Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Презентации Тв эл / 3. Биполярные транзисторы.ppt
Скачиваний:
100
Добавлен:
31.03.2015
Размер:
4.26 Mб
Скачать

Расчёт для схемы с ОЭ

При ХХ на входе iБ 0

iК

 

 

 

uК

iЭ

iЭ iК

rК rЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

iЭ

 

 

 

uК

 

iЭ

 

iЭ 1

 

 

uК

 

 

r r

 

 

 

 

 

 

r

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

Э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

Э

 

Учитывая, что rэ<<rк,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

iЭ

 

 

uК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rК 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rвых uК

uК

 

rК 1

 

rвых

rК* rК 1

iЭ

 

iК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Связь h-параметров биполярного транзистора с дифференциальными параметрами на примере схемы с ОБ

h

u1 |

 

 

– входное

сопротивление при коротком

11

i1

u2

0

замыкании на выходе.

 

 

 

 

Полагая в

эквивалентной

схеме выходное напряжение

Uкб=0 и считая заданным входной ток эмиттера найдем напряжение на входе:

uЭБ iЭ rэ rб iЭ rk rб

rk rб

Учитывая, что rk rб ,

uЭБ iЭ rэ rб iЭ rб

Входное сопротивление:

h11Б uэ iЭ rэ rб iЭ rб rэ rб rб rэ rб 1

iэ

iЭ

Найдем iэ с помощью второго уравнения Кирхгофа для коллекторной цепи, полагая заданным входной ток :

uКБ iк rк rб iэ rк

Коэффициент обратной связи по напряжению при ХХ на входе ( iЭ =0) :

 

h

 

 

 

 

u1

uЭБ

 

iк rб

 

 

 

 

 

rб

 

 

 

rб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rк rб

 

 

 

 

 

 

 

 

12Б

 

i 0

 

 

 

u2

 

uКБ

 

iк

 

 

 

 

rк rб

 

rк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h21Б i2 ik

 

 

 

 

iк

 

iэ rк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i1

 

iэ

 

uКБ 0

 

 

 

 

rк

 

 

rб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

iк

 

 

 

 

 

1

 

 

1

h21Б

iэ rк

 

 

rк

 

h

 

 

 

|

 

 

 

 

iэ rк rб

 

 

 

 

 

 

r r

r

 

 

 

 

 

rк rб

 

 

22

Б

 

 

 

u

к

iэ 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к б

 

к

Сравнение h-параметров для различных схем включения транзистора

Режим с ОБ

h11Б rэ rб 1

h

Б

 

 

rб

 

 

 

rб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

rк rб rк

 

 

 

 

 

 

 

h

 

 

iк

 

|

uк 0

 

rк

 

 

 

 

21Б

 

 

iэ

 

 

 

 

rк rб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h

Б

 

iк

|

iэ 0

 

1

 

1

 

 

 

22

 

uк

 

 

rк rб

 

rк

 

 

 

 

 

 

 

h11э

h12э

h21э

h22Э

Режим с ОЭ

rб rэ 1

rб rк*

1

rк*

Формулы Эберса-Молла

Основной моделью биполярного транзистора считается модель, справедливая для любых токов (как малых, так и больших) и предложенная Дж.Дж. Эберсом и Дж.Л. Моллом в 1954 г., и поэтому носящая их имя.

Эта модель построена на интерпретации работы транзистора как прибора на взаимодействующих pn- переходах для произвольного сигнала. Для примера рассмотрим pnp-транзистор

Схема замещения Эберса-Молла

Расчет модели Эберса- Молла

Продолжение расчета

Окончательные формулы