Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
4
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
29.7 Кб
Скачать

9(3). Технологический процесс фотолитографии. Совмещение и экспонирование.

Технологический процесс фотолитографии включает следующие операции (рис):

- подготовку поверхности подложки, - нанесение пленки фоторезиста;

- сушку фоторезиста;

- совмещение и экспонирование;

- проявление рисунка, промывка, сушка; - задубливание;

- травление;

- удаление фоторезиста, химическая очистка поверхности.

Первые три операции направлены на формирование слоя фоторе­зиста. Следующие три операции имеют своей целью создание рисунка в слое фоторезиста или защитного рельефа для последующего травления. Последние две операции обеспечивают перенос изображения на ниже­лежащие слои и удаление технологической маски (пленки фоторезиста). Рассмотрим основные операции в их технологической последовательности.

фотошаблон

фоторезист

Технологические операции процесса фотолитографии: а - под­готовка поверхности пластин; б - нанесение фоторезиста; в - сушка фото­резиста; г - совмещение и экспонирование;

д - проявление рисунка, промывка, сушка; е - задубливание фоторезиста;

ж - травление; з - уда­ление фоторезиста, химическая очистка поверхности.

Совмещение, экспонирование. Многократное повторение процесса фотолитографии в технологических маршрутах изготовления структур ИС требует перед перенесением изображения топологических элементов с оригинала на светочувствительный слой прецизионного совмещения с точностью до десятых долей минимального размера элемента. Такая высокая точность определяет необходимость проведения совмещения и экспонирования на одном рабочем месте, без каких-либо перемещений подложек и шаблона после совмещения.

Существует два способа совмещения фотошаблона и подложки:

- визуальный, выполняемый по контрольным отметкам (фигурам совмещения) при помощи микроскопа с точностью 0,25 - 1 мкм;

- автоматический с использованием фотоэлектронного микроскопа с точностью 0, 1 - 0,3 мкм.

Основным параметром операции экспонирования или освещения пленки фоторезиста через фотошаблон (либо без него) актиничным излуче­нием является экспозиция или количество освещения, падающего на свето­чувствительный материал в единицу времени. Неверно выбранная экспози­ция приводит к искажениям переносимого рисунка, неровности краев топологических элементов.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке 1