- •1.Классический электронный газ. Теория проводимости Друде. Подвижность. Проводимость твёрдых тел.
- •Билет 2. Типы связи в твёрдых телах. Симметрия в кристаллах. Понятие кристаллической сингонии.
- •3. Статистика электронов и дырок. Функции распределения. Плотность квантовых состояний в зоне.
- •Плотность квантовых состояний
- •Функция распределения
- •Вопрос 4 .Уравнение Шредингера для электрона в кристалле. Эффективная масса.
- •5. Обратная решётка. Зоны Бриллюэна
- •6. Образование энергетических зон.
- •7. Квазичастицы в полупроводниках. Закон дисперсии. Понятие дырки. Квазиимпульс. Эффективная масса.
- •8. Квазичастицы в полупроводниках. Понятие дырки
- •9. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
- •Определение положения уровня Ферми
- •10. Механизмы рассеяния электронов и дырок
- •11. Уравнения непр. И Пуассона. Генерация и рекомбинация.
- •Вопрос 12. Диффузионный и дрейфовый токи.
- •13. Эффект поля. Дебаевская длина экранирования.
- •14.Работа выхода в металлах и полупроводниках. Контактная разность потенциалов.
- •15. Полупроводниковые диоды.
- •17.Обеднённая область p-n-перехода. Зависимость её ширины от параметров.
- •18.Барьерная ёмкость p-n-перехода
- •19.Зонная диаграмма неравновесного p-n перехода. Квазиуровни Ферми.
- •20. Вах идеализированного диода.
- •21. Диффузионная емкость p-n перехода.
- •Вопрос 22
- •23. Пробой p-n-перехода
- •24. Биполярные транзисторы
- •25. Зонная диаграмма биполярного транзистора в схеме включения с об. Принцип действия.
- •26. Расчет вах биполярного транзистора. Граничные условия.
- •Вопрос 27
- •28. Процессы в биполярных транзисторах
- •29. Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •30. Биполярный свч – транзистор и его характеристики.
- •31. Полевые транзисторы
- •32.Вольт-фарадная характеристика мдп транзистора.
- •Характеристики мдп в области отсечки
- •34. Эффекты короткого и узкого канала в мдп-транзисторе.
30. Биполярный свч – транзистор и его характеристики.
Применение транзисторов для усиления колебаний СВЧ весьма желательно, так как по сравнению с другими полупроводниковыми и электровакуумными усилительными приборами они имеют меньший уровень собственных шумов, более высокий КПД и низкое напряжение питания. Однако изготовление таких транзисторов представляет собой значительные технологические трудности. В настоящее время разработаны как маломощные, так и мощные биполярные транзисторы из германия, кремния и арсенида галлия для частот в единицы и даже десятки гигагерц. Наилучшие результаты дает изготовление подобных транзисторов по планарной технологии. В частности, так изготовляются кремниевые СВЧ-транзисторы типа п — р — п. Мощные СВЧ-тран-зисторы могут работать при мощности в импульсе до 100 Вт на частоте до 1 ГГц и до 5 —10 Вт на частотах 4 — 5 ГГц и выше.
Транзисторы малой мощности имеют очень малые размеры. Например, на кремниевой пластинке диаметром 40 мм формируется 8000 транзисторов размером 0,4 х 0,4 мм. Подобные транзисторы делаются обычно бескорпусными, и их часто применяют в микросхемах.
Для уменьшения сопротивления базы и вредного эффекта вытеснения тока к краям эмиттера в биполярных транзисторах для СВЧ обычно создают электроды особой конфигурации, при которой эмиттерная область состоит из ряда полосок малой ширины. Такая геометрия электродов особенно необходима для мощных транзисторов, так как при больших токах эффект вытеснения тока особенно сильно выражен. Существует несколько вариантов этих транзисторов. Чаще всего встречается гребенчатая конструкция, в которой эмиттерная область имеет форму гребенки, а контакты эмиттера и базы чередуются друг с другом . Другим вариантом является многоэмиттерная конструкция, в которой используется ряд отдельных эмиттеров в виде полосок (они могут иметь также форму квадратов или кругов). Все эти эмиттеры соединены параллельно металлическим контактным слоем, нанесенным поверх слоя защитной оксидной пленки. Для маломощного транзистора не требуется большая площадь переходов, и он может быть сделан по тому же принципу, но с малым числом полосок (рис. 6-22), длина которых составляет всего лишь 20 — 30 мкм, а ширина — единицы микрометров.
Важное значение для работы транзистора на СВЧ имеет конструкция корпуса и выводов, обеспечивающая минимальное влияние паразитных емкостей и индуктив-ностей. Применяются, в частности, корпуса с полосковыми, а для более высоких частот - с коаксиальными выводами.
Транзисторы оформляют в герметичных корпусах различной конструкции (металлостеклянные, металлокерамические и пластмассовые). Некоторые маломощные транзисторы делают бескорпусными и герметизируют защитными слоями лака и эпоксидной смолы. У транзисторов повышенной мощности с корпусом, как правило, соединяется коллектор, а сам корпус привинчивается к шасси аппаратуры, что улучшает теплоотвод.
Рис. 6-22. Конфигурация электродов СВЧ-транзи-
стора
1 — вывод базы; 2 — вывод эмиттера; 3 - оксидная пленка
