- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Концептуальная диаграмма
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 1структура и свойства твердых тел
- •Равновесное расположение частиц в кристалле
- •Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •Решетки Бравэ
- •Нормальные колебания решетки. Фононы
- •Структура реальных кристаллов
- •Структурозависимые свойства
- •Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 2физические основы квантовой механики
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •Коэффициент прозрачности барьера
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 3элементы статистической физики
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.2. Фермионы и бозоны. Вырожденные и невырожденные коллективы
- •Возможные варианты состояний
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 4элементы зонной теории твердых тел
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.2. Модель Кронига-Пенни
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.5. Зонная структура изоляторов, полупроводников и проводников. Дырки
- •4.6. Примесные уровни
- •Донорные примеси
- •Акцепторные примеси
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5электропроводность твердых тел
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.3. Концентрация носителей и уровень Ферми в полупроводниках
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •Температура сверхпроводящего перехода
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 равновесные и неравновесные носители заряда
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •3 − Экситонное поглощение; 4 − решеточное поглощение;
- •5 − Поглощение свободными носителями
- •2 − Полупроводниковая пленка; 3 − контактные площадки; 4 − защитное покрытие
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.5. Токовые неустойчивости в сильных электрических полях
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n-перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n – переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n – переходе. Светодиоды
- •Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8поверхностные явления в полупроводниках
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •Механизмы электропроводности в диэлектрических пленках
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-д-m – структура
- •Глубина обогащенного слоя [20]
- •Глубина области обеднения
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •1. Диоды с резонансным туннелированием
- •2. Диэлектрические диоды
- •3. Тонкопленочный триод на основе топз
- •4. Транзисторы на горячих электронах
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 перспективы развития микроэлектроники
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •3 А) б) игла островок изолятор затвор исток
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •Алфавитно-Предметный указатель
- •Оглавление
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова, 17
3.2. Фермионы и бозоны. Вырожденные и невырожденные коллективы
Как мы уже отмечали, вид функции распределения зависит от особенностей поведения частиц, составляющих коллектив. Все микрочастицы, которые нам встретятся, по характеру поведения можно разделить на две группы: классическиеиквантовые (рис. 3.1).
Рис. 3.1. Классификация микрочастиц
В свою очередь квантовые частицы можно разделить на фермионыибозоны.
К классическим частицам можно отнести молекулы идеального газа. Они подчиняются функции распределения Максвелла-Больцмана.
Фермионы– микрочастицы, обладающие полуцелым спином,ħ/2, 3ħ/2 ... Это электроны, протоны, нейтроны и т.д. К фермионам также относятся ядра, суммарный спин которых является полуцелым. Основной характерной особенностью фермионов является то, что именно к ним (а не только к электронам) применимпостулат запрета Паули(п. 2.7). Фермионы подчиняютсяфункции распределения Ферми-Дирака, чему и обязаны своим названием.
К бозонампринадлежат частицы с целочисленным или нулевым спином: 0,ħ, 2ħ... Это фотоны, фононы, мезоны. На них не только не действует постулат Паули, но чем больше частиц на энергетическом уровне, тем больше вероятность его заселения. Бозоны подчиняютсяфункции распределения Бозе-Эйнштейна.
Особенности квантовых частиц могут влиять на свойства коллектива. Для того чтобы это влияние стало определяющим для коллектива, необходима достаточно высокая плотность частиц в энергетическом пространстве, т.е. вероятность занимать одно или близкие энергетические состояния.
Предположим, что в системе имеется Gразличных энергетических состояний иNчастиц. Мерой энергетической плотности частиц может служить отношениеN/G. Микрочастицы не будут влиять друг на друга, если
. (3.11)
В этом случае число вакантных состояний будет много больше числа микрочастиц: G>>N. В таких условиях особенности фермионов и бозонов не проявляются, поскольку не возникает вопрос о заселении одного состояния несколькими частицами. Такие коллективы называют невырожденными, а неравенство (3.11) – условием невырожденности.
Если же число состояний Gимеет один порядок с числом частицN, т.е. если выполняется условие
, (3.12)
то вопрос о заселении энергетических состояний становится актуальным. В этом случае “характер” частиц проявляется и оказывает значительное влияние на свойства коллектива. Такие коллективы относят к вырожденным, а условие (3.12) называютусловием вырождения.
Понятно, что вопрос о степени вырождения коллектива возникает только в том случае, когда коллектив состоит из квантовомеханических объектов. Параметры таких частиц меняются дискретно (см., например, п. 2.7), и число состояний является ограниченным.
Вспомним, что число состояний есть функция параметров системы, т.е. является величиной переменной. Во многих системах число частиц также может изменяться (например, число электронов в полупроводнике при изменении температуры). Из сказанного следует, что вырожденность не есть категория неизменная и при изменении условий, например, температуры, возможен переход из вырожденного состояния в невырожденное или обратно. Коллектив, состоящий из классических объектов, может находиться только в невырожденном состоянии, поскольку число энергетических уровней здесь не ограничено (табл. 3.1).
Таблица 3.1