованием датчика тока
- •5.5.7 Драйверы, управляющие стойкой транзисторов
- •5.6 Трансформаторное управление силовыми ключами
- •6 Особенности управления иип
- •6.1 Краткий обзор схемы управления импульсными
- •6.2 Источники опорного напряжения
- •6.2.1 Источники опорного напряжения на стабилитронах
- •6.2.2 Регулируемые источники опорного напряжения высокой
- •6.2.3. Формирование участка постоянной мощности в dc-dc
- •6.3 Проектирование цепи обратной связи по напряжению
- •6.4 Обратная связь по току
- •6.5 Проектирование схемы запуска и смещения
- •6.6 Характеристика Боде типичных цепей, используемых в
- •7 Варианты заданий к курсовой работе
- •8 Требования к работе
- •Пример оформления титульного листа (обложки)
- •Согласование диаметров проводов
- •Параметры ферримагнитных материалов
- •Типоразмеры сердечников из ферритов
- •Методические указания
- •142/2007 Підп. До друку Формат 60х84/16
- •84313, М. Краматорськ, вул. Шкадінова, 72
6.2.1 Источники опорного напряжения на стабилитронах
Стабилитроны – кремниевые диоды, работающие при обратном смещении перехода и часто называемые диодами Зенера (Zener diodes). В отечественной литературе и за рубежом приняты различные обозначения стабилитронов на принципиальных электрических схемах, что показано на рис. 39. На рисунке обозначены напряжение и ток стабилизации. Вольт-амперная характеристика стабилитрона (ВАХ) с участками прямого смещения и пробоя показана на рис. 40. Если при прямом смещении стабилитрон ведет себя как обычный диод – падение напряжения Uпр=0,7…0,9 В и температурный коэффициент напряжения (ТКН) () отрицательный, то параметры стабилитрона, работающего на участке пробоя, зависят от заданных требований, технологии изготовления и конструкции прибора.
Выпускаемые в настоящее время стабилитроны имеют широкий диапазон напряжений пробоя (стабилизации) – от единиц до десятков вольт. Максимальная мощность, рассеиваемая на стабилитроне, зависит от поверхности корпуса и от способа монтажа корпуса на плате. Перечислим важнейшие параметры стабилитрона, оказывающие влияние на работу ИОН:
напряжение стабилитрона, Uс [В] – указывается для определенного тока стабилизации – 5 мА или менее для высоковольтных приборов при комнатной температуре;
дифференциальное (динамическое) сопротивление, rд [Ом] – характеризует наклон ВАХ на участке пробоя и указывается для того же тока стабилизации, при
Рис. 39 — Обозначения принятые для стабилитронов на принципиальных электрических схемах:
а – обозначение, принятое в России; б – обозначение, принятое за рубежом.
Рис. 40 — ВАХ стабилитрона.
котором определялось напряжение Uс при комнатной температуре; сопротивление rд может также указываться для тока значительно меньше того тока, при котором производилось измерение Uс;
рассеиваемая мощность, Рр[мВт] – максимальная мощность, указываемая при температуре 25о С; при дальнейшем повышении температуры окружающей среды Рр снижается, степень снижения зависит от конструктивных особенностей прибора;
тепловое сопротивление переход – среда, Rтпс [oC/Вт] – параметр, также зависящий от конструкции;
максимальная температура перехода, Tп [oC].
Для ИОН, работающего на основе стабилитрона, весьма важен технологический разброс напряжения стабилизации Uс. Существующие стабилитроны имеют разброс ,или%.
Дифференциальное сопротивление rд оказывает влияние на стабильность выходного напряжения ИОН при изменении нагрузки; важно, чтобы это сопротивление было по возможности меньше. Сопротивление rд зависит, в первую очередь, от напряжения стабилизации: оно наибольшее для стабилитронов с Uс= 2,4…5,1 В, составляя 70…40 Ом, минимально при напряжении Uс= 6…9 В(Ом) и возрастает при Uс>10 В.
С ростом тока стабилизации rд резко снижается, уменьшаясь, например, в 2…25 раз при возрастании тока стабилизации с 0,2…0,5 до 2…5 мА.
ТНК стабилитрона, так же как и сопротивление rд, зависит от напряжения Uс. Минимальный (по абсолютному значению) ТНК имеют стабилитроны с Uс = 5,1 В; при увеличении Uс ТНК возрастает, оставаясь положительным, а при уменьшении Uс от значения 5,1 В ТНК имеет отрицательный знак.
ИОН на основе стабилитрона представляет собой параллельный стабилизатор напряжения, поскольку регулирующий элемент включен параллельно нагрузке (рис.41). На этом рисунке R – сопротивление нагрузки, RБ – балластное сопротивление. Ток, проходящий через сопротивление RБ:
(6.2.1.1)
Рис. 41 — ИОН на основе стабилитрона.
Ток, проходящий через нагрузку:
(6.2.1.2)
Ток в стабилитроне:
(6.2.1.3)
Последнее отношение может быть приведено к виду:
(6.2.1.4)
где ; Rэ – результат параллельного включения R и RБ.
Соотношение (6.2.1.4) показывает, что минимальным ток стабилизации (Ic min) будет при Uвх min и Rmin. При этих условиях задав ток Ic min и считая, что напряжение Uвых=Uc max (максимальное значение Uc из справочных данных), определим после преобразований из (6.2.1.4) балластное сопротивление RБ:
(6.2.1.5)
Максимальный ток стабилизации (Iс max) будет при Uвх max, Uc min и Rmax. Поскольку для выбранного типа стабилитрона Uc min известно из справочных данных, после расчета RБ по соотношению (6.2.1.5) следует проверить, не превышает ли ток Iс max предельно допустимый:
(6.2.1.6)
Ток Ic max не должен превышать ток, равный Pp/Uc max, с учетом снижения Pp при возрастании температуры.
Изменение выходного напряжения при изменении входного учитывается с помощью соотношения, полученного из (6.2.1.4):
. (6.2.1.7)
При изменении сопротивления нагрузки также происходит изменение Uвых, которое можно учесть, преобразуя (6.2.1.4) и учитывая, что Uвх останется постоянным:
(6.2.1.8)
где - изменение сопротивления нагрузки от исходного значения, которое учитывается в эквивалентном сопротивлении Rэ.
Соотношения (6.2.1.7) и (6.2.1.8) показывают, насколько важно, чтобы стабилитрон имел малое сопротивление rД. Температурные изменения напряжения на выходе ИОН учитываются с помощью ТКН стабилитрона, приводимого в справочных данных.