Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Метод_вк_КП

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
17.05.2015
Размер:
698.53 Кб
Скачать

Функціональний склад ТТЛШ ІС (логічні елементи)

 

 

 

Умовне позначення

533

555К

555КМ

1533

 

 

1533КР

530

530М

531КР

1531

 

1531КР

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С Е Р І Я

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Призначення

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

2

 

3

4

5

6

 

7

8

9

10

11

 

12

 

 

Два ЛЕ 4І – НІ

ЛА1

×

×

×

×

 

×

×

 

 

 

 

 

×

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛЕ 8І – НІ

ЛА2

×

×

×

×

×

×

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І - НІ

ЛА3

×

×

×

×

 

×

×

×

×

 

×

 

×

 

 

Три ЛЕ 3І – НІ

ЛА4

×

×

×

×

 

×

×

×

×

 

×

 

×

 

 

Два ЛЕ 4І - НІ з великим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

коефіцієнтом розгалуження

ЛА6

×

×

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

на виході

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два чотиривходових ЛЕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

І - НІ з відкритим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

колектором і підвищеною

ЛА7

×

×

 

×

 

×

 

 

 

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

навантажувальною

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

здатністю

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І - НІ з

ЛА8

 

 

 

×

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

відкритим колектором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І - НІ з

ЛА9

×

×

×

×

 

×

×

 

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

відкритим колектором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ 3І - НІ з відкри-

ЛА10

×

×

 

 

 

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тим колектором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І - НІ з

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

відкритим колектором і

ЛА11

×

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

підвищеною вхідною

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

напругою

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири буферних ЛЕ 2І-НІ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

з високою наванта-

ЛА12

×

×

×

×

 

 

 

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

жувальною здатністю

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Продовження таблиці Ж.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

2

 

3

4

5

 

6

 

7

 

8

 

9

 

10

 

11

 

12

 

Чотири буферних ЛЕ 2І-НІ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

з відкритим колектором і

ЛА13

×

×

×

×

 

×

 

×

 

 

високою навантажувальною

 

 

 

 

здатністю

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 4І - НІ

ЛА16

 

 

 

 

 

×

 

×

 

 

Два ЛЕ 4І - НІ з трьома

ЛА17

 

 

 

 

 

×

 

×

 

 

станами на виході

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛЕ 12І - НІ з трьома

ЛА19

 

 

 

 

 

 

 

×

 

 

станами на виході

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2АБО - НІ

ЛЕ1

×

×

×

×

×

×

 

×

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ 3АБО - НІ

ЛЕ4

×

×

×

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 5АБО - НІ

ЛЕ7

 

 

 

 

 

 

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І

ЛІ1

×

×

×

×

×

×

×

 

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І з відкритим

ЛІ2

×

×

 

 

×

 

 

 

 

 

колектором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ 3І

ЛІ3

×

×

×

 

×

×

×

×

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ 3І з відкритим

ЛІ4

 

×

×

×

 

 

 

 

 

 

колектором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 4І

ЛІ6

×

×

×

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2АБО

ЛЛ1

×

×

×

 

×

×

 

×

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Шість ЛЕ НІ

ЛН1

×

×

×

×

×

×

×

×

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Шість ЛЕ НІ з відкритим

ЛН2

×

×

×

×

×

×

×

×

 

 

колектором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛЕ 4 - 4І -2АБО - НІ

ЛР4

 

×

 

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛЕ 4 - 2 - 3 - 2І - 4АБО – НІ

ЛР9

 

 

 

 

 

×

×

×

×

×

ЛЕ 4 - 2 - 3 - 2І - 4АБО - НІ

ЛР10

 

 

 

 

 

×

 

×

 

 

з відкритим колектором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ2 - 2І - 2АБО - НІ та

ЛР11

×

×

×

×

×

×

 

×

 

 

2 - 3І - 2АБО - НІ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛЕ 2 - 3 - 3 - 2І - 4АБО - НІ

ЛР13

×

×

×

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Додаток Н

 

 

 

 

 

 

 

 

Схеми на транзисторах МДН-типу складають значну частину

виробів, які випускаються електронною промисловістю. На їх основі будується більшість ІС з великим та середнім ступенем інтеграції. Вони посідають домінуюче положення при створенні таких функціонально завершених вузлів, як постійні та оперативні запам’ятовуючі пристрої, електронні калькулятори і мікропроцесори.

