- •Курсовая работа
- •2001 Г. Задание на курсовую работу
- •Упрощение заданной функции.
- •Справочные данные и принятые обозначения.
- •Разработка электрической схемы в заданном схемотехническом базисе.
- •Расчет характеристик схемы с помощью программы pspice.
- •Технологический маршрут формирования n-моп транзистора.
- •Выводы по результатам курсовой работы
- •Список используемой литературы :
Выводы по результатам курсовой работы
В данной курсовой работе произведена разработка логического элемента по упрощенной заданной функции. Упрощение было произведено с помощью карт Карно, упрощенная функция приведена к базису И-, ИЛИ-НЕ и имеет вид :
Далее, в соотвествии с упрощением, была составлена электрическая схема, включающая заданную квазилинейную нагрузку- общую для группы переключающих транзисторов. Затем произвели аналитический расчет параметров транзисторов схемы и определили геометрические размеры затворов последних.
Геометрические размеры транзисторов Т3, Т4:
L = 4(мкм).
W = 23,143 24 (мкм).
Геометрические размеры транзисторов Т2:
L = 4(мкм).
W = 11,57 12 (мкм).
Геометрические размеры для нагрузочного транзистора Тн(T1):
W = 4 (мкм),
L = 15.686 16 (мкм).
Электрическая схема, описанная в PSPICE, обсчитывалась для определения статических и динамических параметров схемы.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Логический уровень “0” получился отличным от заданного на 11.25 %.
По полученным геометрическим размерам построена топология логического элемента и вкратце рассказаны основные этапы технологического маршрута изготовления МДП-транзистора с совмещенным поликремниевым затвором, что является главной особенностью данной технологии. Вообще технологический маршрут с Si*- затвором включаетчетыре фотолитографии :
Формирование локальных охранных областей.
Формирование Si*-ого затвора.
Формирование контактных окон.
Металлизация.
В моем случае получился логический элемент с длинной 94 мкм,
шириной 82 мкм и общей площадью 7708 мкм2. Топология разработана по методу -проектирования с учетом всех заданных топологических ограничений и допусков.
Список используемой литературы :
Конспект лекций по микросхемотехнике.
Онацько В. Ф., Основы топологического проектирования.
Алексенко А. Г., Микросхемотехника.
-