- •1. Введение
- •Диапазон свч
- •2. Коммуникационные тракты
- •2.1. Общие свойства
- •2.2. Коаксиальный волновод
- •2. Коммуникационные тракты
- •2.1. Общие свойства
- •2.2. Коаксиальный волновод
- •2.4. Полосковые (микрополосковые) линии
- •2.5. Частотные характеристики нагруженных волноводов
- •1. Согласованный волновод — .
- •2. Разомкнутый волновод — .
- •3. Короткозамкнутый волновод — .
- •2.6. Метод отражений
- •2.7. Формирование импульсов с помощью отрезков волновода
- •Формирование короткого импульса из перепада на кз-волноводе:
- •Формирование прямоугольного импульса на разомкнутом волноводе:
- •Примеры микрополосковых свч конструкций
- •2.8. Тракты коммуникаций в цифровых ис
- •1). Трассы между логическими вентилями
- •2). Трассы шин
- •3. Резонаторы и антенны
- •3.1. Резонаторы свч
- •Подкачка резонатора
- •Эволюция -контура в полость (повышении резонансной частоты):
- •Высшие типы колебаний в полости
- •3.2. Антенны
- •Некоторые типы антенн
- •Симметричный вибратор
- •Шлейф - вибратор
- •Директорные антенны
- •4. Параметры рассеяния и круговые диаграммы
- •Примеры
- •Общий случай
- •Некоторые важные параметры и соотношения для свч усилителя
- •4. Параметры рассеяния и круговые диаграммы
- •Примеры
- •Общий случай
- •5. Полупроводниковые приборы свч
- •5.1. Полупроводниковые материалы группы а3в5
- •5.2. Полевой транзистор с затвором Шоттки на основе GaAs (птш, mesfet – Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor)
- •5.3. Гетеропереходный полевой транзистор на основе GaAs (гпт, немт – High Electron Mobility Transistor)
- •5.4. Гетеропереходный биполярный транзисторы (гбт, нвт – Heterojunction Bipolar Transistor)
- •5.5. Лавинно-пролетный диод (лпд)
- •1). Область лавинного умножения.
- •2). Область дрейфа (длиной w)
- •3). Полный импеданс лпд
- •Применение лпд
- •5.6. Диод Ганна
- •6. Пассивные элементы свч имс
- •6. Конструктивные особенности свч имс
Подкачка резонатора

Петля в пучности магнитного поля.
Эволюция -контура в полость (повышении резонансной частоты):

Высшие типы колебаний в полости

Все резонансные частоты наблюдаются на частотной характеристике:

Ввиду очень высокой добротности нужна точная подстройка резонансной частоты. Один из способов — винт в корпус.
Резонаторы на отрезке волновода
Резонаторы могут выполняться на отрезках
короткозамкнутого или разомкнутого
волновода, длина которого кратна
или
.

На открытом конце поля искажаются вследствие краевых эффектов, и часть падающего потока энергии излучается. Поэтому лучшую добротность имеют отрезки волновода, короткозамкнутые с обоих концов. Предельные волноводы обеспечивают лучшую добротность (нет потерь в тонком проводе в диэлектрике).
3.2. Антенны
Антенна— это открытый резонатор, который может излучать или воспринимать электромагнитное поле.
Некоторые типы антенн

Антенны делятся на передающиеиприемные.
Основные параметры и характеристики передающей антенны
1). Входной импеданс (нагрузка для генератора или фидера)
или
.
2). Сопротивление излучения
.
3). Сопротивление потерь
.
4). Активное сопротивление антенны
.
5). Коэффициент полезного действия (к.п.д)
![]()
.
6). Амплитудная характеристика
направленности
(
—азимутальный
угол,
—меридианальный
угол) или
амплитудная характеристика направленности по мощности
плотность потока мощности
;
их графические изображения — диаграммы направленности;
7). Угол раствора диаграммы
,
(в направлении
плотность потока мощности вдвое
меньше, чемв направлении
).
8). Плоскость поляризации (электрического поля).
9). Коэффициент направленного действия (КНД)
![]()
при одинаковой напряженности поля в месте приема (1-104).
10). Коэффициент усиления антенны
![]()
.
Если ту же антенну использовать как приемную, большинство параметров сохраняется, но некоторые изменяют смысл (принцип взаимности):
входное сопротивление внутреннее сопротивление;
;
Эффективная площадь антенны
.
(
численно равна модулю вектора
Умова-Пойнтинга)
Связь между
и
:
.
Симметричный вибратор
В
линии передачи можно рассматривать
распределенияI(x)
и V(x):
![]()
не зависитот пути интегрирования
В
ибраторизлучаетполе. Электрическое
поле не являетсяпотенциальным.
зависитот пути
интегрирования.
можно рассматривать только распределения I(x) и q(x).
Чаще всего используются
“полуволновые”
вибраторы (
)
и“волновые”
вибраторы (
).
Будем рассматривать тонкиевибраторы:
.
Для полуволновоговибратора: Дляволновоговибратора:
;
;
;
;
Ом.
Ом.
Вблизи резонанса полуволновой вибратор ведет себя как последовательный резонансный контур, а волновой — как параллельный:

Входной импеданс (активный):
Ом;
кОм;
—добротность антенны;
Дб —КНД;
эффективная площадь антенны;
Амплитудная характеристика направленности:
;
.

Волновое сопротивление
контура
кОм.
Для полуволновоговибратора входное сопротивление
Ом практически совпадает с волновым
сопротивлением коаксиального кабеля
РД-20 (75 Ом), поэтому можно подключать
кабель прямо к антенне.
Дляволновоговибратора
входное сопротивление
значительно больше волнового сопротивления
любого фидера, поэтому необходимо
согласующее устройство:
Из-за излучения скорость волны вдоль вибратора несколько меньше с. Поэтому резонансные длины волн лишь приближенно определяются соотношениями0 = 4l, 1 = 2l. Резонансные длины волн зависят (слабо) от отношения толщины проводаак длине волны:

