- •1. Введение
- •Диапазон свч
- •2. Коммуникационные тракты
- •2.1. Общие свойства
- •2.2. Коаксиальный волновод
- •2. Коммуникационные тракты
- •2.1. Общие свойства
- •2.2. Коаксиальный волновод
- •2.5. Частотные характеристики нагруженных волноводов
- •2.4. Полосковые (микрополосковые) линии
- •1. Согласованный волновод — .
- •2. Разомкнутый волновод — .
- •3. Короткозамкнутый волновод — .
- •2.6. Метод отражений
- •2.7. Формирование импульсов с помощью отрезков волновода
- •Ф ормирование короткого импульса из перепада на кз-волноводе:
- •Формирование прямоугольного импульса на разомкнутом волноводе:
- •Примеры микрополосковых свч конструкций
- •2.8. Тракты коммуникаций в цифровых ис
- •1). Трассы между логическими вентилями
- •2). Трассы шин
- •3. Резонаторы и антенны
- •3.1. Резонаторы свч
- •Подкачка резонатора
- •Эволюция -контура в полость (повышении резонансной частоты):
- •Высшие типы колебаний в полости
- •3.2. Антенны
- •Некоторые типы антенн
- •С имметричный вибратор
- •Шлейф - вибратор
- •Директорные антенны
- •4. Параметры рассеяния и круговые диаграммы
- •Примеры
- •О бщий случай
- •4. Параметры рассеяния и круговые диаграммы
- •Примеры
- •О бщий случай
- •5. Полупроводниковые приборы свч
- •5.1. Полупроводниковые материалы группы а3в5
- •5.2. Полевой транзистор с затвором Шоттки на основе GaAs
- •5.3. Гетеропереходный полевой транзистор на основе GaAs ( гпт, немт – High Electron Mobility Transistor)
- •5.4. Гетеропереходный биполярный транзисторы
- •5.5. Лавинно-пролетный диод (лпд)
- •1). Область лавинного умножения.
- •2). Область дрейфа (длиной w)
- •3). Полный импеданс лпд
- •Применение лпд
- •5.6. Диод Ганна
- •6. Пассивные элементы свч имс
- •6. Конструктивные особенности свч имс
4. Параметры рассеяния и круговые диаграммы
В электротехнике линейные 4-полюсники описываются системой линейных уравнений с 4-мя параметрами - комплексными ф-циями частоты. Например, для биполярного транзистора используются h-параметры:
; Для измерения h-параметров надо
. осуществлять режимы КЗ и ХХ.
На СВЧ это сделать трудно:
1) Часто невозможно осуществить КЗ и ХХ в нужном месте без создания неоднородностей в СВЧ трактах.
2) Вся СВЧ аппаратура имеет тракты связи с = 50 Ом.
3) При измерении активных приборов в режимах КЗ и ХХ может возникнуть генерация.
4) Электрическое поле может не быть потенциальным; тогда понятие напряжения отсутствует — измеряется мощность.
Поэтому на СВЧ используются параметры рассеяния — S-параметры (Scattering).
; и — падающие и
; отраженные волны мощности:
; .
— входной коэф. отр. мощности;
— выходной коэф. отр. мощности;
— коэф. передачи мощности;
— обратный — “ — .
Sij — комплексные функции частоты.
Если можно говорить о падающих и отраженных волнах напряжения и тока, то
;
.
В
этом случае
,
,
и
— коэфф. отражения напряжения на входе;
— коэфф. отражения напряжения на выходе;
— прямой коэф. передачи напряжения;
— обратный коэф. передачи напряжения.
Параметры и связаны с входными напряжениями и токами2.
В любом случае измеряются мощности.
Для многополюсника: .
— комплексные функции частоты. Они изображаются годографом на круговых диаграммах:
Рассмотрим входной (или выходной) импеданс .
Функции
осуществляют конформное преобразование
функций
на плоскость
.
Линии
— окружности на плоскости
(отсюда круговые диаграммы).
Примеры
1).
(
).
— действительное
число, не зависящее от частоты;
.
.
2). ( ).
;
;
Это нижняя половина окружности единичного радиуса.
3). ( ).
;
;
Это верхняя половина окружности единичного радиуса.
4). ( ).
О бщий случай
На эту сетку наносятся экспериментальные точки для разных частот.
Для каждой частоты можно определить значения входного (по диаграмме S11) или выходного (по диаграмме S22) импеданса . Затем можно ввести компенсацию, чтобы попасть в точки S11 = 0, S22 = 0 на нужной частоте (согласовать входе и выход).
На диаграммах S12() и S21() импедансная сетка отсутствует.
Понятие импеданса сохраняет смысл, когда о напряжениях говорить нельзя.
Расчет S-параметров по эквивалентной схеме 4-полюсника
. Здесь
—
входной импеданс 4-полюсника, нагруженного на .
.
;
.
. Отношение
вычисляется для 4-полюсника, нагруженного
на .
Пример 1. Идеальный ПТШ на GaAs (или МДП), согласованный на входе
G
D
S
S
VGS
gSVGS
CGS
;
;
;
.
;
.
Чтобы обеспечить , транзистор должен быть мощным.
Вообще на СВЧ приборы мощные, т.к. = 50 Ом.
Параметры S21 и S12 измеряют в децибеллах — 20 lg S21, 12.
Значение S21 должно быть велико (~10 дБ), S12 — мало (~ - 20 дБ).
Пример 2. Реальный ПТШ.
Штриховые линии — в корпусе, сплошные — без корпуса.
Некоторые важные параметры и соотношения для СВЧ усилителя
1) Коэффициент устойчивости:
.
— достаточное условие абсолютной устойчивости (при любых значениях Z1,2 без обратной связи).
2) Коэффициент максимального усиления (для ):
—
максимальный коэффициент усиления мощности без обратной связи (вход и выход согласованы).
3) Коэффициент однонаправленного усиления:
—
коэффициент усиления мощности при условии, что обратный коэффициент передачи мощности сведен к нулю за счет обратной связи.
Для БТ — максимальная частота генерации.
На этой частоте U = 1. (так она и измеряется).
4) Необходимые и достаточные условия абсолютной устойчивости:
.
5) Максимально устойчивый коэффициент усиления:
—
показывает, какое усиление можно в принципе получить для потенциально неустойчивого транзистора (K < 1).
Структурная схема 1-каскадного СВЧ усилителя (на GaAs-ПТШ)
М1,2 — согласующие цепи. Задача — выбрать М1,2 так, чтобы реализовать коэффициент максимального усиления Ga max, или обеспечить определенные значения коэффициента однонаправленного усиления, либо максимально устойчивого коэффициента усиления.
Пример [2]:
На круговых диаграммах S11 и S22 области потенциальной неустойчивости (K < 1) есть окружности (для фиксированной частоты):
Строго говоря, круговые диаграммы можно использовать только для линейных устройств. Однако, они применяются и при проектировании СВЧ генераторов — для 1-й гармоники.
В этом случае S-параметры зависят от амплитуды сигнала.
