- •1. Введение
- •Диапазон свч
- •2. Коммуникационные тракты
- •2.1. Общие свойства
- •2.2. Коаксиальный волновод
- •2. Коммуникационные тракты
- •2.1. Общие свойства
- •2.2. Коаксиальный волновод
- •2.4. Полосковые (микрополосковые) линии
- •2.5. Частотные характеристики нагруженных волноводов
- •1. Согласованный волновод — .
- •2. Разомкнутый волновод — .
- •3. Короткозамкнутый волновод — .
- •2.6. Метод отражений
- •2.7. Формирование импульсов с помощью отрезков волновода
- •Формирование короткого импульса из перепада на кз-волноводе:
- •Формирование прямоугольного импульса на разомкнутом волноводе:
- •Примеры микрополосковых свч конструкций
- •2.8. Тракты коммуникаций в цифровых ис
- •1). Трассы между логическими вентилями
- •2). Трассы шин
- •3. Резонаторы и антенны
- •3.1. Резонаторы свч
- •Подкачка резонатора
- •Эволюция -контура в полость (повышении резонансной частоты):
- •Высшие типы колебаний в полости
- •3.2. Антенны
- •Некоторые типы антенн
- •Симметричный вибратор
- •Шлейф - вибратор
- •Директорные антенны
- •4. Параметры рассеяния и круговые диаграммы
- •Примеры
- •Общий случай
- •Некоторые важные параметры и соотношения для свч усилителя
- •4. Параметры рассеяния и круговые диаграммы
- •Примеры
- •Общий случай
- •5. Полупроводниковые приборы свч
- •5.1. Полупроводниковые материалы группы а3в5
- •5.2. Полевой транзистор с затвором Шоттки на основе GaAs (птш, mesfet – Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor)
- •5.3. Гетеропереходный полевой транзистор на основе GaAs (гпт, немт – High Electron Mobility Transistor)
- •5.4. Гетеропереходный биполярный транзисторы (гбт, нвт – Heterojunction Bipolar Transistor)
- •5.5. Лавинно-пролетный диод (лпд)
- •1). Область лавинного умножения.
- •2). Область дрейфа (длиной w)
- •3). Полный импеданс лпд
- •Применение лпд
- •5.6. Диод Ганна
- •6. Пассивные элементы свч имс
- •6. Конструктивные особенности свч имс
6. Конструктивные особенности свч имс
Помимо схемотехнических решений в СВЧ ИМС важное место уделяется следующим вопросам:
а) выбор типа согласующих цепей, б) размещение цепей смещения,
в) способ заземления, г) конструкция корпуса.
Согласующие цепи и цепи смещения.
В аналоговых СВЧ ИМС пассивные согласующие цепи выполняются на отрезках волновода и (или) на сосредоточенных элементах (в зависимости от диапазона частот). Цепи согласования могут быть включены на
На частотах до 4…6 ГГц целесообразно применение сосредоточенных элементов — выигрыш в площади без заметного увеличения потерь.
На более высоких частотах потери в цепях на сосредоточенных элементах резко возрастают, а площадь цепей на волноводах снижается.
Цепи согласования на сосредоточенных элементах— обычно простейшие – Г- или Т-образные:


При топологическом проектировании необходимо учитывать, что повышение плотности размещения элементов на кристалле увеличивает электромагнитное взаимодействие между элементами — могут измениться параметры трактов сигнала и индуктивности, возникать паразитные обратные связи. Эти эффекты очень сложно учесть в расчетах. Поэтому целесообразно снижать плотность компоновки.
Для подачи напряжений питания и смещения используются специальные фильтры. Высокочастотные части фильтров целесообразно размещать на кристалле (для повышения воспроизводимости характеристик). Низкочастотные, содержащие значительные емкости и индуктивности — за пределами кристалла.
Иногда возможно объединение цепей согласования и смещения.
Пример: элементы согласования L2иС— фильтр в цепи питания.

Заземление.
Обычно общая шина земли – металлизированная нижняя поверхность кристалла. Заземление точек на рабочей (верхней) поверхности кристалла необходимо производить в нужных точках. Для этого используются сквозные отверстия в кристалле с металлизированными стенками:


1
;
;
;
;
;
;
;
;
![]()
![]()
![]()
![]()
;
![]()
![]()
![]()
![]()
.
2
;
;
;
;
;
;
;
;
![]()
![]()
![]()
![]()
;
![]()
![]()
![]()
![]()
.
