- •4. Литература
- •15. Разевиг, в.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0 / в.Д. Разевиг. – м.: Солон–р, 2000. – 706 с.
- •Теоретический раздел Лекции
- •Тема1. Определение и классификация электронных приборов
- •Тема 2. Физические явления полупроводниковой электроники
- •2.1.3. Температурные свойства p-n-перехода
- •2.1.4. Частотные и импульсные свойства p-n-перехода
- •2.1.5. Переход металлполупроводник
- •Тема 3 Полупроводниковые диоды
- •Тема 4. Биполярные транзисторы
- •2.3. Системы параметров z,y,h.
- •В системе z–параметров напряжения на входе и выходе четырехполюсника зависят от токов ;
- •В этом случае сами параметры можно записать как:
- •3. Работа биполярного транзистора с нагрузкой
- •Тема 5. Полевые транзисторы
- •5. 1 Инженерные модели полевых транзисторов
- •5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •3.2.2. Полевой моп-транзистор с изолированным затвором
- •Тема 6. Переключающие приборы
- •6.2. Триодные тиристоры
- •6.3. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •Тема 7. Элементы интегральных микросхем
- •7.1. Пассивные элементы интегральных микросхем
- •Тема 8. Компоненты оптоэлектроники
- •8.2. Характеристики светодиодов
- •8.3. Основные параметры светодиодов
- •8.4. Полупроводниковые приемники излучения
- •8.5. Фоторезисторы
- •8.6. Характеристики фоторезистора
- •5.7. Параметры фоторезистора
- •5.8. Фотодиоды
- •5.9. Характеристики и параметры фотодиода
- •5.10. Фотоэлементы
- •5.11. Фототранзисторы
- •5.12. Основные характеристики и параметры фототранзисторов
- •5.13. Фототиристоры
- •5.14. Оптопары
- •Тема 10 аналоговые устройства
- •Тема 11. Цепи питания транзисторов в режиме покоя
- •Тема12 . Усилительные каскады
- •12.1. Усилительный каскад с общим эмиттером
- •12.2. Усилительный каскад по схеме с общей базой
- •12.3 . Усилительный каскад с общим коллектором
- •12.4. Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •12.5. Усилители большой мощности
- •Тема 13. Обратные связи в усилителях и генераторах
- •Тема 14. Усилители постоянного тока
- •14.1. Дифференциальные усилители
- •Тема 15.Операционные усилители
- •15.3. Неинвертирующий усилитель на оу
- •3.4.5. Параметры операционных усилителей
- •Тема 16. Электронные ключи
- •16.1. Электронный ключ на биполярном транзисторе
- •16.3. Быстродействующие ключи на биполярном транзисторе
- •16.4. Ключи на полевых транзисторах
- •Тема 17 цифровые логические устройства
- •Тема 18. Триггеры
- •Тема19. Мультивибраторы
- •8.5.1. Симметричный транзисторный мультивибратор
- •Тема 20. Анализ электронных схем на эвм
- •20.1. Математические модели полупроводниковых диодов
- •20.2. Нелинейная модель полупроводникового диода
- •1.3. Алгоритм определения параметров нелинейной модели диода
- •20.3. Математические модели биполярных транзисторов
- •3.2. Модель Эберса – Молла
- •3.3. Малосигнальная физическая т-образная эквивалентная схема
- •3.5. Модель Гуммеля – Пуна
- •3.6. Частотные свойства бт
12.2. Усилительный каскад по схеме с общей базой
Анализ работы усилительного каскада с общей базой по входным и выходным характеристикам проводится аналогично анализу работы каскада с ОЭ. Особенностью работу усилителя с ОБ можно отметить, что при подаче на вход усилителя положительной полуволны входного сигнала ток эмиттера и ток коллектора будут уменьшаться. При этом происходит уменьшение напряжения на Rк и увеличение напряжения Uкб, что приводит к формированию положительной полуволны выходного напряжения Uвых. В следствие этого схема с ОБ , в отличие от схемы с ОЭ, не инвертирует входной сигнал.
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ более линейны, чем в схеме с ОЭ, поэтому нелинейные искажения в каскаде с ОБ меньше, чем в каскаде с ОЭ.
Принципиальная схема усилителя с ОБ по постоянному току полностью эквивалентна рассмотренной ранее схеме с эмиттерной стабилизацией. Отличие состоит в том, что режим ОБ по переменному току в этой схеме реализуется конденсатором Cб. В эквивалентной схеме Сб шунтирует параллельно включенные сопротивления R1 и R2, обозначенные как Rб и, как и для схемы ОЭ, эти элементы можно не учитывать при анализе в области средних частот.
Рис.12.2. Принципиальная и эквивалентная схема усилителя на БТ с ОБ
Из эквивалентной схемы можно получить следующие соотношения :
1) Коэффициент усиления по напряжению определяется как отношение амплитуды выходного сигнала к амплитуде входного сигнала и приводится к виду
. (12.12)
Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОБ существенно зависит от сопротивления нагрузки и внутреннего сопротивления источника сигнала. При и достаточно большомRн коэффициент усиления по напряжению каскада ОБ приближается к величине KU каскада ОЭ. Если же использовать последовательное соединение нескольких каскадов с ОБ, то нагрузкой предыдущего каскада является очень малое входное сопротивление последующего каскада, в связи с этим получить большой коэффициент по напряжению не удается.
2) Входное сопротивление каскада определяется как параллельное соединение Rэ и входного сопротивления транзистора
. (12.13)
Где rвхоб =и определяется , как и ранее из эквивалентной схемы замещения транзистора.
Величина входного сопротивления каскада определяется преимущественно сопротивлением эмиттерной области транзистора rэ и составляет десятки Ом (10…50 Ом).
3)Выходное сопротивление каскада с ОБ определяется как и у каскада с ОЭ сопротивлением резистора Rк. При небольшом его значении ...
(12.14)
и составляет единицы–десятки килоом. Если Rк соизмеримо с rк, то .
4) Коэффициент усиления по току в схеме с ОБ меньше единицы Порядок расчет такой же как в схеме с ОЭ.
Выходной сигнал
. (12.15)
Входной сигнал поступает непосредственно в цепь эмиттера транзистора, поэтому усиление по току меньше единицы и определяется выражением
. (12.16)
Коэффициент частотных искажений для области НЧ в каскаде ОБ определяется влиянием разделительных конденсаторов ,и рассчитывается по тем же формулам, что и для схемы с ОЭ. Общий коэффициент равен[дБ]. Наибольшие частотные искажения вносятся входной цепью ибо, гдеRвых – выходное сопротивление предыдущего каскада.
Коэффициент частотных искажений в области ВЧ определяется как и в схеме ОЭ, и он значительно меньше, чем в каскаде с ОЭ. Каскад с ОБ характеризуется: малым входным сопротивлением (десятки Ом); относительно высоким выходным сопротивлением (единицы–десятки кОм); коэффициентом усиления по току, меньшим единицы; коэффициентом усиления по напряжению, зависящим от сопротивления нагрузки; малыми нелинейными искажениями.