Добавил:

Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Государственный университет — учебно-научно-производственный комплекс (бывш. ОрелГТУ)

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

.pdf

Скачиваний:

597

Добавлен:

28.03.2015

Размер:

41.31 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 4748 / 4948 49 > Следующая >>>

472			Список литературы
229.Shockley	W. / /	Bell	Syst. Techn. J. 1954. V.33.	P. 799;	Shock-
ley W. -	US	Patent	2,794,917 (1957), приоритет	от 27	января
1953 г.

230. Read W.Т. - US Patent 2,899,652 (1959), приоритет от 24 июня 1954 г.; Read W.Т. 11 Bell Syst. Techn. J. 1958. V. 37. P. 401.

231. Тагер А. С., Вальд-Перлов B.M. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. — М.: Сов. радио, 1968. - 480 с.

232. Тагер А.С., Мельников A.M., Кобельков Г.П., Цебиев A.M. —

Диплом на открытие № 24, приоритет от 27 октября 1959 г.

233. Gilden M.t Hines М.Е. / /				IEEE Trans. Electron Devices. 1966
	V. ED-13. P. 169.
234. Misawa T. / /		IEEE Trans. Electron Devices. 1966. V. ED-13. P. 137.
235.	Misawa T. / /	IEEE Trans. Electron Devices. 1967. V. ED-14. P. 795.
236.	Mishra J.K., Panda A.K.,			Dash G.N. //		IEEE Trans, Electron De-
	vices. 1997. V. ED-44. P. 2143,
237. Scharfetter D.L., Gummel H.K, / /					IEEE Trans. Electron		Devices.
	1969. V. ED-16. P. 64.
238.	Seidel Т.Е. -	US	Patent	3,466,512	(1969), приоритет от		29 мая
	1967 г.
239. Шухостанов А.К. Лавинно-пролетные						диоды. Физика, техноло-
	гия, применение. -		М.: Радио и связь,			1997. - 208 с.

240.		Vassilevski К. V., Zorenko А. V.,Zekentes К. / / Electron. Lett. 2001.
		V. 37. P. 466.
241.		Yuan L., Cooper J.A.,	Melloch M.R.,	WebbK.J. 11 IEEE Electron
		Device Lett. 2001. V. 22. P. 266.
242.		Culshaw B. // Electron. Lett., V. 10. P. 143 (1974).
243.	Ino M., Jshibashi Т.,		Ohmori M. Ц	Electron. Lett. 1976. V. 12.
		P. 148.
244.	Riiegg H. W. / / IEEE		Trans. Electron Devices. 1968. V. ED-15.

P.577.

245.Wright G.Т. // Electron. Lett. 1968. V. 4. P. 543.

246.	ColemanD.J., Sze S.M. / /	Bell Syst. Techn. J. 1971. V. 50. P. 1695.
247.	Sze S.M., Coleman D.J.,	Loya A. // Solid-State Electron. 1971.

V.14. P. 1209.

248.Chu J.L., Persky G., Sze S.M. / / J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 3510.

249.	Weller K.P. / /	RCA Review. 1971.	V. 32. P. 372.
250.	Sjolund A. //	Solid-State Electron.	1973. V. 16. P. 559.
251.	Prager H. J., Chang К.K. N.. Weisbrod S. // Proc. IEEE. 1967. V. 55.

P.586.

252.Кэррол Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах. — М.: Мир,

1972. - 382 с.

253.Аладинский В.К. // ФТП. 1968. Т. 2. С. 617.

254.Nishizawa J., Okabe Т., Okamoto К. - US Patent 3,602,840 (1971),

приоритет от 31 июля 1969 г.

	473 Список	литературы
255.	Nishizawa J., Motoya К. - US Patent 4,745,374 (1988), приоритет
	от 17 июня 1986 г.
256.	Gribnikov Z.S., Vagidov N.Z.,	Mitin V. V., Haddad G.I. / / J. Appl.
	Phys. 2003. V. 93. P. 5435.

257., HvEisele. Haddad G.I // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 1995. V. 43. P. 210.

258. Plotka P., Nishizawa J., Kurabayashi Т., Makabe H. / / IEEE Trans.

Electron Devices. 2003. V. 50. P. 867.

