Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
4
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
24.58 Кб
Скачать

6(3). Требования к фоторезистам

Процесс литографии предполагает два этапа:

-формирование изображения в актиночувствительном слое;

-перенос изображения на нижележащие слои.

В результате основными характеристиками фоторезистивных пле­нок становятся:

1) светочувствительность - величина, обратно пропорциональная поглощенной световой энергии, необходимой' для изменения свойств материала, т.е. перевода его в нерастворимое (негативный процесс) или растворимое (позитивный процесс) состояние

S=1/Н =1/Et

где S - светочувствительность см2/Вт*с; Н - экспозиция. Вт*с/см2;

E - энергооблученность, Вт/см2;

t - длительность облучения (экспозиции), с.

Светочувствительность влияет на режимы экспонирования и проявления резиста, а также на четкость воспроизведения топологического рисунка;

2)разрешающая способность - число линий равной ширины, разде­ленных промежутками такой же ширины, воспроизводимых на одном миллиметре. Величина, обратная разрешающей способности, называет­ся разрешением и соответствует минимальному размеру, воспроизводи­мому в данном процессе.

Различают разрешающую способность фоторезиста и разрешаю­щую способность фотолитографического процесса. Последняя обычно ниже, что связано с влиянием на эту величину толщины фоторезиста, а также особенностей процесса травления. При толщинах фоторезиста, составляющих доли микрометра, в современных процессах фотолитогра­фии удается достигать разрешающей способности до 2000 линий на мм;

3) кислотоустойчивость - способность выдерживать длительные про­цессы травления, необходимые на втором этапе литографического процесса. Критерием кислотоустойчивости является время, в течение которого резист выдерживает действие травителя, до начала его частичного разрушения, отслаивания или бокового подтравливания на границе с подложкой;

4) адгезия - надежность соединения пленки резиста с поверхностью подложки и способность противостоять проникновению в нее травителя. Критерием ее является время отрыва пленки фоторезиста заданного размера (например 20x20 мкм) от подложки в ламинарном потоке тра­вителя. Ухудшение адгезии фоторезиста приводит к снижению четкости границы между неосвещенными и освещенными участками;

5) технологичность (стабильность свойств, минимальная токсич­ность, простота использования, в частности нанесения и т.д.).

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке 1