Технология СБИС / sbis / metodi / msb_opk

Очистка поверхности кристаллаОчистка поверхности кристаллаНаиболее критичной стадией, которой подвергается кристалл, является очистка перед монтажом, герметизирующим покрытием и окончательной герметизацией крышки корпуса. Процесс очистки должен быть химически совместим с металлическими слоями на поверхности кристалла. Алюминий имеет очень узкий диапазон величин pH, в котором окисел предохраняет его от коррозии в водном растворе. Реакции коррозии с растворением металла могут происходить как в основном, так и в кислом растворах. При очистке обычно преследуют две цели. Первая - удаление органических частиц, которые могут повлиять на качество соединения; для этого обычно требуются органические растворители. Вторая - удаление ионов, которые вызывают коррозию во время эксплуатации прибора или приводят иногда к накоплению поверхностного заряда. Вода является превосходным растворителем для ионных частиц. Поскольку, по соображениям охраны окружающей среды, использование таких растворителей, как трихлорэтилен, должно сокращаться, часто для удаления органических частиц и ионов используют фреоны.

Несмотря на то что установлены преимущества очистки в кислородной плазме и отмывки водой над очисткой фреоном, последовательный способ очистки, по-видимому, лучше подходит для очистки поверхностей кристалла, который должен помещаться в герметичный корпус с низким содержанием влаги.