_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 1 / 8(3)
.doc8. Технологический процесс фотолитографии. Нанесение фоторезиста. Технологический процесс фотолитографии включает следующие операции (рис):
- подготовку поверхности подложки, - нанесение пленки фоторезиста;
- сушку фоторезиста;
- совмещение и экспонирование;
- проявление рисунка, промывка, сушка; - задубливание;
- травление;
- удаление фоторезиста, химическая очистка поверхности.
Первые три операции направлены на формирование слоя фоторезиста. Следующие три операции имеют своей целью создание рисунка в слое фоторезиста или защитного рельефа для последующего травления. Последние две операции обеспечивают перенос изображения на нижележащие слои и удаление технологической маски (пленки фоторезиста). Рассмотрим основные операции в их технологической последовательности.
фотошаблон
фоторезист
Технологические операции процесса фотолитографии: а - подготовка поверхности пластин; б - нанесение фоторезиста; в - сушка фоторезиста; г - совмещение и экспонирование; д - проявление рисунка, промывка, сушка; е - задубливание фоторезиста; ж - травление; з - удаление фоторезиста, химическая очистка поверхности
Нанесение пленки фоторезиста. Для кристального производства в технологии микроэлектроники применяют жидкие фоторезисты, для приготовления которых используют такие растворители, как диметил-формамид, диоксан и т.п., позволяющие обеспечить равномерное распределение резиста по поверхности подложки и обладающие оптимальной скоростью испарения.
Для нанесения пленок фоторезиста на поверхность подложки используют методы:
- центрифугирования;
- пульверизации;
- окунания в раствор;
- полива и т.д.
Для сухих (или твердых) фоторезистов в производстве печатных плат применяют также метод накатывания.
Наиболее распространен в полупроводниковом производстве метод центрифугирования.
Наиболее перспективным методом нанесения фоторезиста, свободным от недостатков, свойственных центрифугированию, является пульверизация.
Полив и окунание подложек чаще применяют при формировании более толстых пленок фоторезиста, а также при нанесении его одновременно на обе стороны подложки. Основным недостатком этих методов являются большая толщина формируемой плёнки фоторезиста и её неравномерность.
Толщина нанесенной пленки фоторезиста сильно влияет на качество технологического процесса. Чем толще пленка фоторезиста, тем хуже разрешающая способность, с одной стороны, но тем меньше вероятность возникновения сквозных дефектов ("проколов"), с другой.