
- •Часть 1. Мдп транзисторы.
- •1. Структура и основные параметры мдп транзистора
- •2. Влияние параметров транзисторов на характеристики имс
- •1). Коэффициент усиления k.
- •2). Быстродействие.
- •Выводы по разделам 1-2.
- •3. Основные параметры идеализированного транзистора
- •3.1. Пороговое напряжение
- •3.2. Вах мдпт (классическая модель)
- •3.3. Влияние подложки
- •3.4. Законы масштабирования
Какую работу нужно написать?
3.3. Влияние подложки
Согласно соотношению
(3.9) в каждой точке канала пороговое
напряжение VT
зависит от напряжения затвор-канал
.
Это обстоятельство следует учитывать
при интегрировании уравнения (3.12).
В результате для крутой области ВАХ получим:
.
(3. 20)
Таким образом, при увеличении VSB (запирающее напряжение исток-подложка) ток стока ID и VDS S уменьшаются. Подложка действует как второй затвор.
Коэффициент подложки
[B1/2]
характеризует степень влияния подложки на пороговое напряжение и ВАХ.
Он уменьшается при уменьшении толщины диэлектрика (возрастает CS) и при уменьшении концентрации примеси в подложке N.
Физическая причина этого состоит в следующем (рис. 3.6):
Затвор воздействует на канал через емкость
Подложка
оказывает такое же воздействие действует
через емкость ОПЗ
Таким образом, крутизна по подложке снижается при увеличении CS и снижении концентрации примеси в подложке N.
3.4. Законы масштабирования
1). Ток
стока
Согласно уравнениям (3.14)
.
Таким образом,
пропорциональное изменение длины и ширины канала не меняет ВАХ.
2). Пороговое напряжение VT, определенное соотношениями (3.7) зависит от свойств подложки и диэлектрика через параметр
(параметр
зависит от концентрации примеси в
подложке N очень слабо — логарифмически).
Удельня емкость диэлектрика
,
а поверхностная плотность заряда
.
Отсюда сдедует, что пороговое напряжение не изменяется при сохранении постоянными параметров
(т.е. отношение
)
и .
При типичных
значениях
~ 0,03 мкм;
Ф/см2.и
Кл/см2
вклад заряда поверхностных состояний
в пороговое напряжение составляет
30 мВ.
Таким образом, параметр QSS слабо влияет на величиу VT.
3). Коэффициент подложки
[B1/2]
сохраняется при тех же правилах масштабирования, что и VT .
При пропорциональном
уменьшении длины и ширины канала крутизна
не меняется, а емкость CGS
~ L2
. Поэтому
возрастает
квадратично
! При этом В БИС с регулярной структурой
задержка сигнала ~
,
ис уменьшением
длины канала быстродействие возрастает
квадратично. В
БИС с нерегулярной структурой задержка
сигнала ~
.
Если технологические нормы снижать
пропорционально длине канала L, то Cl
~ L2.
Таким образом, при
уменьшении длины канала быстродействие
также возрастает квадратично. При
малых геометрических размерах
сформулированнные законы масштабирования
не выполняются.