
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
1. Структура биполярного транзистора (БТ)
Сплошные линии — активный транзистор;
штриховые —
пассивный.
Пунктир (NE*) — эффективная концентрация примеси в эмиттере:
Значения результирующей концентрации примеси и толщины слоев — ориентировочные.
Контакт к подложке S через слой разделительной диффузии создается при необходимости.
13. Основные параметры транзистора
1). Коэффициенты передачи тока (нормальные и инверсные)
— (13.1а)
нормальный коэффициент передачи (эмиттерного тока);
— (13.1б)
инверсный коэффициент передачи (коллекторного тока).
Эти определения эквивалентны, если
коэффициенты передачи — константы, не
зависящие от тока эмиттера (коллектора)
и напряжения
(
).
—
(13.2а)
нормальный коэффициент усиления тока базы;
—
(13.2а)
инверсный коэффициент усиления тока базы.
Здесь
— напряжения на эмиттерном и коллекторном
р-п переходах (
— напряжения эмиттер-база, коллектор
база).
,
(13.3)
где
— нормальный и инверсный коэффициенты
переноса,
— эффективности эмиттера и коллектора.
,
(13.4)
где
— электронный и дырочный токи через
эмиттерный переход,
— ток рекомбинации-генерации в эмиттерном
переходе.
.
(13.5)
Аналогично определяются инверсные параметры.
,
(13.6)
где
—
число Гуммеля в базе,
—
эффективное число Гуммеля в эмиттере
(учитывает, что эмиттер является
вырожденным полупроводником).
,
(13.7)
где
— время жизни электронов в базе в
нормальном включении;
— среднее время пролета электронов
через базу в нормальном направлении
(от эмиттера к коллектору).
При
:
— среднее время диффузии электронов
через базу в нормальном направлении.
При экспоненциальном распределении примеси в базе:
,
где
—
фактор поля в базе,
— концентрации примеси в базе на границах
с эмиттерным и коллекторным переходами
(см рис.).