Добавил:

Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Государственный университет — учебно-научно-производственный комплекс (бывш. ОрелГТУ)

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

.pdf

Скачиваний:

752

Добавлен:

28.03.2015

Размер:

41.31 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 4647 / 4947 48 49 > Следующая >>>

462	Приложение

Та б л и ц а 2. Некоторые физические свойства полупроводников, используемых при производстве полупроводниковых приборов

( Т = 300 К) [306]

Материал			fl, CM2 / B - c		Е		Парам, решетки,
							я
		эВ*	Pn				А
		Полупроводники с решеткой типа алмаза
С		5,47 (0	2800	2100	5,7		3,567
Si		1,12(0	1450	500	11.7		5,431
Ge		0,661 (0	3900	1900	16,2		5,658
		Полупроводники с решеткой сфалерита
GaAs		1,424 (d)	9200	400	13,2		5,653
InAs		0,354 (d)	33000	450	15,1		6,058
AlAs		2,15(0	280	200	10,1		5,660
GaP		2,27 (0	160	140	11,1		5,451
InP		1 >34 {d)	5000	150	12,5		5,869
AIP		2,45 (0	—	—	9,8		5,464

AlSb		1,61(0	900	400	12,0		6,136
GaSb		0,726 {d)	2500	680	15,7		6,096
InSb		0,17 (d)	77000	850	16,8		6,479
ZnS		3,68 (d)	165	10-15	8.1		5,410
ZnSe		2,70 (d)	600	30	9,1		5,668
ZnTe		2,28 {d)	330	100	9,7-10,1		6,104
CdTe		1,49 (d)	1050	60	10,4		6,481
		Полупроводники с решеткой вюрцита
GaN		3,39 (d)	440	200	(9,5,	10,4)	(3,189, 5,178)
A1N		6,2 {d)	300	14	8,5-9,1		(3,112, 4,982)
SiC	(4H)	3,23 (0	850	120	—		(3,073,	10,053)

SiC	(6H)	2,86 (0	400	100	(9,7,	10,0)	(3,081,	15,117)
CdS		2,55 (d)	330	50	(8,7,	9,5)	(4,137,	6,716)
CdSe		1.75(d)	900	50	(9,3,	10,2)	(4,300,	7,011)
ZnO		3.36(d)	150		(7,8,	8,8)	(3,250,	5,207)
		Полупроводники с решеткой каменной соли
PbS		0.41(d)	600	700	170		5,936
PbSe		0,29 (d)	1000	1000	250		6,124
РЫе		0,32 (d)	1700	840	400		6,460
*Символ в скобках означает: d — прямозонный, i —							непрямозонный полу-
проводник.

Список литературы

1. Бонч-Бруевич				В. Л.,	Калашников		С. Г. Физика		полупроводников.
	Изд. 2-е. -		М.: Наука,			1990. - 688 с.
2.	Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых								приборов. — М.:
	Наука,	1965. -		448 с.
3.	Shockley W. / /			Bell Syst. Techn. J.			1949. V. 28. P. 435.
4.	Shockley W., Read W.T. / / Phys. Rev. 1952. V. 87, P. 835.
5.	Hall R.N. / /		Phys. Rev.			1952. V. 87. P. 387.
6.	Sah СЛ., Noyce R.N.. Shockley						W. //	Proc.	IRE.	1957.	V. 45.
	P. 1228.
7. Гаман		В. И.	Физика			полупроводниковых приборов.				—	Томск:
	Изд-во НТЛ, 2000. -				426 с.			П.М.,	Лейдерман		А.Ю.
8 .	Адирович	Э.И.,		Карагеоргий-Алкалаев
	Токи двойной инжекции в полупроводниках. — М.: Сов. радио,
	1978. -	320 с.

9.Стафеев В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. С. 1631.

10.Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.

Пер, с англ, — М.: Мир, 1977. — 564 с.

11. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. Пер. с англ, — Л.: Энергоатомиздат, 1986. — 248 с.