259. Kesan V.P., Neikirk D.P., Blakey P. A. et al. 11 IEEE Trans. Elec-

tron Devices. 1988. V. 35. P. 405.

260. Javalagi S., Reddy V., Gullapalli K., Neikirk D. // Electron, Lett.

1992. V. 28. P. 1699.

261. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. Пер. с англ. — М.: Мир, 1976, — 432 с.

262.Хадсон Р. Инфракрасные системы. Пер. с англ. — М.: Мир, 1972. - 536 с.

263.Аут И., ГенцовД., Герман К. Фотоэлектрические явления. Пер. с нем. - М.: Мир, 1980, - 208 с.

264.Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics. Vol. 98. Contributiobs by R.Dornhaus, G. Nimtz, B.Schllcht. -

Springer	Verlag,		Berlin-Heidelberg-New York-Tokyo,				1983. -
309 p.
265. Kazanskii	A.G.,		Richards P.L., Halter E.E. / /		Appl.	Phys.		Lett.
1977. V.31. P. 496.
266. Petrolf M.D.,		Stapelbroek M.G. -		US Patent	4,568,960 (1986),
приоритет от 23 октября 1980 г.
267. Watson DM.,		Guptill M. Т., Huffman J.E. et al. 11 J. Appl. Phys.
1993. V. 74. P. 4199.
268. Cardozo B.L.,		Haller E.E., Reichertz L.A., Beeman J. W. / /						Appl.
Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 3990.
269. Haller E.E., Beeman J. W. 11 Proc. FIR, Submm, and mm							Detector
Technology Workshop (Monterey, Apr. 2002),					NASA/CP-211408.
2003. paper 2-06.
270. Petroff M.D.,		Stapelbroek M.G., Kleinhans W.A. //				Appl.		Phys.
Lett. 1987. V. 51. P. 406.
271. Levine B.F. / /		J. Appl. Phys. 1993 V. 74. №8, Rl.
272. Coon D.D., Karunasiri R.P.G. / /				Appl. Phys.	Lett.	1984.		V. 45

P.649.

273.Levine B.F., Bethea C.G., ChoiK.K. at al. //Appl. Phys. Lett. 1988

V.53. P. 231.

274.Levine B.F., Bethea C.G., Hasnain G. et al. // Appl. Phys. Lett

1988. V. 53. P, 296,

275. Gunapala S.D., LevineB.F., ChandN.// J. Appl. Phys. 1991. V 70

P. 305.

474 Список литературы


276.	Воробьев Л. Е., Данилов С. И., Зегря Г. Г. и др. Фотоэлектрические
	явления в полупроводниках			и размерно-квантовых структурах. -
	СПб.: Наука, 2001. -		248 с.	Segev М. / / Appl. Phys. Lett. 1997.
277.	Berryman K.W., Lyon S.A.,
	V. 70. P. 1861.
278.	Liu Н С. / /	Opto-Electron. Rev. 2003. V. II. № 1.
279.	Ryzhii V. / /	Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 759.
280.	Bandara S. V., Gunapala S.D., Liu J.K. et al. 11 Appl. Phys. Letl.
	1998. V. 72. P. 2427.
281.	Mii Y.J., Karunasiri R.P.G.,			Wang K.L. et al. 11 Appl. Phys. Lett.
	1990. V. 56. P. 1986.		W.Z., Matsik S.G. et al. // Appl. Phys. Lett.
282.	Perera A.G. U., Shen
	1998. V. 72. P. 1596.			Liu H.C. et al. 11 Appl. Phys. Lett.
283. Perera A.G. U., Matsik S.G.,

2000. V. 77. P. 741.

284. Ehret S., Schneider H., Fleissner J., Koidl P. 11 Appl. Phys. Lett.

1997. V. 71. P. 641.

285.PereraA. G. V., Yuan H. X., Francombe M.H. / / J. Appl. Phys. 1995.

V.77. P. 915.

286.Perera A.G. V., Matsik S. G., Yaldiz B. et al. II Appl. Phys. Lett.

2001. V. 78. P. 2241.

287. Лайнс M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Пер. с англ. — М.: Мир, 1981. — 736 с.

