Температурная зависимость коэффициента передачи β связана в первую очередь с возрастанием времени жизни неосновных носителей заряда в базе транзистора с ростом температуры.
Для большинства биполярных транзисторов коэффициент β увеличивается по степенному закону .
Работа транзистора в импульсном режиме
IK EK 
RH
Простейший усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме ОЭ
uвых RН iК
uK RK rвых iК
RК rвых
Схема с ОЭ поворачивает фазу на 180 градусов. Фаза выходного напряжения в схеме с ОБ по отношению к входному не меняется.
Иллюстрация работы усилительного каскада
Линеаризация входных ВАХ в схеме с ОЭ
Линеаризация выходных ВАХ в схеме с ОЭ
U1 f (I1 , I2 ) |
U 2 f (I1 , I2 ) |
Если на постоянные составляющие токов и напряжений наложены достаточно малые сигналы переменного напряжения u или i, то их амплитуды (или действующие значения) можно рассматривать как малые приращения постоянных составляющих.
В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие в качестве выходных, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника.
Это системы r-параметров, g-параметров и h-параметров.
Эквивалентная схема транзистора для системы r-параметров
Система r-параметров
dU1 |
|
U1 |
dI1 |
|
U1 |
dI2 |
u1 r11i1 r12i2 |
|
|
||||||
|
|
I1 |
|
I2 |
|
||
dU |
2 |
|
U 2 |
dI |
1 |
|
U 2 |
dI |
2 |
u |
2 |
r i r i |
|
|
|
||||||||||||
|
|
I1 |
|
|
I2 |
|
|
21 1 |
22 2 |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
Описание r-параметров |
r11 |
u1 |
|i2 0 |
– входное сопротивление транзистора в режиме |
|
i1 |
|
ХХ в выходной цепи. |
r12 |
u1 |
|i 0 |
– сопротивление обратной связи в режиме ХХ во |
|
i2 |
1 |
входной цепи. |
|
|
|
|
r21 |
u2 |
|i2 0 |
– сопротивление прямой передачи сигнала, |
|
i1 |
|
измеренное в режиме ХХ в выходной цепи. |
r22 |
u2 |
|i 0 |
– выходное сопротивление транзистора, |
|
i2 |
1 |
измеренное в режиме ХХ во входной цепи. |
|
|