Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
dsd1-10 / dsd-01=Компоненты ИС / 1. Mos / 01_03 - копия.doc
Скачиваний:
87
Добавлен:
05.06.2015
Размер:
417.28 Кб
Скачать

3.3. Влияние подложки

Согласно соотношению (3.9) в каждой точке канала пороговое напряжение VT зависит от напряжения затвор-канал . Это обстоятельство следует учитывать при интегрировании уравнения (3.12).

В результате для крутой области ВАХ получим:

. (3. 20)

Таким образом, при увеличении VSB (запирающее напряжение исток-подложка) ток стока ID и VDS S уменьшаются. Подложка действует как второй затвор.

Коэффициент подложки

[B1/2]

характеризует степень влияния подложки на пороговое напряжение и ВАХ.

Он уменьшается при уменьшении толщины диэлектрика (возрастает CS) и при уменьшении концентрации примеси в подложке N.

Физическая причина этого состоит в следующем (рис. 3.6):

Затвор воздействует на канал через емкость

Подложка оказывает такое же воздействие действует через емкость ОПЗ

Таким образом, крутизна по подложке снижается при увеличении CS и снижении концентрации примеси в подложке N.

3.4. Законы масштабирования

1). Ток стока Согласно уравнениям (3.14) . Таким образом,

пропорциональное изменение длины и ширины канала не меняет ВАХ.

2). Пороговое напряжение VT, определенное соотношениями (3.7) зависит от свойств подложки и диэлектрика через параметр

(параметр зависит от концентрации примеси в подложке N очень слабо — логарифмически). Удельня емкость диэлектрика

,

а поверхностная плотность заряда

.

Отсюда сдедует, что пороговое напряжение не изменяется при сохранении постоянными параметров

(т.е. отношение)

и .

При типичных значениях ~ 0,03 мкм;Ф/см2Кл/см2 вклад заряда поверхностных состояний в пороговое напряжение составляет

30 мВ.

Таким образом, параметр QSS слабо влияет на величиу VT.

3). Коэффициент подложки

[B1/2]

сохраняется при тех же правилах масштабирования, что и VT .

При пропорциональном уменьшении длины и ширины канала крутизна не меняется, а емкость CGS ~ L2 . Поэтому возрастает квадратично ! При этом В БИС с регулярной структурой задержка сигнала ~ , ис уменьшением длины канала быстродействие возрастает квадратично. В БИС с нерегулярной структурой задержка сигнала ~ . Если технологические нормы снижать пропорционально длине канала L, то Cl ~ L2. Таким образом, при уменьшении длины канала быстродействие также возрастает квадратично. При малых геометрических размерах сформулированнные законы масштабирования не выполняются.

7

Соседние файлы в папке 1. Mos