- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Концептуальная диаграмма
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 1структура и свойства твердых тел
- •Равновесное расположение частиц в кристалле
- •Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •Решетки Бравэ
- •Нормальные колебания решетки. Фононы
- •Структура реальных кристаллов
- •Структурозависимые свойства
- •Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 2физические основы квантовой механики
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •Коэффициент прозрачности барьера
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 3элементы статистической физики
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.2. Фермионы и бозоны. Вырожденные и невырожденные коллективы
- •Возможные варианты состояний
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 4элементы зонной теории твердых тел
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.2. Модель Кронига-Пенни
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.5. Зонная структура изоляторов, полупроводников и проводников. Дырки
- •4.6. Примесные уровни
- •Донорные примеси
- •Акцепторные примеси
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5электропроводность твердых тел
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.3. Концентрация носителей и уровень Ферми в полупроводниках
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •Температура сверхпроводящего перехода
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 равновесные и неравновесные носители заряда
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •3 − Экситонное поглощение; 4 − решеточное поглощение;
- •5 − Поглощение свободными носителями
- •2 − Полупроводниковая пленка; 3 − контактные площадки; 4 − защитное покрытие
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.5. Токовые неустойчивости в сильных электрических полях
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n-перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n – переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n – переходе. Светодиоды
- •Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8поверхностные явления в полупроводниках
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •Механизмы электропроводности в диэлектрических пленках
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-д-m – структура
- •Глубина обогащенного слоя [20]
- •Глубина области обеднения
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •1. Диоды с резонансным туннелированием
- •2. Диэлектрические диоды
- •3. Тонкопленочный триод на основе топз
- •4. Транзисторы на горячих электронах
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 перспективы развития микроэлектроники
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •3 А) б) игла островок изолятор затвор исток
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •Алфавитно-Предметный указатель
- •Оглавление
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова, 17
Возможные варианты состояний
Объекты |
Коллективы | |
вырожденный |
невырожденный | |
Классические |
Нет |
Да |
Квантовые |
Да |
Да |
Для решения задачи с полной функцией распределения (3.10) необходимо определить плотность или число состояний.
Эта задача решается в предположении о минимальной ячейке в, так называемом, фазовом пространстве.
Под фазовым пространством понимают шестимерное пространство, где кроме геометрических координат частицу характеризуют составляющие импульса pх, py, pz. В таком пространстве координаты отображают не только геометрическое, но и энергетическое состояние частицы.
Если частица обладает волновыми свойствами и подчиняется соотношениям Гейзенберга, то в фазовом пространстве для нее существует минимальный объем, равный h3. Опуская математические выкладки, приведем решение задачи для числа состояний в фазовом пространстве:
, (3.13)
где V– геометрический объем.
Это и есть число состояний микрочастицы в интервале от ЕдоE+dE. Из выражения (3.13) следует, что плотность состояний в энергетическом интервале описывается функцией
. (3.14)
Согласно постулату Паули, в минимальной энергетической ячейке возможно существование двух фермионов с различными спинами. Тогда правые части (3.13) и (3.14) в случае микрочастиц-фермионов (например, электронов) необходимо удвоить.
3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
Функция распределения для невырожденного коллектива, или функция Максвелла-Больцмана, имеет вид
. (3.15)
Выражение (3.15) здесь приводится без вывода, который приведен, например, в [9].
Из выражения (3.15) видно, что функция распределения зависит от температуры и химического потенциала. Используя условие нормировки функции распределения, можно получить выражение для химического потенциала невырожденного газа:
, (3.16)
где N– число частиц в системе.
Если подставить последнее выражение в (3.15), то получим формулу
. (3.17)
На рис. 3.2 представлены функции распределения (3.15) и (3.17) для различных температур.
Из анализа графиков можно сделать, по крайней мере, два вывода, которые понадобятся нам позднее. Во-первых, функция распределения fMимеет “хвост”, который простирается в область больших энергий. Это означает, что какая-то часть микрочастиц имеет большую энергию, способна выйти из состояния равновесия (п. 1.1) и образовать структурный дефект по Шоттки или по Френелю.
а)б)
Рис. 3.2. Функции распределения Максвелла-Больцмана
Во-вторых, анализ графика (см. рис. 3.2, б) позволяет сделать вывод об увеличении средней энергии микрочастиц при возрастании температуры системы.
В дополнение к сказанному можно привести два полезных соотношения, которые пригодятся нам позднее. Условие невырождения системы в этом случае принимает вид
, (3.18)
где NC–эффективная плотность состояний, приведенная к энергииЕ= 0.
Выражение (3.10) для компоненты скорости υхможно записать в следующем виде:
. (3.19)