12. Davies L. W. // Nature. 1962. V. 194, № 4830. P. 762.

13.Hall R.N. // Proc. IRE. 1952. V.40. 1512.

14.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х томах. 2-е изд.

Пер. с англ. — М.: Мир, 1984.

15.	Pearsall Т.P., CapassoF., Nahory R.E. et al. / / Solid-State	Elec-
	tron. 1978. V. 21. P. 297.
16.Lee C.A., Logan R.A., Batdorf R.L. et al. // Phys. Rev. A		1964.
	V. 134. P. 761.
17.	Shockley W. // Czech. J. Phys. 1961. V. Bll. P.81.

18.Baraff G.A. // Phys. Rev. 1962. V. 128. P. 2507.

19.Miller S.L. 11 Phys. Rev. 1955. V. 99. P. 1234.

20.McKay K.G. / / Phys. Rev. 1954. V. 94. P. 877.

21.Miller S.L. / / Phys. Rev. 1957. V. 105. P. 1246.

22. ChynowethA. G., McKay K. G. / / Phys. Rev. 1956. V. 102. P. 369.

23. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М.	Квантовая механика. Нерелятивист-
ская теория. — М.: Наука,	1989. — 768 с.

24.ChynowethA. G., McKay К. G. Ц Phys. Rev. 1957. V. 106. P. 418.

25.Zener С. / / Proc. Roy. Soc. (London), A 1934. V. 145. P. 523.

464		Список	литературы
26. Хоровиц П., Хилл		У. Искусство схемотехники. В 3-х тт. Пер. с
	англ. - М.: Мир,	1993.
27.	Esaki L. // Phys. Rev. 1958. V. 109, P. 603.
28.	Fowler R. H., Nordheim L. II		Proc. Roy, Soc. (London). A 1928.
	V. 119. P. 173.
29.	Houston W.V. // Phys. Rev. 1940. V. 57. P. 184.

30.Келдыш Л.В. // ЖЭТФ. 1957. Т. 33. С. 994.

31.Price P.J., Radcliffe J.M. // IBM J. Res. Develop. 1959. V. 3. P. 364.

32.Kane E.O. // J. Phys. Chem. Solids. 1960. V. 12. P. 181.

33. Kane E. O. / / J. Appl. Phys. 1961, V. 32. P. 83.


34.	Иванчик И. И. / /		ФТТ . 1961. Т. 3. С.			103.
35.	Бонч-Бруевич	В.Д.,		Серебренников П.С. //				Радиотехн. и		элек-
	трон. 1961. Т. 6. С. 2041.
36.	Серебренников П.С. //				Радиотехн. и электрон,				1962. V. 7. Р. 536,
37.	Бонч-Бруевич	B.JI.,		Серебренников П.С. //				Радиотехн. и		элек-
	трон. 1963, Т. 8. С, 1002.
38.	Туннельные	диоды		и их применение			в схемах переключения
	и в устройствах		СВЧ		диапазона	/	Пер,	с	англ. (под	ред.

А. А.Визеля). — М.: Сов. радио, 1965. — 184 с.

39.Ансельм A.M. Введение в теорию полупроводников. — М.: Наука,

1978. - 616 с.

40.Туннельные явления в твердых телах / (Сб. под ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста). Пер. с англ. — М.: Мир, 1973. — 421 с.

41.Brockhouse B.N., Iyengar Р.К. // Phys. Rev. 1958. V. 111. P. 747.

42.Holonyak N.. Lesk I.A., Hall R.N. et al. // Phys. Rev. Lett. 1959.

V. 3. P. 167.	Kinder L.R., Wong T.M., Meservey R. 11 Phys. Rev.
43. Moodera IS.,
Lett. 1995. V. 74. P. 3273.
44. Pearton S.l,	Overberg M.E., Thaler G.T. et al. 11Phys. Stat. Solidi

(a). 2003. V. 195. P. 222.

45.lansen R. / / J. Phys. D. 2003. V. 36. R289.

