- •4. Литература
- •15. Разевиг, в.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0 / в.Д. Разевиг. – м.: Солон–р, 2000. – 706 с.
- •Теоретический раздел Лекции
- •Тема1. Определение и классификация электронных приборов
- •Тема 2. Физические явления полупроводниковой электроники
- •2.1.3. Температурные свойства p-n-перехода
- •2.1.4. Частотные и импульсные свойства p-n-перехода
- •2.1.5. Переход металлполупроводник
- •Тема 3 Полупроводниковые диоды
- •Тема 4. Биполярные транзисторы
- •2.3. Системы параметров z,y,h.
- •В системе z–параметров напряжения на входе и выходе четырехполюсника зависят от токов ;
- •В этом случае сами параметры можно записать как:
- •3. Работа биполярного транзистора с нагрузкой
- •Тема 5. Полевые транзисторы
- •5. 1 Инженерные модели полевых транзисторов
- •5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •3.2.2. Полевой моп-транзистор с изолированным затвором
- •Тема 6. Переключающие приборы
- •6.2. Триодные тиристоры
- •6.3. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •Тема 7. Элементы интегральных микросхем
- •7.1. Пассивные элементы интегральных микросхем
- •Тема 8. Компоненты оптоэлектроники
- •8.2. Характеристики светодиодов
- •8.3. Основные параметры светодиодов
- •8.4. Полупроводниковые приемники излучения
- •8.5. Фоторезисторы
- •8.6. Характеристики фоторезистора
- •5.7. Параметры фоторезистора
- •5.8. Фотодиоды
- •5.9. Характеристики и параметры фотодиода
- •5.10. Фотоэлементы
- •5.11. Фототранзисторы
- •5.12. Основные характеристики и параметры фототранзисторов
- •5.13. Фототиристоры
- •5.14. Оптопары
- •Тема 10 аналоговые устройства
- •Тема 11. Цепи питания транзисторов в режиме покоя
- •Тема12 . Усилительные каскады
- •12.1. Усилительный каскад с общим эмиттером
- •12.2. Усилительный каскад по схеме с общей базой
- •12.3 . Усилительный каскад с общим коллектором
- •12.4. Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •12.5. Усилители большой мощности
- •Тема 13. Обратные связи в усилителях и генераторах
- •Тема 14. Усилители постоянного тока
- •14.1. Дифференциальные усилители
- •Тема 15.Операционные усилители
- •15.3. Неинвертирующий усилитель на оу
- •3.4.5. Параметры операционных усилителей
- •Тема 16. Электронные ключи
- •16.1. Электронный ключ на биполярном транзисторе
- •16.3. Быстродействующие ключи на биполярном транзисторе
- •16.4. Ключи на полевых транзисторах
- •Тема 17 цифровые логические устройства
- •Тема 18. Триггеры
- •Тема19. Мультивибраторы
- •8.5.1. Симметричный транзисторный мультивибратор
- •Тема 20. Анализ электронных схем на эвм
- •20.1. Математические модели полупроводниковых диодов
- •20.2. Нелинейная модель полупроводникового диода
- •1.3. Алгоритм определения параметров нелинейной модели диода
- •20.3. Математические модели биполярных транзисторов
- •3.2. Модель Эберса – Молла
- •3.3. Малосигнальная физическая т-образная эквивалентная схема
- •3.5. Модель Гуммеля – Пуна
- •3.6. Частотные свойства бт
Тема19. Мультивибраторы
Мультивибратором называется релакционный генератор импульсов почти прямоугольной формы сравнительно большой длительности при небольшой скважности и в схемном отношении представляющим собой двухкаскадный усилитель на резисторах, вход которого соединен с выходом. Мультивибраторы могут работать в трех режимах: автоколебательном, синхронизации и ждущем. В автоколебательном и ждущем режимах мультивибратор работает как генератор с самовозбуждением, а в режиме синхронизации на мультивибратор воздействует синхронизирующее напряжение, в результате чего частота колебаний мультивибратора оказывается равной или кратной частоте синхронизирующего напряжения. В ждущем режиме мультивибратор вырабатывает импульсы только тогда, когда на его вход поступают запускающие импульсы.
8.5.1. Симметричный транзисторный мультивибратор
В приведенной на рис.19.1.а схеме мультивибратора RК1=RК2=RК, Rб1=Rб2=Rб, Сб1=Сб2=Сб, а транзисторы VT1 и VT2 имеют идентичные характеристики. Рассмотрение процессов в этом мультивибраторе, работающем в автоколебательном режиме, начнём с момента, когда транзистор VT1 насыщен, а транзистор VT2 заперт, конденсатор Сб1 разряжен, конденсатор Сб2, заряжен до напряжения – ЕК. С этого момента конденсатор Сб1 начинает заряжаться от источника питания – ЕК, через резистор RК2 и эмиттерный переход насыщенного транзистора VT1 с постоянной времени з = СбRК (рис.8.16.а). А заряженный конденсатор Сб2 перезаряжается под влиянием напряжения – ЕК и напряжения на самом конденсаторе по цепи: + ЕК (корпус), открытый транзистор VT1, конденсатор Сб2, резистор Rб2, (-ЕК) c постоянной времени р = СбRб (рис.8.16.б).
Рис.19.1 Схема транзисторного мультивибратора (а) и временные диаграммы, иллюстрирующие его работу (б)
Потенциал коллектора открытого транзистора VТ1:
UК1 = - (EК - IКН RК) ≈ (0,1..0,2), В,
где IКН - ток насыщения открытого транзистора.
Потенциал коллектора закрытого транзистора VT2:
UК2 ≈ - ЕК,
а потенциал его базы, оставаясь положительным, экспоненциально убывает (рис.8.16.в):
Uб2 = UС1 - UК1 ≈ UС1 = - UК1 + 2UК1 e –t / р
Оценим параметры генерируемых импульсов. Длительность И отрицательного импульса напряжения, формирующегося на коллекторе закрывшегося транзистора можно оценить из условия:
Uб = - UК1 + 2UК1 e – и / р = Uотп ≈ 0,
откуда И = СбRб ln2 ≈ 0,7 СбRб .Активная длительность фронта этого напряжения ф ≈ 3з = 3СбRК. Период колебаний в схеме симметричного мультивибратора Т = 1,4 СбRб.
Временные диаграммы напряжений, действующих в схеме симметричного транзисторного мультивибратора, показаны на рис.8.15.б.Для улучшения формы генерируемых импульсов коллекторную нагрузку в схеме мультивибратора разбивают на две части (рис.8.16.а). Вследствие перезаряда конденсаторов через малое сопротивлениеRКформа генерируемых импульсов значительно улучшается.
Рис.19.2. Эквивалентные схемы заряда конденсатора С1 (а), разряда конденсатора С2 (б) и форма напряжения на конденсаторе С2 (в)
Минимальная величина RКограничивается условием самовозбуждения схемы. Для повышения стабильности частоты генерируемых колебаний в цепи баз транзисторов включают диодыVD1 иVD2 с малым обратным током (рис.19.2.б).При этом токи разряда конденсаторов замыкаются черезRб,а цепь эмиттерного перехода закрытого транзистора оказывается для них практически разомкнутой.