- •Курсова робота
- •Анотація
- •1 Аналіз принципу роботи мемрістора
- •1.1 Фізичний принцип роботи мемрістора
- •1.2 Вах Мемрістора
- •1.3 Мемрістор як резистивна пам’ять з довільним доступом
- •1.4 Спінтронний мемрістор
- •1.5 Застосування мемрісторів
- •2 Розрахунок розмірів мемрістора
- •2.1 Лінійна дрейфова модель
- •2.2 Дослідження залежностей робочої частоти мемрістора від його розмірів
- •2.3 Моделювання мемрістора в Matlab
- •Висновки
- •Перелік посилань
- •Додаток а
2.3 Моделювання мемрістора в Matlab
Для моделювання мемрістора було використане середовище Matlab. Код програми поданий в додатку А. Програма по заданих параметрах мемрістора обраховує залежності заряду від індуктивності та напруги від струму, виводячи їх у вигляді графіків(рис. 2.7-2.13). Графіки побудовані для різних частот напруги з амплітудою 1 В. Алгоритм програми наведений на рис. 2.7.
Рисунок 2.7 – Блок-схема алгоритму
q, Кл
Φ, Вб
Рисунок 2.8 – Залежність заряду від магнітного потоку при f=6π
I, A
U, В
Рисунок 2.9 – ВАХ при f=6π
q, Кл
Φ, Вб
Рисунок 2.10 – Залежність заряду від магнітного потоку при f=30π
I, A
U, В
Рисунок 2.11 – ВАХ при f=30π
Φ, Вб
q, Кл
Рисунок 2.12 – Залежність заряду від магнітного потоку при f=60π
I, A
U, В
Рисунок 2.13 – ВАХ при f=60π
Висновки
Показано, що значне збільшення робочої частоти мемрістора (в 3,5 рази) спостерігається при зменшенні товщини активного шару (TiO2) до значень у 1-2 нм при значенні загальної товщини мемрістора в 5-10 нм. За даних умов відбувається збільшення споживаної потужності мемрістора в 1,8 разів.
Виникаючі технологічні обмеження, пов'язані з особливостями формування плівкових покриттів, а також ефекти тунелювання не дозволяють отримати мемрістор з товщиною активного шару 1 нм і загальною товщиною 5 нм. У зв'язку з цим оптимальною структурою мемрістора, експериментально досяжною на даний момент, можна вважати структуру із загальною товщиною в 10 нм і товщиною активного шару в 2 нм.
Перелік посилань
Stephen A. Dyer. A study of memristor. - 2010. - P. 12-16
Елисеев Н. Мемристоры и кроссбары. ЭЛЕКТРОНИКА: Наука.- 2010.
Shadaram A. A One-Memristor Cell Implementation of a Non-Volatile Memory System / A. Shadaram, S. Mirzakuchaki, F. Zakerian // Canadian Journal on Electrical and Electronics Engineering - 2011.- V. 2. - P. 347
Чвырёва А.. Спинтронный мемристор [Электронный ресурс] / А. Чвырёва, Артюхов В. // 30 марта, 2009 г.
Режим доступу: http://www.eternalmind.ru/index.php?option=com_
content&task=view&id=2003&Itemid=2
Храповицкая Ю. В. Моделирование частотных и мощностных характеристик мемристора на основе оксида титана / Ю. В. Храповицкая, Н. Е.Маслова, М. Л. Занавескин, А. Н. Марченков // Наука и образование. – 2012. – С. 295-302.
Додаток а
Matlab код програми
v0=1; % амплітуда вхідної напруги
omega=3; % частота (рад/сек)
MD=1e-14;% швидкість дрейфу
ROFF=16e+3; % опір нелегованого диоксиду титану
RON=100;% опір легованого диоксиду титану
r=ROFF/RON;
D = 10e-9; % довжина мемрістора
w0 = 1e-009; % довжина легованої частини
R0=(RON*(w0/D))+(ROFF*(1-(w0/D)));
q0=(D^2)/(MD*RON);
deltaR=ROFF-RON;
t=0:0.0095:6;
vt=v0*sin(omega*t);% вхідна напруга
flux=v0*(1-cos(omega*t))/omega;% магнітний потік
for n=1:632;
i(n)=(vt(n))/(ROFF*sqrt(1-((2*MD*flux(n))/(r*(D^2))))); % струм
charge(n)=(q0*(1-sqrt(1-((2*flux(n))/(q0*ROFF)))));% заряд
width(n)= 1-sqrt(1-((2*MD*flux(n))/(r*(D^2))));
end
figure(1)
plot(flux,charge);% графік залежності заряду від магнітного потоку
figure(2)
plot (vt,i);% вах