Завдяки високій надійності і великій функціональній складності МДН ІС дозволяють будувати більш дешеву апаратуру. При рівній функціональній складності вони мають менші геометричні розміри на підкладці, ніж біполярні ІС, а технологія їх виготовлення простіша. Основний їх недолік – низька швидкодія. До інших недоліків схем на МДН ІС можна віднести: високий рівень затрат, пов’язаних з їх проектуванням, внесенням змін в процесі розробки, текстовим контролем виробів та їх обгорткою; висока напруга живлення при використанні простих та поширених процесів виготовлення, що ускладнює електричне з´єднання МДН ІС із схемами на біполярних транзисторах.

Не дивлячись на вказані недоліки, МДН ІС є поширеним класом напівпровідникових пристроїв, які в теперешній час забезпечують досягнення найвищого ступеня інтеграції, який характеризується сотнями тисяч компонентів в одному кристалі.

Усю різноманітність логічних МДН ІС та їх складових частин можна розділити на статичні, квазістатичні, динамічні, імпульсні та пасивні.

Таблиця Н.1 – Функціональний склад КМОН ІС (логічні елементи)

 

Умовне позначення

561

561К

564

В564

564К

564Н

1561КР

1564

 

 

 

 

 

С Е Р І Ї

 

 

Призначення

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І - НІ

ЛА7

×

×

×

 

 

×

 

ЛА3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 4І - НІ

ЛА8

×

×

×

 

 

×

 

ЛА1

Три тривходових елемента

ЛА9

×

×

×

×

 

×

×

ЛА4

І– НІ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 2І - НІ з відкритим

ЛА10

 

 

×

 

 

×

×

 

стоковим входом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три тривходових ЛЕ АБО-НІ

ЛЕ10

×

×

×

×

 

×

×

ЛЕ4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири двовходових ЛЕ І

ЛІ2

 

 

 

 

 

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Продовження таблиці И.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Шість ЛЕ НІ з блокуванням

ЛН1

×

×

×

×

×

 

×

 

 

ЛН1

та забороною

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Шість ЛЕ НІ

ЛН2

×

×

×

 

 

 

×

 

 

ЛН1

Шість повторювачів

ЛН3

 

×

 

 

 

 

 

 

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ

ЛП2

×

×

×

×

×

 

×

 

 

 

Виключне АБО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три тривходових

ЛП13

×

×

×

 

 

 

×

 

 

 

мажоритарних ЛЕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири двовходових ЛЕ

ЛП14

 

 

 

 

 

 

 

 

×

 

Виключне АБО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ ЗІАБО

ЛС1

 

 

×

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ І- АБО

ЛС2

×

×

×

×

×

 

×

 

 

ЛС2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблиця И.2 – Функціональний склад ІС 1564 (логічні елементи)

Призначення

 

 

 

 

 

 

 

Умовне

 

 

 

 

 

позначення

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 4І - НІ

 

 

 

 

 

ЛА1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛЕ 8І – НІ

 

 

 

 

 

ЛА2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І - НІ

 

 

 

 

 

ЛА3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ 3І - НІ

 

 

 

 

 

ЛА4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2АБО - НІ

 

 

 

 

 

ЛЕ1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ 3АБО - НІ

 

 

 

 

 

ЛЕ4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 4АБО - НІ

 

 

 

 

 

ЛЕ9

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2І

 

 

 

 

 

ЛІ1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ 3І

 

 

 

 

 

ЛІ3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2АБО

 

 

 

 

 

ЛЛ1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Шість ЛЕ НІ

 

 

 

 

 

ЛН1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири двовходових елементи

 

 

 

 

 

ЛП5

 

 

 

Виключне АБО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 2І - АБО – НІ

 

 

 

 

 

ЛР11

 

 

 

Додаток К

Мікросхеми на основі ЕЗЛ

Мікросхеми ЕЗЛ-типу є надшвидкодіючими схемами на основі

кремнію, які випускаються вітчизняною технологією. Висока швидкодія зумовлена тим, що в цих елементах транзистори працюють в ненасиченому режимі. Зменшення часу затримки поширення досягається також в результаті малого перепаду вхідної напруги, але це зумовлює мале значення завадостійкості. До сучасних цифрових мікросхем ЕЗЛ відносяться ІС 100, К100, 500, К500 та 1500, К1500.

