Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
6
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
30.72 Кб
Скачать

8. Технологический процесс фотолитографии. Нанесение фоторезиста. Технологический процесс фотолитографии включает следующие операции (рис):

- подготовку поверхности подложки, - нанесение пленки фоторезиста;

- сушку фоторезиста;

- совмещение и экспонирование;

- проявление рисунка, промывка, сушка; - задубливание;

- травление;

- удаление фоторезиста, химическая очистка поверхности.

Первые три операции направлены на формирование слоя фоторе­зиста. Следующие три операции имеют своей целью создание рисунка в слое фоторезиста или защитного рельефа для последующего травления. Последние две операции обеспечивают перенос изображения на ниже­лежащие слои и удаление технологической маски (пленки фоторезиста). Рассмотрим основные операции в их технологической последовательности.

фотошаблон

фоторезист

Технологические операции процесса фотолитографии: а - под­готовка поверхности пластин; б - нанесение фоторезиста; в - сушка фото­резиста; г - совмещение и экспонирование; д - проявление рисунка, промывка, сушка; е - задубливание фоторезиста; ж - травление; з - уда­ление фоторезиста, химическая очистка поверхности

Нанесение пленки фоторезиста. Для кристального производства в технологии микроэлектроники применяют жидкие фоторезисты, для приготовления которых используют такие растворители, как диметил-формамид, диоксан и т.п., позволяющие обеспечить равномерное рас­пределение резиста по поверхности подложки и обладающие оптималь­ной скоростью испарения.

Для нанесения пленок фоторезиста на поверхность подложки используют методы:

- центрифугирования;

- пульверизации;

- окунания в раствор;

- полива и т.д.

Для сухих (или твердых) фоторезистов в производстве печатных плат применяют также метод накатывания.

Наиболее распространен в полупроводниковом производстве метод центрифугирования.

Наиболее перспективным методом нанесения фоторезиста, свобод­ным от недостатков, свойственных центрифугированию, является пуль­веризация.

Полив и окунание подложек чаще применяют при формировании более толстых пленок фоторезиста, а также при нанесении его одновре­менно на обе стороны подложки. Основным недостатком этих методов являются большая толщина формируемой плёнки фоторезиста и её неравномерность.

Толщина нанесенной пленки фоторезиста сильно влияет на качест­во технологического процесса. Чем толще пленка фоторезиста, тем хуже разрешающая способность, с одной стороны, но тем меньше вероят­ность возникновения сквозных дефектов ("проколов"), с другой.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке 1