288. Kato К. / / IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 1999. V. 47.

P. 1265.

289.CampbellJ.C., Demiguel S., Ma F. et al. 11 IEEE J. on Selected

Topics in Quantum Electronics. 2004. V. 10. P. 777.

290. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. — M.: Сов. радио, 1971. — 246 с.

291. Chapin D.M., Fuller C.S., Pearson G.L. // J. Appl. Phys. 1954.

V.25. P. 676.

292.Reynolds D.C., Leies G., Antes L.L., Marburger R.E. 11 Phys. Rev.

1954. V. 96. P. 533.
293. Алфёров Ж.И., Андреев B.M., Румянцев В.Д. / /	ФТП. 2004.
Т. 38. С. 937.
294. GreenМ.А., Emery К., King D.L. et al. // Progr. in	Photovoltaics:
Res. and Appl. 2003. V. 11. P. 347.

295.Pietruszko S.M. 11 Opto-Electron. Rev. 2004. V. 12, №7.

296.Вавилов В. С., Крюкова И. В., Чукичев М. В. // ФТТ. 1964. Т. 6.

С.2634.

297. Barnham К, Marques J.L., Hassard J., O'Brien P. // Appl. Phys.

Lett. 2000. V. 76. P. 1197.

298. M.van Sark W.G.J. H., Meijerink A., Schropp R.E. I. etal. // ФТП.

2004. T. 38. C. 1000.

299. Momm H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Изд. 2-е. В 2-х тт. Пер. с англ. — М.: Мир, 1982.

475 Список литературы

300.Pell Е.М. / / J. Appl. Phys. 1960. V. 31. P. 291.

301.Акимов Ю.К., Игнатьев О.В., Калинин А.И., Кушнирук В.Ф.

Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 344 с.

302. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ. - М.: Мир, 1973. - 456 с.

303.van Roosbroeck W., Shockley W. / / Phys. Rev. 1954. V. 94. P. 1558.

304.Берг А., Дин П. Светодиоды. Пер. с англ. — М.: Мир, 1979. —

688 с.

305.	Data in Science and Technology. Semiconductors other than	group
	I V elements and III-V compounds. — Springer Verlag, Berlin,	1992.
306. Landolt - Bornstein Numerical Data and Functional Relationships in
	Science and Technology. N e w Series. Group III. Vol. 22a. — Springer
	Verlag, Berlin, 1987.
307.	Streubel K., Under N.. Wirth R., JaegerA. 11 IEEE J. on Selected
	Topics in Quantum Electronics. 2002. V. 8. P. 321.
308.	Krames M.R., Ochiai-Holcomb M., Hofler G.E. et al. 11 Appl. Phys.
	Lett. 1999. V. 75. P. 2365.
309.	Narukawa J., Narita J., Sakamoto T. et al. // Jap. J. Appl. Phys.
	2006. V. 45. L1084.
310.	Eason D.B., Yu Z., Hughes W.C. et al. // Appl. Phys. Lett.	1995.
	V. 66. P. 115.

311. Алфёров Ж. И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З. и др. / / Письма в

ЖТФ. 1977. Т.З. С. 657.

312. Mueller-Mach RMueller	G O., Krames M.R., Trottier Т. / / IEEE
J. on Selected Topics in Quantum Electronics. 2002. V. 8. P. 339.
313. Tang C.W., VanSlyke S.A. / / Appi. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 913.
314. Юрре Т.А., Рудая ЛИ,	Климова Н.В., Шаманин В В. // ФТП.
2003. Т. 37. С. 835.
315. Adachi С., Baldo М.A.,	Thompson М.Е., Forrest S.R. 11 J. Appl.

Phys. 2001. V. 90. P. 5048.

316. Baldo M.A., Lamansky S., Burrows P.E. et al. / / Appl. Phys. Lett.

1999. V. 75. P. 4.

317.Einstein A. / / Phys. Zs. 1917. V. 18. P. 121.

318.Басов Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю.М. 11 ЖЭТФ. 1959. Т. 37. С. 587;

Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. // УФН. I960.	Т. 72.
С. 161; Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. / / ЖЭТФ.	1961.

Т.40. С. 1879.

319.Hall R.N., Fenner G.E., Kingsley J.D. et al. // Phys. Rev. Lett.

1962. V. 9. P. 366.

320.Nathan M.I., Dumke W. P., Burns G. et al. // Appl. Phys. Lett. 1962.

