Входные ВАХ в схеме ОБ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U |
ЭБ |
|
|
|
|
|
W |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
exp |
|
1 |
ch |
1 |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
q DpБ pn0Б |
|
|
|
|
Т |
|
|
|
|
|
|
LpБ |
|
|||||||
jЭ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
W |
|
|
|
|
|
|||
|
LpБ |
|
|
|
|
|
|
|
sh |
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LpБ |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
q D |
n |
p0 |
Э |
|
|
|
UЭБ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
nЭ |
|
exp |
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
LnЭ |
|
|
|
|
|
Т |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
IК |
|
UКБ<0 |
|
IЭ |
IЭ |
||
|
|||
|
|
||
|
IЭ3 |
UКБ=0 |
|
активный режим |
IЭ2 |
|
|
I |
UКБ>0 |
||
|
|||
|
Э1 |
|
|
насыщение |
IЭ=0 |
|
|
|
|
||
отсечка |
-UКБ |
UЭБ |
Выходные ВАХ в схеме ОБ
Входная и выходная ВАХ p-n-p транзистора в схеме ОБ
Уравнения транзистора в схеме ОБ
Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в нормальном режиме
Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в режиме насыщения
Распределение неосновных носителей в базе pnp-транзистора в режиме отсечки
I Б IЭ I К IЭ IЭ IЭ 1
r |
|
dU КБ |
| |
IЭ const |
|
||||
К |
|
dI K |
||
|
|
|
||
С увеличением напряжения на коллекторе ширина базы уменьшается, вследствие чего уменьшается вероятность рекомбинации дырок в базе, и при постоянном токе эмиттера ток дырок, доходящих до коллектора, должен возрастать с повышением напряжения на КП. Поэтому сопротивление коллектора должно уменьшаться.
Усилитель на транзисторе в схеме ОБ
Iк Iэ Iк 0б
т.е. в схеме с ОБ усиление тока отсутствует.
|
|
dIэ |
|
1 |
dIк |
|
1 |
|
r |
|
|||||||
|
|
|
||||||
|
|
|
r |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
||||||
ВХдиф |
|
|
ВЫХдиф |
|
|
|
||
|
dUэб |
|
dUкб |
|
||||
Практически одинаковый ток проходит и через высокое сопротивление и через низкое, вследствие чего в схеме с ОБ имеет место усиление мощности.