
- •Биполярный транзистор
- •1. Структура биполярного транзистора (бт)
- •2. Распределение токов и транзисторный эффект
- •Времена пролета
- •3. Метод Гуммеля-Пуна
- •1) Рекомбинация в базе незначительна, и в стационарном состоянии электронный ток в базе не зависит от координаты х;
- •2) Коэффициент диффузии электронов в базе Dn не зависит от координаты х;
- •3) Дырочный ток в базе мал: .
- •4. Упрощенная модель Гумеля-Пуна
- •5. Полная модель Гумеля-Пуна
- •Механизм учета эффекта Эрли.
- •Механизм учета произвольного уровня инжекции.
- •Сопротивление активной базы
- •Недостаткимодели Гуммеля-Пуна:
1) Рекомбинация в базе незначительна, и в стационарном состоянии электронный ток в базе не зависит от координаты х;
2) Коэффициент диффузии электронов в базе Dn не зависит от координаты х;
3) Дырочный ток в базе мал: .
Все допущения в реальных транзисторах выполнены с высокой точностью.
Согласно допущению 1 div jn =
0. Таким образом, уравнение для тока,
не зависящего отх, является 1-м
интегралом уравнения непрерывности.
Токи электронов и дырок:
,
(3.1)
где SE— площадь эмиттерного перехода (знак «-» связан с тем, что положительное направление токаInна рис. 3.1 противоположно осих).
Напряженность
электрического поля найдем из условия
:
;
.
(3.2)
Подстановка (3.2) в (3.1) дает:
.
Умножив это уравнение на eSE, получим:
.
(3.3)
Это уравнение проинтегруем по всей базе (от х=х1дох=х2на рис. 2.1), учитывая, что согласно принятым допущениямInиDnне зависят отх:
.
В левой части уравнения в скобках — полный заряд дырок в базе
.
(3.4)
В правой части:
;
(эти граничные условия следуют из постоянства квазиуровней Ферми в эмиттерном и коллекторном переходах). Таким образом:
.
Это соотношение можно представить в виде:
,
или:
,
(3.5)
где ,
(3.6а)
,
(3.6б)
,
(3.7а)
,
(3.7б)
,
(3.8)
— (3.9)
равновесный
заряд дырок в базе (при),
;
— (3.10)
электронный тепловой ток эмиттерного перехода(совпадает с электронным тепловым током активной части коллекторного перехода), где
(Соотношение
(3.10) дает и теория
идеализированного транзистора).
Заряды
QB0иQBпоказаны на рис. 3.1. ЗарядQBзависит от двух напряжений —и
.
Поэтому каждый из токовIe1,Iс1также зависитот
двух напряжений.
Распределение токов в БТ (рис. 2.1) и уравнения Гуммеля-Пуна (3.5) – (3.10) позволяют синтезировать модель биполярного транзистора.
4. Упрощенная модель Гумеля-Пуна
В этой модели делаются следующие допущения:
а) уровень инжекции в базе и коллекторе остается низким;
б) не
учитывается модуляция толщины базы
напряжениями
и
(эффект Эрли);
в) не учитываются токи рекомбинации-генерации в р-ппереходах.
При
выполнении 1-х двух допущений заряд
дырок в базе не изменяется под действием
напряжений
и
,
т.к.p(x)
p0 (x) =NB (x),
,
и
:
QB=QB0 , т.е.(4.1)
При условии (4.1) из (3.6а,б) получим:
,
(4.2а)
.
(4.2б)
Каждый из токов Ie1, Iс1также зависит толькоот одного напряжения.
В
пренебрежении токи рекомбинации-генерации
(которые ~
)
оставшиеся составляющие тока базы
зависят от напряжений на переходах так
же, как токиIbe1,
Ibс1
:
;
(4.3а)
;
(4.3б)
;
(4.4)
(4.5)
(допущение о низком уровне инжекции в базе и коллекторе);
(4.6)
(уровне инжекции в эмиттере всегда остается низким).
Распределение токов при сделанных допущениях представлено на рис. 4.1. Из рис. 4.1 и соотношений (4.2) - (4.6) следует, что токи, инжектированные через переходы В-Е и В-С, определяются соотношениями:
;
.
Таким образом, отношения
и
являются постоянными, не зависящими
от режима работы транзистора, и могут
использоваться какпараметрымодели.
Параметрыи
имеют смыслнормального и инверсного
коэффициентов передачи тока.
Два подхода к моделированию БТ иллюстрируются рисунком 4.2.
Рис. 4.2. Два подхода
к моделированию БТ:
а -
Эберса-Молла; б,в – Гуммеля-Пуна
а)
Модель
Эберса-Молла (рис. 4.2а) использует
коэффициенты
и
в качестве параметров. В модели
Гуммеля-Пуна (рис. 4.2б) каждая составляющая
базового тока моделируется отдельным
диодным элементом.
Примечание: в модели Г-П параметры ВF и BR не есть нормальный и инверсный коэффициенты усиления тока базы! Практически ВF, R > 1000.
При
сделанных выше допущениях модели
Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна эквивалентны.
Модель Эберса-Молла очень удобна для
оценочных расчетов, т.к. параметры
и
имеют ясный электротехнический смысл.
Модель Гуммеля-Пуна обладает большей
гибкостью, позволяющей существенно
улучшить ее точность за счет отказа от
ряда принятых допущений.
Например, не представляет трудностей
учет токов рекомбинации-генерации в
р-ппереходах (допущение 3) путем
добавления в цепи база-эмиттер и
база-коллектор диодных элементов с
соответствующими ВАХ (отлтчными от ВАХ
других диодов). То же можно сделать и в
модели Эберса-Молла, однако при этом
параметрыи
потеряют смысл коэффициентов передачи
тока.
Резервы модели Гуммеля-Пуна состоят в возможности учета эффектов высокого уровня инжекции и эффекта Эрли (допущения 1 и 2), что в модели Эберса-Молла принципиально невозможно.