1). Диоды bs, bd.

, (11.1)

где ;

—фактор неидеальности (по умолчанию ).

Масштабный ток можно задавать двумя способами.

а) С учетом размеров -области истока:

, (11.2)

где — удельный (на единицу площади-области) ток;

— площадь-области истока;

— удельный (на единицу периметра-области) ток;

— периметр-области истока.

б) Непосредственно: .

В этом случае следует в списке параметров задать JS= 0 илиAS= 0.

Аналогично описывается ток диода BD.

2). Ток Idrain .

При (нормальный режим):

(11.3)

Здесь . Параметрзадаетсяпользователем.

В идеализированой модели ВАХ МДПТ описывалась соотношениями

где . Таким образом,физический смысл параметров и:

; (11.4)

. (11.5)

Согласно этой модели в пологой области . В разделе 4 показано, что при коротком канале это не соответствует действительности.

Параметр LAMBDA определяет наклон ВАХ в пологой области (этот наклон считается пропорциональным току). Его смысл иллюстрируется рисунком 11.2.

Таким образом:

;

;

;

При получим ВАХ идеализированного транзистора (штриховая линия):

При (независимо отLAMBDA):.

По экспериментальным данным параметр можно подобрать так, чтобы наклон ВАХ приивыбранном(типичном для работы схемы) значениисоответствовал реальному.

При выходная ВАХ в моделилинейна:

.

По экспериментальным данным параметр можно подобрать так, чтобы наклон ВАХ приивыбранном(типичном для работы схемы) значении(или тока) соответствовал реальному.

При инверсном режиме работы МДПТ () в уравнениях автоматически корректируются знаки.

3). Пороговое напряжение.

В формуле для I_drain. Пороговое напряжение:

.

Здесь — пороговое напряжение при,GAMMAиPHI— параметры, задаваемые пользователем.

В разделе 3 мы получили:

, (3.4)

где— коэффициент подложки. Таким образом, физический смысл параметровGAMMAиPHIопределяется соотношениями:

,.

4). Емкости cbs, cbd.

Емкости C_BS, C_BDможно задавать двумя способами.

а) Непосредственно:;.

б) Как сумму барьерных и диффузионных емкостей рп-переходовс учетом размеров-области истока (при этом по умолчанию):

. (11.6)

ВФХ барьерных емкостей представлены на рис. 11.3.

Первые 2 слагаемых в правой части —барьерные емкости. Параметрыи(площадь и периметр-области истока) определены выше.

и — удельные (на единицу площади и длины периметра-области) емкости при.

Функции иописывают зависимостьC_BS (V_bs):

Верхние части этих формул — классические уравнения для барьерной емкости рп-перехода. При большом прямом напряженииони несправедливы (не выполняется приближение полного обеднения), и используется линейная аппроксимация (нижние части формул), где.

РВ— напряжение инверсии поверхности подложки (по умолчанию 0,8 В);

РВSW— напряжение инверсии боковой поверхностирп-перехода (по умолчанию 0,8 В).

По умолчанию: FC = 0,5;MJ =0,5 (ступенчатый переход),MJSW =0,3.

Последнее слагаемое в (11.6) есть диффузионная емкостьрп-перехода. Она отлична от нуля только при. В данном случае базой является подложка. Ее толщина много больше диффузионной длины электронов, инжектированных из-области. При этом диффузионная емкость:

(11.7)

(отношение времени жизни носителей в подложке к дифференциальному сопротивлениюрп-перехода). По умолчанию= 0.

Аналогично описывается емкость .