46.Yajima Т., Esaki L. // J. Phys. Soc. Jap. 1958. V. 13. P. 1281.

47. Chynoweth A G., Feldmann W.L., Logan R.A. // Phys. Rev. 1961.

V. 121. P. 684.

48.Туннельные диоды (физические основы работы). — М.: Наука,

1966. - 142 с.

49.Ван дер Зил А. Шум. Источники, описание, измерение. Пер. с англ. — М.: Сов. радио, 1973. — 229 с.

50.Burrus С. А. Ц J. Appl. Phys. 1961, V. 32. P. 1031.

51.	Kartovsky I / /	Solid-State Electron.	1967. V. 10. P. 1109.
52.	Handbook on	Semiconductors. Vol.	4. / Device Physics (ed. by
	C.Hilsum). -	North-Holland Publishing Co., 1981. - 970 p.

53.Braun F. // Ann. Phys. Chem. 1874. V. 153. P. 556.

54.Schottky W. U Naturwiss. 1938. V. 26. P. 843.

55. Mott N.F. II Proc. Cambr. PhiJos. Soc. 1938. V. 34. P. 568.

465 Список литературы

56. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. Пер. с англ. —

М. : Радио и связь, 1982. — 208 с.

57.Милне А., ФойхтД. Гетеропереходы и переходы металл-полупро-

	водник. Пер. с англ. — М . : М и р , 1975. — 432 с.
58	. Технология	С Б И С . / Под	ред. С. Зи. Пер. с англ. В 2-х кн. — М . :
	М и р , 1986.
59	. Bardeen J. // Phys. Rev.		1947. V . 71. P. 717.
60	. Гамм И: / /	Ж Э Т Ф . 1933. Т . 3. Р. 34.
61	. Benzer S. //	Phys. Rev. 1947. V . 71. P. 141.

62. Де Грааф X. Использование поликристаллического	кремния	в
технологии изготовления интегральных схем. В сб.: Поликристал-
лические полупроводники. Физические свойства и применения		/
Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. — М . : М и р . 1989. —	244 с.
63. Shockley W. И Phys. Rev. 1939. V . 56. P. 317.

64.Bethe H.A. / / M I T Radiat. Lab. Report. 1942. 43-12.

65.Давыдов Б. // Ж Э Т Ф . 1939. V . 9 . P. 451.

66.Heine V. // Phys. Rev. 1965. V . 138. A1689 .

67.	Crowell C.R., Sze S.M. / /	Solid-State Electron. 1966.	V . 9 . P.	1035.
68.	Padovani F.A., Stratton	R. // Solid-State Electron.	1966.	V . 9.
	P. 695 .

69. Шур M. С.		Современные приборы на основе арсенида галлия. Пер.
	с англ . -	М . : М и р , 1991.		- 632 с.
70.	Stall RWood		С.Е.С., Board К., Eastman L.F. // Electron.		Lett.
	1979. V . 15. P. 800.
71.	Shockley W. -		U S Patent	2,569,347 (1951), приоритет от 26	июня
	1948 г.

72.Губанов А.И. // ЖТФ. 1950. Т. 20. С. 1287; ЖТФ. 1951. Т.21.

С. 304; Ж Т Ф . 1952. Т . 22. С. 729.

73.ИоффеА.В. Ц Ж Т Ф . 1948. Т . 18. № 1 С . 4 9 8 .

74.Крёмер Г. Критический обзор теории гетеропереходов. В сб.:

Молекулярно-лучевая эпитаксия	и	гетероструктуры /	Под ред.
Л . Ч е н г а и К . П л о г а . Пер. с англ.	—	М . : М и р , 1989. —	274 с.

75. Harrison W.A., Kraut Е.А., Waldrop J.R., GrantR. W. / / Phys. Rev.

B. 1978. V . 18. P. 4402.

76.Kroemer H. / / Proc. IRE . 1957. V . 4 5 . P. 1535.

