В npn-транзисторе:
|
D N |
aБ |
L |
|
W |
|
|
W |
1 |
|
D |
pЭ |
N |
aБ |
|
W |
1 |
||||
N 1 |
pЭ |
|
|
|
nБ |
th |
|
ch |
|
1 |
|
|
|
|
|||||||
D |
N |
|
|
L |
|
L |
L |
D N |
|
|
L |
|
|||||||||
|
dЭ |
pЭ |
|
|
|
|
|
dЭ |
|
|
|
||||||||||
|
nБ |
|
|
|
nБ |
|
nБ |
|
|
nБ |
|
|
|
pЭ |
|||||||
|
D |
pК |
N |
aБ |
L |
nБ |
|
W |
|
|
W |
|
1 |
|
D |
pК |
N |
aБ |
|
W |
1 |
||||||||
I 1 |
|
|
|
|
|
th |
|
ch |
|
1 |
|
|
|
|
|
||||||||||||||
D |
|
|
N |
|
|
L |
|
L |
|
L |
|
D |
N |
|
|
|
L |
|
|||||||||||
|
nБ |
dК |
pК |
|
|
|
|
|
|
|
|
dК |
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
nБ |
|
|
nБ |
|
|
n |
|
|
|
pК |
|||||||||||||
Разновидности биполярных транзисторов
•. Транзисторы выпускаются на мощности от 20 мВт до сотен ватт с граничными частотами от 100 кГц до 10 ГГц, с максимально допустимыми напряжениями от единиц до тысяч вольт
итоками от 5 мА до сотен ампер.
•По технологии изготовления транзисторы делятся на сплавные, планарные, диффузионно-сплавные, мезапланарные
иэпитаксиально-планарные.
Разновидности биполярных транзисторов
•Конструктивно биполярные транзисторы оформляются в металлических, металлостеклянных, пластмассовых или керамических корпуса, а также в бескорпусном
исполнении для гибридных интегральных микросхем и транзисторных микросборок. Они подразделяются на: усилительные низкочастотные (с граничной частотой fгр30 МГц), высокочастотные (30 МГц< fгр300 МГц), сверхвысокочастотные (СВЧ) (fгр>300 МГц); усилительные мощные высокочастотные, и СВЧ генераторные, переключательные маломощные и мощные высоковольтные, импульсные высоковольтные универсальные
Конструкция
эпитаксиально-планарного транзистора