Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Презентации Тв эл / 3. Биполярные транзисторы.ppt
Скачиваний:
100
Добавлен:
31.03.2015
Размер:
4.26 Mб
Скачать

Дифференциальные параметры биполярного транзистора

Линеаризация входных ВАХ в схеме с ОЭ

Линеаризация выходных ВАХ в схеме с ОЭ

Дифференциальные параметры биполярного транзистора

 

 

W

1

 

1

 

W

 

2 1

 

 

1

 

W

2

 

сh

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

æ

L

 

 

1

2

 

L

 

 

 

2

 

L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Зависимость коэффициентов α и β от напряжения на коллекторе

* M

dIК |UЭ const

 

 

1

 

dIБ

1

M

 

 

 

 

 

1 U К

Uпр n*

 

 

 

Зависимость коэффициента усиления β от тока эмиттера и напряжения на коллекторе

 

U

ЭБ

 

IЭ0

exp

U

ЭБ

 

 

 

 

 

 

 

 

IЭ IЭ0 exp

N

1

Т

 

 

 

 

1

 

dI

э

 

 

dI

I

Э

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭТТ

 

 

r

Т

 

 

rэ

 

dUэБ

 

dU

ЭБ

 

 

э

I

э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т

 

 

 

Пусть Iэ = 1 мА, Т = 300 К, φТ = 0.026 В, Rэ = 26 Ом.

 

rk dUk |Iэ const

r* Э

 

rБ

 

 

 

Kос

dUk

|Iэ const

 

 

 

 

dIk

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

dUэ

 

Удобство физических параметров заключается в том, что они позволяют наглядно представить влияние конструктивно- технологических параметров транзистора на его эксплуатационные характеристики.

Так, например, уменьшение степени легирования базы или ее толщины должны приводить к росту rб и, соответственно, к увеличению обратной связи в транзисторе.

К недостаткам физических параметров следует отнести то, что их нельзя непосредственно измерить и значения для них получают пересчетом из других параметров.

Температурная зависимость параметров биполярных транзисторов

 

 

 

 

 

 

 

 

Eg

 

 

'

Ea

 

 

 

 

 

exp

 

 

 

 

 

 

exp

 

 

 

 

 

 

 

 

осн

пр

 

0

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kT

 

 

 

 

 

 

 

 

2kT

 

 

rэ I Т I

э э0

Iэ0 q Dnp0Э q Dpn0Б

LW

Сопротивление коллектора в диапазоне от -50 до + 50 С растет, так как для этого диапазона характерно увеличение подвижности носителей (по механизму рассеяния на ионах примеси).

Коэффициент передачи α с ростом температуры увеличивается, что в первую очередь связано с увеличением диффузионной длины дырок.