77.Воробьев JI. E., Ивченко Е.Л., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А. Оп-

	тические свойства наноструктур. — СПб.: Наука, 2001. — 188 с.
78	. Андронов А.А.,	НефедовИМ., Соснин А.В. Ц Ф Т П . 2003. Т . 37.
	C . 3 7 8 .
79	. Келдыш Л.В. //	Ф Т Т . 1962. Т . 4. С. 2265.

80. Шик А.Я. И Ф Т П . 1974. Т . 8. С. 1841.

81.Силин А. П. // УФН. 1985. Т. 147. С. 485.

82.Esaki L., Tsu R. Ц I B M J. Res. Develop. 1970. V . 14. P. 61.

83. Херман M. — Полупроводниковые сверхрешетки. Пер. с англ. — М . : М и р , 1989. - 240 с.

466 Список литературы

84. Ю П., Кардана М. Основы физики полупроводников. — М . : Физматлит, 2002. - 560 с.

85. Pfeiffer L., West К. W., Stormer Н. L., Baldwin К. W. / / Appl. Phys.

Lett. 1989. V . 55. P. 1888.

86. Dingle R.,			Stormer H.L.,		Gossard A.C.,	Wiegmann W. 11 Appl.
	Phys. Lett.		1978. V . 3 3 . P. 665.
87.	Шур	M.C.	Физика полупроводниковых			приборов. В 2-х	томах.
	Пер. с англ. — М . : М и р , 1992.
88	. ПожелаЮ. Физика быстродействующих					транзисторов. —	Виль-
	нюс: Мокслас, 1989. — 264 с.
89	. Davis R.H., Hosack Н.Н. / /				J. Appl. Phys.	1963. V. 34. Pt. 1. P. 864.
90	. Иогансен Л.В. / /			Ж Э Т Ф .	1963. Т . 45. С. 207; Ж Э Т Ф . 1964. Т . 47.
	С. 270.
91	. Бом	Д. Квантовая теория. Пер. с англ. —				М . : Физматлит, 1961. —
	728 с.
92	. Tsu R., Esaki L. / /			Appl . Phys. Lett. 1973. V . 22. P. 562.
93	. Sollner T.C.L.G.,			Goodhue W.D., Tannenwald P.E. et al. / /			Appl.

Phys. Lett. 1983. V. 43. P. 588.

94. Brown E.R., Soderstrom J R., Parker C D. el al. / / Appl. Phys. Lett.

1991. V . 58. P. 2291.

95. Broekaert T.P.E., Lee W., Fonstad C.G. / / Appl. Phys. Lett. 1988.

V. 53. P. 1545.

96. Brown E.R., Sollner T.C.L.G., Parker C.D. et al. 11 Appl . Phys.

Lett. 1989. V. 55. P. 1777.

97. Chin R., Holonyak N., Stillman G.E. et al. / /

Electron. Lett. 1980.

V. 16. P. 467.

98. Берман Л. С. Введение

в физику

варикапов. —

JT.: Наука, 1968. —

180 с.

99. Chattopadhyay G., Schlecht Е.,

Ward IS.

al. / /

IEEE

Trans.

Microwave Theory Techn. 2004. V . 52. P. 1538.

100. Kollberg E., Rydberg А. / /

Electron. Lett. 1989. V. 25.

P. 1696,

101 .Milique

Maestrini A.,

Lheurette E. et

at.

11 I E E E - M T T

Int.

Microwave Symposium (Anaheim, 1999).

102. НосовЮ. P. Физические основы работы полупроводникового

диода

в импульсном режиме. —

М . : Наука, 1968. —

263 с.

103. Еремин С.А., Мокеев

O.K., Носов

Ю.Р. Полупроводниковые

ди-

оды с накоплением заряда и их применение. —

М . : Сов.

радио,

1966, -

152 с.

104. Moll J.L., Krakauer S.t

Shen R. / /

Proc. IRE.

1962. V. 50. P. 43.

105. РожковА.В.,

Козлов В. A.

/ / Ф Т П . 2003. Т. 37.

С. 1477.