Таблиця К.1

Функціональний склад ЕЗЛ ІС (логічні елементи)

 

Умовне позначення

 

 

Серії

 

 

Функціональне призначення

100

100К

500

500К

1500

1500К

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два логічних елементи 3АБО - НІ

ЛЕ106

×

×

×

×

 

 

та ЛЕ 4АБО – НІ

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ АБО - НІ з потужним

ЛЕ111

×

×

×

×

 

 

виходом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ АБО-НІ з потужним

ЛЕ123

 

×

×

×

 

 

виходом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ АБО-НІ з потужним

 

 

 

 

 

 

 

виходом (швидкодіючі

ЛЕ211

×

×

×

×

 

 

магістральні підсилювачі)

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 2-3АБО-2І/3АБО-2І-НІ

ЛК117

×

×

×

×

×

×

ЛЕ АБО-І/АБО-І-НІ

ЛК118

 

 

 

 

×

×

ЛЕ 3-3-3-4АБО-4І-НІ/3-3-3-

ЛК121

×

×

×

×

 

 

3АБО-4І

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ АБО з потужним

ЛЛ110

×

×

×

×

 

 

виходом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ АБО з потужним вихо-

ЛЛ210

×

×

×

×

 

 

дом та підвищеною швидкодією

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотири ЛЕ 2АБО-НІ/2АБО

ЛМ101

×

×

×

×

×

×

 

 

 

 

 

 

 

 

Три ЛЕ 2АБО-НІ і ЛЕ 2АБО-НІ/

ЛМ102

×

×

×

×

×

×

2АБО

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 2АБО-НІ/2АБО і ЛЕ

ЛМ105

×

×

×

×

 

 

3АБО-НІ/3АБО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Два ЛЕ 5АБО-НІ/5АБО і 4АБО-

ЛМ109

×

×

×

×

×

×

НІ/4АБО

 

 

 

 

 

 

 

Додаток Л

 

 

 

 

 

 

Мікросхеми на основі арсеніду галію

Мікросхеми К6500 представляють собою цифрові схеми надвисокої швидкодії, виконані на основі арсенід-галієвих польових транзисторів з затвором Шотткі.

Мікросхеми К6500 у порівнянні з ІС К500, К1500 мають у 4-6 разів меншу потужність споживання на один ЛЕ і в 3-8 разів більшу частоту перемикання тригера і меншу затримку на ЛЕ.

Мікросхеми К6500 побудовані на основі базових ЛЕ істоковозв’язаної логіки на польових транзисторах з керуючим затвором Шотткі.

Таблиця Л.1 – Склад ІС К6500 та основні параметри

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Споживана

 

 

Час затримки

ІС

 

Призначення

 

потужність

 

розповсюдження

 

 

Вт, не

 

 

 

сигналу, нс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

більше

 

 

 

(не більше)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чотиривходовий ЛЕ з

 

 

 

 

 

 

 

К6500ЛР1

 

 

 

 

 

0,55

 

 

 

0,42

 

 

функцією I=ab+cd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тривходовий ЛЕ з

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

функцією

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К6500ЛР2

 

I=ab+cd

 

 

0,55

 

 

 

0,42

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблиця Л.2 Таблиця істинності ІС К6500ЛР1

 

 

 

 

Номер

 

 

 

 

 

 

 

 

Виводи

 

 

 

 

 

 

такту

 

 

 

 

 

 

 

вхід

 

 

 

вихід

 

 

1

 

2

 

 

3

 

 

4

 

5

 

6

 

 

 

 

 

10

 

 

12

 

 

8

 

14

 

6

 

 

1

 

L

 

 

 

L

 

L

 

L

 

H

 

 

2

 

L

 

 

 

L

 

L

 

H

 

H

 

 

3

 

L

 

 

 

L

 

H

 

L

 

H

 

 

4

 

L

 

 

 

L

 

H

 

H

 

L

 

 

5

 

L

 

 

 

H

 

L

 

L

 

H

 

 

6

 

L

 

 

 

H

 

L

 

H

 

H

 

 

7

 

L

 

 

 

H

 

H

 

L

 

H

 

 

8

 

