Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые приборы

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от Т₁  300 К до Т₂  400 К увеличивается удельная электрическая проводимость в 5,2 раза. Найти ширину запрещенной зоны полупроводника. Используя функцию распределения Ферми-Дирака, получено аналитическое выражение для концентрации электронов проводимости в чистом полупроводнике. Поскольку электропроводность пропорциональна концентрации носителей тока, получаем зависимость удельной электронной проводимости от ширины запрещённой зоны полупроводника и температуры.

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от 400 К до 500 К увеличивается собственная концентрация носителей в 37,5 раза. Определить уровень Ферми, отсчитанный от верхней границы валентной зоны.

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от 550 К до 500 К электрическое сопротивление увеличилось в 5 раз. Определить уровень Ферми для данного полупроводника.

При нагревании чистого беспримесного полупроводника от 400 К до 500 К увеличивается удельная электрическая проводимость в 10 раз. Определить уровень Ферми для данного полупроводника.

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от 273 К увеличивается его удельная электрическая проводимость в 2,7 раза. Найдите значение конечной температуры, если ширина запрещённой зоны полупроводника 0,72 эВ.

При увеличении температуры от 273 К до 283 К собственная концентрация носителей увеличивается в 2,28 раза. Найдите величину ширины запрещённой зоны полупроводника.

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от 800 К увеличивается его электрическое сопротивление в 6 раз. Энергия Ферми 0,7 эВ. Определите величину конечной температуры.

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от 700 К собственная концентрация носителей увеличилась в 10 раз. Энергия запрещённой зоны 0,54 эВ. Найти величину конечной температуры.

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от 290 К до 273 К его электрическое сопротивление увеличилось в 2,45 раза. Определить ширину запрещённой зоны полупроводника.

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от 400 К собственная концентрация носителей увеличилась в 8 раз. Величина энергии запрещённой зоны 0,54 эВ. Найти конечную температуру.

При изменении температуры чистого беспримесного от 500 К удельная электрическая проводимость увеличилась в 27 раз. Уровень энергии Ферми 2,7 эВ. Найти величину конечной температуры.

Начальная температура чистого беспримесного полупроводника 400 К. При охлаждении образца электрическое сопротивление увеличилось в 10 раз. Найти конечную температуру, учитывая,что ширина запрещенной зоны полупроводника 1,1эВ.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 300 К до 310 К. Определить изменение собственной концентрации носителей, если ширина запрещённой зоны полупроводника 1,1 эВ.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 350 К до 400 К. Определить изменение электрического сопротивления, если уровень Ферми, отсчитанный от верхней границы валентной зоны составил 0,6 эВ.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 400 К до 500 К. Ширина запрещённой зоны полупроводника 0,74 эВ. Начальная собственная концентрация носителей 210²³ см^–3. Определить конечную собственную концентрацию носителей.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 400 К до 420 К. Начальная удельная электрическая проводимость 0,9 См/м. Ширина запрещенной зоны полупроводника 1,1 эВ. Найти конечную удельную электрическую проводимость.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 300 К до 310 К. Ширина запрещённой зоны полупроводника 0,3 эВ. Определить во сколько раз изменилось электрическое сопротивление полупроводника.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 273 К до 300 К. Во сколько раз изменилась удельная электронная проводимость, если ширина запрещённой зоны полупроводника 0,74 эВ.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 500 К до 520 К. Начальная собственная концентрация носителей 310²³ см^–3. Ширина запрещённой зоны полупроводника 0,57 эВ. Вычислить конечную собственную концентрацию носителей.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 400 К до 420 К, при этом уровень Ферми для этого полупроводника 2,7 эВ. Во сколько раз изменится собственная концентрация носителей.

При нагревании чистого беспримесного полупроводника от 300 К до 350 К собственная концентрация носителей увеличилась в 20 раз. Найти значение энергетического уровня Ферми.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 300 К до 330К. Уровень энергии Ферми, отсчитанный от верхней границы валентной зоны 0,36 эВ. Начальная электрическая проводимость 0,2 См/м. Определить электрическую проводимость после нагревания.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 500 К до 550 К. При этом удельная электрическая проводимость выросла с 19,2 См/м до 60 См/м. Определить уровень энергии Ферми.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 400 К до 450 К при этом собственная концентрация носителей увеличилась в 7,5 раза. Определить ширину запрещённой зоны полупроводника.

Чистый беспримесный полупроводник нагрели от 350 К до 400 К. Уровень энергии Ферми 0,57 эВ. Как при этом измениться удельная электрическая проводимость.