V.1. P. 62.

321.Quisi T.M., Rediker R.H., Keyes R.J. et al. // Appl. Phys. Lett.

1962. V. 1. P. 91.

322. Елисеев П. Г. 11 Квантов, электрон. 2002. Т. 32. С. 1085.

476			Список литературы
323.	Елисеев	П. Г. Введение в физику		инжекционных	лазеров. — М.:
	Наука,	1983. -	294 с.
324.	Lasher G., Stern F. // Phys. Rev. 1964. V. A133. P. 553.
325.	Алфёров	Ж. И., Казаринов Р.Ф, -		Авт. свид. №	181737 (1975),
	приоритет от 30 марта 1963 г.
326.	Кroeтег И. // Proc. IEEE. 1963. V. 51. P. 1782.
327.	Кейси	XПаниш	М. Лазеры на гетероструктурах. В 2-х тт. Пер.

сангл. — М.: Мир, 1981,

328.Алфёров Ж. И., Андреев В,М., ГарбузовД.З. и др. // ФТП. 1970.

Т. 4. С. 1826,

329.Hayashi I., Panish М.В„ Foy P. W., Sumski S. // Appl. Phys. Lett.

1970. V, 17. P. 109,

330. Lockwood H.F., Kressel H., Sommers H.S., Hawrylo F.Z. // Appl. Phys. Lett. 1970. V. 17, P. 499; Kressel H., Lockwood H.F., Hawry-

lo F.Z. //Appl, Phys, Lett, 1971. V. 18. P. 43.

331. Dupuis R.D., Dapkus P.D., Holonyak N. et al. / / Appl. Phys. Lett.

1978. V. 32. P. 295.

332. Wang C.A., Walpole J.N., Missaggia L.J. et al. / / Appl. Phys. Lett.

1991. V. 58. P. 2208.

333. Faist J., Capasso F., Sivco D.L. et al. // Science. 1994. V. 264.

P.553.

334.Soda H., Iga K., Kitahara C., Suematsu Y. Ц Jap. J. Appl. Phys.

1979. V. 18. P. 2329.

335.Yang G.M., MacDougal M.H., Dapkus P.D. // Electron. Lett. 1995.

V.31. P. 886.

336.	Yang Y.J., Dziura T.G., Wang S. C. //							Appl. Phys. Lett.		1990. V, 56.
337.	P. 1839.						Electron. Lett. 2004. V. 40. P. 872.
337.	Yan C.,	Ning	Y„ Qin L.		et	al. //	Electron. Lett. 2004. V. 40. P. 872.
338.	Асрян	Л. В.,	Сурис	P. A.	11 ФТП. 2004. Т. 38. №3.
339.	Arakawa	Y,	Sakaki	H.	//	Appl,	Phys,	Lett,	1982. V.40. P. 939.
340.	Kapon £., Hwang D.M.,					Bhat R. / /		Phys.	Rev. Lett.	1989. V. 63.

P. 430.

341.Chou S. Т., Cheng K. Y„ Chou L.J., Hsieh K.C. // Appl. Phys. Lett.

1995. V. 66. P. 2220.

342. Goldstein L., Glas F., Marzin J. Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 1985,

V.47. P. 1099.

343.Leonard D., Krishnamurthy M., Reaves C.M. et al. 11 Appl. Phys,

Lett. 1993. V.63, P. 3203.

344. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Bimberg D. // Phys,

Rev. Lett. 1995, V. 75. P. 2968.

345.Леденцов H.H., Устинов B.M., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998.

Т.32. С. 385.

346.Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Егоров А.Ю. и др. // ФТП, 1994.

Т.28. С. 1483.

477 Список литературы

347. Kirstaedter N.. Ledentsov N.N., Grundmann M. et al. // Electron.

Lett. 1994. V. 30. P. 1416.

348. Алфёров Ж. И., Бимберг Д., Егоров А.Ю. и др. // УФН. 1995.

Т. 165. С. 224.

349. Вандышев Ю.В., Днепровский B.C., Климов В.И., Окоро-

ков Д. К. U Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 54. С. 441.

350.Eliseev P.G., Li H.r Stintz A. et al. 11Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77.

P.262.