L

 

 

 

H

 

H

 

H

 

L

 

 

9

 

H

 

 

 

L

 

L

 

L

 

H

 

Продовження таблиці Л. 2

1

2

3

4

5

6

10

H

L

L

H

H

11

H

L

H

L

H

12

H

L

H

H

L

13

H

H

L

L

L

14

H

H

L

H

L

15

H

H

H

L

L

16

H

H

H

H

L

Таблиця істинності ІС К6500ЛР2

Номер

 

Виводи

 

 

вхід

 

вихід

такту

 

 

10

12

14

6

 

1

L

L

L

H

2

L

L

H

H

3

H

L

L

H

4

H

L

H

L

5

L

H

L

L

6

L

H

H

L

7

H

H

L

H

8

H

H

H

L

К6500ЛР1

10

 

&

1

12

 

8

 

&

 

14

 

К6500ЛР2

10

 

&

1

12

 

8

 

&

 

14

 

а) б)

Рисунок 14 – Умовне графічне зображення ІС К6500ЛР1 (а)

та К6500ЛР2 (б)

Додаток М

Схеми тригерних пристроїв

S

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

1

 

&

 

3

&

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D1.1

 

 

D3.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

R

&

2

&

 

 

 

 

 

 

 

D1. 2

 

D3. 2

4

& 7

D2.1

Rd

&

5

&

Q

 

D1. 3

 

D3. 3

 

 

 

 

&

6

&

Q

 

D1. 4

 

D4.1

 

 

 

 

Схема 1

Rd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

1

 

1

 

 

5

 

1

 

 

 

 

Q

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D1.1

 

 

 

 

 

 

D2.1

 

 

 

D2.3

 

 

 

 

D3.2

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

2

 

6

 

 

 

Q

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D1. 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D2.2

4

 

D3.1

 

 

 

 

D3.3

 

 

 

 

 

 

Sd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Схема 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

&

3

 

 

 

 

5

 

1

 

 

 

 

Q

 

 

 

 

 

 

&

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D1.1

 

 

 

 

 

D2.1

D3.1

 

 

 

 

D4.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

&

 

 

 

2

 

 

&

4

 

1

 

 

6

 

1

 

 

 

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D1. 2

 

 

 

 

D2.2

 

D3.2

 

 

 

 

D4.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Схема 3

D

C

D

C

 

1

5

 

 

&

1

&

3 &

6

 

 

&

2

&

&

7

4

 

 

 

 

 

 

Схема 4

 

 

1

 

 

D4.1

 

1

&

D1.1

 

& 2

D1. 2

&

3

&

5

D1. 3

 

D2.1

 

&

 

 

 

D1. 4

4

&

6

 

 

D2. 2

 

Схема 5

 

 

&Q

&Q

D3&. 1 Q

&

Q

D3. 2

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J

 

&

1

 

&

&

5

 

 

 

&

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D1.1

 

D1.3

D2.2

 

 

D3.1

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

K

 

&

2

 

&

 

&

&

 

 

 

 

 

 

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D1.2

 

 

D2.1

4

D2.3

 

 

 

 

D3.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Схема 6

Rd

 

&

&

1

 

 

 

S

&

 

1

 

 

R

 

D1.1

 

 

 

 

 

 

 

D4.1

 

 

 

 

 

 

 

D1.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

&

2

&

 

Q

 

 

&

 

2

&

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D1.3

 

 

 

D1.2

 

 

 

 

D3.1

 

 

 

 

 

 

 

D2.2

 

 

 

C

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

&

3

&

Q

 

 

&

3

&

Q

 

 

 

 

 

D2.3

 

 

 

D3.2

 

D2.1

 

 

 

D1.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

&

 

&

4

 

 

 

D

• •

&

 

4

 

 

 

D4.2

D1.2

 

 

 

 

R

D2.1

 

 

 

 

Sd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Схема 7

 

 

 

 

 

Схема 8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J

&

5

&

1

 

 

 

 

D1.1

 

 

 

 

 

 

 

D2.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

&

2

&

Q

C

 

 

D3.1

 

D1. 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

&

3

&

Q

 

 

 

D3. 2

 

D1. 4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K

&

6

&

4

 

 

 

 

 

D2. 2

 

 

 

 

 

D1. 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Схема 9