106.Williams R. / / J. Appl. Phys. 1966. V. 37. P. 3411.

107.Lang D. V. 11J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 3023.

108. Вавилов В. С., Кекелидзе Н. П., СмирновЛ. С. Действие излучений

на полупроводники. — М . : Наука, 1988, — 192 с.

467 Список литературы

109.Bardeen J., Brattain W.H. // Phys. Rev. 1948. V. 74. P. 230; Brat-

tain W.H., Bardeen J. / / Phys. Rev. 1948. V. 74. P. 231; BardeenJ.,

Brattain W.H. - US Patent 2524035 (1950), приоритет от 17 июня

1948 г.
110. Shockley W., Sparks M , Teal G.K. //	Phys. Rev.	1951.	V. 83.
P. 151.
111. Lanyon H. P.D., Tuft R.A. / / IEEE Trans. Electron		Devices.	1979.
V. ED-26. P. 1014.
112. Cazarre A., TasselliJ., Marty A. et al. //	Electron. Lett. 1985. V. 21.

P. 1124.

113.Early J. M. U Proc. IRE. 1952. V.40. P. 1401.

114.Schafft HA. // Proc. IEEE. 1967. V. 55. P. 1272.

115.Daw A.N., MitraR.N., Choudhury N.K.D. //Solid-State Electron.

1967. V. 10. P. 359.

116. Knepper R. W., Gaur S.P., Chang F.-Y., Srinivasan G.R. // IBM J.

Res. Develop. 1985. V.29. P. 218.

117. Kirk С.T. // IRE Trans. Electron Devices. 1962. V. ED-9. P. 164. Ш. Hafez W., Lai J.-W., Feng M. / / IEEE Electron Device Lett. 2003.

V. 24. P. 436.

119.Hafez W., Feng M. 11 Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 152101.

120. Hafez W., Lai J.-W., Feng M. //			IEEE Electron Device Lett.	2003.
	V. 24. P. 292.		Pitts O.J., Watkins S.P. / /
121. Dvorak M.W., Bolognesi C.R.,			Pitts O.J., Watkins S.P. / /	IEEE
	Electron	Device Lett. 2001. V. 22. P. 361.
122.	Lee Q. -	P h . D , Thesis, Univ.	of California, Santa Barbara,	June
	1999.
123.	Chen Y.K., Levi A.F.L, Nottenburg R.N. et al. / / Appl. Phys.			Lett.

1989. V. 55. P. 1789.

124.Martin D.D., Stratton R. // Solid-State Electron. 1966. V. 9. P. 237.

125.Rieh J.S., Jagannathan В., Chen H., Schonenberg K.T. et al. //

IEDM Tech. Digest. 2002. P. 771.
126. Dunn IS., Ahlgren D.C., DvCoolbaugh D. et al. //		IBM J. Res.
Develop. 2003. V. 47. P. 101.
127. Борблик В. Л., Грибников З.С. //	ФТП. Т. 22. С. 1537.
128. Heiblum М., Flschetti М. V. / / I B M	J. Res. Develop.	1990. V. 34.

P. 530.

129.Mead C.A. 11 Proc. IRE. 1960. V . 48. P. 359.

130.Heiblum M., Anderson I.M., Knoedler C.M. 11 Appl. Phys. Lett.

	1986, V. 49. P. 207.
131.	Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Пер.				с
	нем, -	М . : М и р , 1983. -	512 с.
132.	Васильев Д. В., ВитолъМ.Р., Горшенков Ю.Г. и др. Радиотехни-
	ческие цепи и сигналы, —		М . : Радио и связь,	1982. — 528 с.
133. Букингем М. Ш у м ы в электронных приборах				и системах. Пер,	с
	англ. -	М . : М и р , 1986. -	398 с.

468	Список литературы

134.Van Vliet К.М. / / Proc. IRE. 1958. V.46. P. 1004.

135.Ржаное А. В. Электронные процессы на поверхности полупровод-

ников. — М.: Наука, 1971. — 480 с.