351.Максимов M.B., Шерняков Ю.М., Крыжановская H.B. и др. //

ФТП. 2004. Т. 38. С. 763.

352.Ckatten A.J., Barnham К. W.J., Buxton B.F. et al. I! ФТП. 2004.

T.38. C. 949.

353.Якимов А. И., Двуреченский А. В., Кириенко В. В. и др. // ФТП.

	2004. Т. 38. С. 1265.
354.	УстиновВ.М. / /	ФТП. 2004. Т. 38. С. 963.
355.	WongH.-S.P / /	IBM J. Res. Develop. 2002. V.46. P. 133.

356.Osburn C.M., Kim I., Han S.K. et al. / / IBM J. Res. Develop. 2002.

V.46. P. 299.

Предметный указатель

^-фотопроводимость,				383		— диодов, 132
^-параметры		транзистора,				— диодов Ганна, 345
179-181						— диодов Шоттки, 92, 97
р-п-переход						— лавинно-пролетных				диодов,
— плавный,		17, 123				366
— резкий, 15, 122						— лавинных фотодиодов, 410
— сверхрезкий,			125			— резонансно-туннельных						дио-
В1В-фотоприемники, 394						дов, 118
DLTS-спектроскопия, 135-139						— светодиодов, 430
HIWIP-фотоприемники, 401						— тиристоров, 231
IGBT, 266						— транзисторов,			114,	145,		165,
MODFET, 299						171,	174,	188, 260,		261
QWIP-фотоприемники, 397						— туннельно-пролетных					диодов,
Амбиполярная диффузия, 23						378
— коэффициент, 23, 36, 43						— туннельных диодов,					79,	118,
Амбиполярный дрейф, 23						133
База						— фотодиодов, 408
— диода, 16, 33, 60						— фоторезисторов, 391, 400
— транзистора,			141,	151,	154,	Варакторы, 125,			135
168, 176						— HBV, 126
Баллистический			перенос,		174,	Варизонные		структуры,			102,
262,	378					107,	108,	170,	173, 264
Барьер Шоттки, 54, 83, 85, 86,						Варикапы, 125, 350
89, 95, 99, 123, 189, 240, 294,						Вольт-ваттовая чувствитель-
296, 299, 300, 308, 318, 326,						ность, 389, 398
368, 405, 408, 414, 424						Время жизни, 21, 22, 28, 39, 83,
— высота, 85-89, 93, 102, 300						129, 132, 135, 152, 183, 189,
— емкость,		123				222, 233, 382, 388, 390, 391,
— определение высоты, 92						398, 403, 420
Барьерная емкость,				106,	119,	— излучательное, 430
121-124, 136, 167, 226, 408,						— определение,			128,	130
413						— фотопроводимости, 391
Биполярные		транзисторы,				Время пролета, 38, 48, 167, 261 г
140-214						390, 408
— с изолированным				затвором		Время релаксации
(IGBT), 266						— импульса, 21,			117,	118, 262
Болометры,		382				-энергии, 21, 262, 336, 345,
						346, 366,		384

Предметный указатель

479

Встроенный заряд в окисле, 54,								—	с	барьером Ш о т т к и ,					8 3 - 9 9 ,
228,	241,		246,	247,	269,		270,			133,	189
272								—	с	накоплением заряда,
Встроенный			потенциал,			13,	89,			133-135
297								—	с проколом, 368
Вторичный пробой, 58, 163, 164								—	с тонкой базой, 25, 33, 99, 132
Вынужденное излучение,						446		—	светодиоды, 4 3 2 - 4 4 5
Высота	барьера Ш о т т к и ,					8 5 - 8 9 ,		—	со структурой р - г - п ,						39 - 44,
93,	102,	300								133,	359,	376,	406,	422
Генерационно-рекомбинационный								—	сплавные,			101
шум, 183,			402					—	точечные,			98

