Линейная модель мдпт

В малосигнальной эквивалентной схеме нелинейная зависимость тока от трех напряжений между внутренними электродами транзистора линеаризована. Токявляется функцией тех напряжений:

;

Поэтому малое приращение этого тока можно представить в виде:

,

где — крутизна (по затвору);

—выходная проводимость;

—крутизна по подложке.

Все емкости в линейной модели являются константами, величина которых определяется режимом рабрты транзистора по постоянному току.

Линейная эквивалентная схема п-МДПТ представлена на рис. 11.4.

Источники шума

Генераторы тока I_{N RD} ,I_{N RS} , I_{N RG} , I_{N RB} моделируют тепловой шум соответствующих сопротивлений (частный случай диффузионного шума при нормальном распределении носителей заряда по скоростям):

—спектральная плотностьэтого шума [А²/ Гц].

Спектральная плотность теплового шума не зависит от частоты (белый шум).

Генератор тока I_{N d} моделирует шумовой ток канала:

—спектральная плотностьэтого шума.

Первый член в правой части описывает тепловой белый шум [А²/ Гц].

Второй член описывает фликкер-шум. Его спектральная плотность пропорциональна . По умолчанию,,.

Зависимости параметров модели от температуры

Ниже представлены соотношения, описывающие температурные зависимости параметров моделей 1-го и 2-го уровней:

Параметры

ВАХ

диодов

;

;

;

—ширина запрещенной зоны, В ;

—температурный потенциал;

;

Параметры

ВФХ

Емкостей

C_BS, C_BD

;

;

;

;

;

—

параметр порогового напряжения;

—параметр функции ();

Параметры генераторов шума

;

;

Зависимости ,,, ,,соответствуют физическим соотношениям для этих параметров.

Зависимость установлена экспериментальным путем.

Зависимости ,,,— эмпирические.

Зависимость () соответствует зависимости подвижности от температуры: .Эта закономерность справедлива в случае, когда основным механизмом рассеяния носителей в канале является рассеяние на фононах (концентрация примеси не превышает ~ 10¹⁶см^-3).