Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовые / Курсач 4.doc
Скачиваний:
26
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
1.1 Mб
Скачать

Выводы по результатам курсовой работы

В данной курсовой работе произведена разработка логического элемента по упрощенной заданной функции. Упрощение было произведено с помощью карт Карно, упрощенная функция приведена к базису И-, ИЛИ-НЕ и имеет вид :

Далее, в соотвествии с упрощением, была составлена электрическая схема, включающая заданную квазилинейную нагрузку- общую для группы переключающих транзисторов. Затем произвели аналитический расчет параметров транзисторов схемы и определили геометрические размеры затворов последних.

Геометрические размеры транзисторов T2, Т3, Т4:

L = 3 (мкм).

W = 54 (мкм).

Геометрические размеры для нагрузочного транзистора Тн(T1):

W = 5 (мкм),

L = 2 (мкм).

Электрическая схема, описанная в PSPICE, обсчитывалась для определения статических и динамических параметров схемы.

Логический уровень “0” получился отличным от заданного на 7%.

По полученным геометрическим размерам построена топология логического элемента и вкратце рассказаны основные этапы технологического маршрута изготовления МДП-транзистора с совмещенным алюминиевым затвором, что является главной особенностью данной технологии. Вообще технологический маршрут с Al- затвором включаетчетыре фотолитографии :

  1. Разделительная диффузия.

  2. Формирование областей стока и истока.

  3. Формирование тонкого под затворного окисла.

  4. Формирование защитного окисла и контактных окон.

  5. Металлизация.

В моем случае получился логический элемент с длинной 122 мкм, шириной 74 мкм и общей площадью 9028 мкм2. Топология разработана по методу -проектирования с учетом всех заданных топологических ограничений и допусков.

Список используемой литературы :

  1. Конспект лекций по микросхемотехнике.

  2. Онацько В. Ф., Основы топологического проектирования.

  3. Алексенко А. Г., Микросхемотехника.

- 12-

Соседние файлы в папке Курсовые