Гетеропереходы, 83, 102-110,		— туннельно-пролетные, 378
126, 152, 153, 156, 170, 298,		—	туннельные, 6 2 - 8 1 ,			117, 133
300, 302, 361, 364, 401, 437,			получение, 76
440, 443, 449		—	умножительные, 126
Глубокие уровни, 28, 29, 36, 74,		Диоды Ганна, 333-361
132, 135, 189, 223, 314, 391		— гибридный режим, 350
Горячие носители, 47, 120, 174,		— режим ОНОЗ, 352
176, 258, 285 - 288, 293, 336		— режим выделения				гармоник,
Дебаевская длина	экранирова-		353
ния, 16, 40, 152		— режим пролета домена, 349
Деградация		— режим пролета			обогащенного
— ЛИЗМОП-структур, 287			слоя, 346
— МОП-транзисторов, 248		— режим с гашением, 351
— барьеров Шоттки, 88		— режим с запаздыванием, 351
— контактов, 103, 206		Дифференциальное сопротивле-
— светодиодов, 436			ние
— солнечных элементов, 420,		— отрицательное,			64, 79, 112,
422			117,	118, 333, 355,		368
— тиристоров, 235		— стабилитрона, 61
— туннельных диодов, 78		Диффузионная длина, 19, 23, 25,
— ячеек РПЗУ, 288			30, 43, 127, 142, 143, 150,
Детекторы ядерных	излучений,		152, 218, 222, 386
423-428		— амбиполярная, 36, 41
Динисторы, 216		Диффузионная емкость, 126
Диоды		Диэлектрическая			проницае•
— QWITT, 379			мость, 14, 98, 105, 255, 278,
— Ганна, см. Диоды Ганна			461
— Рида, 356		Длина		свободного пробега, 47,
— инжекционно-пролетные, 368,			51, 57, 60, 90
376		Доменная неустойчивость, 341
— лавинно-пролетные, 355, 368		Домены электрические, 341, 349
— обращенные, 81-82		Дробовой шум, 182, 308, 330,
— опорные, 60			401
— резонансно-туннельные,		Емкостная спектроскопия, 123
115-120, 379		Емкость

480	Предметный указатель 480

— барьера Шоттки, 123 -барьерная, 106, 119, 121-124,

136, 167, 226, 408, 413

—диффузионная, 126 Загонка примеси, 198, 204 Закон

—Мотта, 38

—сохранения импульса, 68, 428 Запаздывание

—лавинное, 355, 362

—пролетное, 355, 362

Затвор, 249

— плавающий, 285, 286, 289-292, 321, 330

Избыточные токи, 74-77, 117 Избыточный шум, 182, 309, 411 Излучательная рекомбинация,

428

— темп, 430 Изоляция

—окисная. 205, 207, 271, 272

—с помощью р-п-перехода, 207,

249

Изолланарный процесс, 208 Иммерсионная литография. 195 Инверсная населенность, 447 Инжекционно-пролетные диоды,

368, 376 Инжекционные лазеры, 445-460

— V C S E L , 455

—квантово-каскадные, 454 Инжекция

—в р-п-переходе, 20, 25, 449

—в гетеропереходе, 107, 153, 156, 170

—высокий уровень, 33, 39, 43,

222

Интегральные схемы

— п-МОП, 271-279

-И 2 Л , 200, 210-214

— КМОП, 279-285

-Т Т Л , 189, 209, 214

—ТТЛШ, 190, 214

—ЭСЛ, 214

Ионная имплантация, 89, 101, 198, 205, 212, 248, 258,

270-272, 279, 280, 282, 292, 299, 319, 367

— метод РШ, 201 Ионная литография, 196 Исток, 249

КМОП-структуры, 279-285, 325

— эффект защелкивания, 281 Каналирование, 198 Квазиуровень Ферми, 21, 30,

139, 447 Квантовые нити, 112, 456-458

Квантовые точки, 112, 291, 400, 421, 442, 456, 457, 459, 460 Квантовые ямы, 110, 299, 300,

397, 437, 457 Квантовый выход

—люминесценции, 421, 432

—светодиода, 435-437, 439

—фотоионизации, 383, 385, 390 Коллектор, 141 Контакт

—металл-полупроводник, 84

—омический, 99-103

—точечный, 80, 98

Контактная разность потенциалов, 13, 18, 25. 36, 41, 104, 123, 162, 170, 304, 419

Коэффициент

—амбиполярной диффузии, 23, 36, 43, 386

—вывода света. 438, 439

—инжекции эмиттера, 150, 153. 155, 173, 221

—качества, 59, 368

—оптического ограничения. 448, 452, 458

—переноса через базу, 154, 221

—поглощения, 381, 385, 388. 392, 394, 395.412,430

—собирания носителей, 143, 147

—ударной ионизации, 47, 51, 120, 358. 361, 363, 410,411

—умножения, 50. 220, 411

Предметный указатель

481

—усиления транзистора, 142, 144, 148, 151, 152, 154. 155, 158, 176, 177

—усиления фототока, 390

—шума, 186, 302, 348, 361, 376 Критерий Крёмера, 341, 346, 349 Крутизна вольт-амперной харак-

теристики, 252, 254, 258

ЛИЗМОП-структуры, 248, 286 Лавинно-пролетные диоды, 355,

368 Лавинные фотодиоды, 53, 120,

410-414 Лавинный пробой, 45, 57, 160,

217, 230, 285, 355, 356, 364 Лазерный отжиг, 200 Лазеры, 446 Литография, 192 Люминесценция, 428 МНОП-структуры, 293

МОП-транзисторы, 240,

2 4 9 - 2 6 6, 308, 309, 320, 321

Максвелловское время релакса-

ции, 38, 98, 133, 353

— дифференциальное, 340 Максимальная рабочая темпера-

тура р-п-перехода, 25 Максимальная частота генера-

ции, 118, 168, 171, 172

Междолинное рассеяние, 172,

175, 338, 345, 346

Междолинный перенос, 333, 341 Меза-структура, 148, 354, 367 Микроплазмы, 55, 62 Мини-зона, 113, 399 Модель

—Андерсона, 103

—термоэлектронной эмиссии,

—управления зарядом, 250 Напряжение

—Эрли, 160

—пороговое, 245, 248, 250, 256, 258, 269-271, 273, 286, 288

—пробоя, 44, 59, 160, 161, 217, 265

— прокола, 162, 217, 369 Напряженный кремний, 263 Непараболичность, 67, 68, 338

Обедненный слой,			II, 13, 29, 85
-толщина,		15, 17, 18, 55,		89,
121,	136,	162,	167, 244,	294,
295, 297. 369, 424
Область безопасной работы,				164
Область	пространственного			за-
ряда, см^ Обедненный слой
Обнаружительная			способность,
403

Обращенные диоды, 81-82 Оже-рекомбинация, 39, 152, 222,

391, 426 Окисная изоляция, см^ Изоля-

ция окисная Омические контакты, 99-103

— гетеропереходные, 101 Оптотиристоры, 235, 432 Оптроны, 410, 432 Охранные кольца, 53, 99. 230 ПЗС, 311-331. 428

— с объемным каналом, 316-318 Плазменное легирование. 201 Плазменное травление, 202-203,

205, 209, 266 Плазмоны, 175

Планарная технология, 147, 191-209, 271, 456

Поверхностная рекомбинация, см. Рекомбинация поверхностная

Поверхностные состояния, 86, 99, 183, 239, 248, 309, 314-316

Поверхностный пробой. 54, 228 Поглощение света

—в полосе остаточных лучей, 384

—коэффициент, см. Коэффициент поглощения

—на свободных носителях, 383, 401

—примесное, 383

—собственное, 382

Ifi Л И ПоЛоЛАО

<<< < Предыдущая 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 4748 / 4948 49 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

#
23.11.2019203.78 Кб2Лабораторная работа№5.doc
#
17.11.2019603.65 Кб10Лабораторные работы 3-4.DOC
#
05.09.2019200.19 Кб2Лабораторные работы по геодезии Воробьев(1).doc
#
21.11.2018387.58 Кб7Лабораторные работы по геодезии Воробьев.doc
#
09.11.2019606.21 Кб12ЛАБОРАТОРНЫЕ физиолого-биохим основы зерна.doc
#
28.03.201541.31 Mб597Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов.pdf
#
28.03.20153.35 Mб226Лек. ПО КОНДИТ.doc
#
18.09.2019297.04 Кб6Лекции 1 курс 2 семестр.rtf
#
20.04.2019812.03 Кб50лекции все для А.Д. 11.doc
#
19.09.2019288.26 Кб42Лекции для 11-ГД Делопр-во.doc
#
21.09.201989.13 Кб32Лекции КЭАХД (1 семестр).docx