136.Аналоговые и цифровые интегральные схемы / Под ред. С.В.Якубовского. — М.: Сов. радио, 1979. — 336с.

137.Kilby J.S. - US Patent 3,138,743 (1964), приоритет от 6 февраля

1959 г.

138. Noyce R.N. - US Patent 2,981,877 (1961), приооитет от 30 июля 1959 г.

139.Моро У. Микролитография. В 2-х ч. Пер с англ. — М.: Мир, 1990.

140.Shaw J.M., Gelorme J.D., LaBianca N.C. et al. // IBM J. Res.

Develop. 1997. V.41. P. 81.

141. Сугано Т., Икома Т., Такэцси Ё. Введение в микроэлектронику. Пер. с яп. - М.: Мир, 1988. 320с.

142. Березин А.С., Мочалкина О. Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. — М.: Радио и связь, 1983. — 232 с.

143. Пичугин И. Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. — М.: Высшая школа, 1984. — 288 с.

144. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. Пер. с нем. М., Наука, 1983, 360 с.

145. Ohl R. - US	Patent 2,750,541 (1956), приоритет от 31 января
1950 г.; Ohl R. / / Bell Syst, Techn. J. 1952. V.31. P. 104.
146. Бредов M.M.,	Комарова Р.Ф., Регель A. P. / / ДАН СССР. 1954.

Т. 99. С 69.

147.Cussins W.D. / / Proc. Phys. Soc. 1955. V. B68. P. 213.

148.Shockley W. - US Patent 2,787,564 (1957), приоритет от 28 октяб-

ря 1954 г.

149.Alvager Т., Hansen N.J. 11 Rev. Sci. Instrum . 1962. V . 33. P. 567.

150.Гусев B.M., Титов В. В., Гусева М.И., Куринный В. И. // ФТТ.

1965. Т. 7. С. 2077.
151. King W.J., Burrill J.Т., Harrison S. et al. / / Nucl .	Instr. Methods.
1965. V. 38. P. 178.
152. Двуреченский А. В., Качурин Г. А., Нидаев E.B.,	Смирнов Jl. С.

Импульсный о т ж и г полупроводниковых материалов. — М . : Наука, 1982. - 208 с.

153.	ConradJ.R., Radtke J.L., Dodd R.A. et al. 11 J. Appl. Phys. 1987,
	V . 62. P. 4591.
154.	Chu P.K.	/ / Ptasma Phys. Control. Fusion. 2003. V. 45. P. 555.
155.	Случинская И. А. Основы материаловедения		и технологии полу-
	проводников. - М . : М И Ф И , 2002. - 378 с.
156.	ФерриД., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника		ультрабольших ин-
	тегральных схем. Пер. с англ. — М . : М и р , 1991. —			328 с,
157. Шагурин И. И., Петросянц К.О. Проектирование				цифровых мик-
	росхем на элементах инжекционной логики. — М.: Радио и связь,
	1984. -	231 с.

469 Список литературы

158. Washio К., Kondo М., Ohue Е. et al. / / I EDM Tech. Digest. 1999.

P.557.

159.Moll J.L., Tanenbaum M., Goldey J.M., Holonyak N. 11 Proc. IRE.

1956. V. 44. P. 1174.

160. Блихер А. Физика тиристоров. Пер. с англ. — Л.: Энергоиздат, 1981. - 264 с.

161. Евсеев Ю. А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств. М.: Энергия, 1978. —

192с.

162.Герлах В. Тиристоры. Пер. с нем. М.: Энергоатомиздат, 1985. —

327с.

163.Воронин П. А. Силовые полупроводниковые ключи. Семейства, ха-

рактеристики, применение. — М.: Додэка-ХХ1, 2001. — 384 с.

164.Aldrich R. W.r Holonyak N. // J. Appl. Phys. 1959. V. 30. P. 1819.

165.Легирование полупроводников методом ядерных реакций / Под

ред. Л.С. Смирнова. — Новосибирск: Наука, 1981. — 182 с.

166.	Cleland/. W., Lark-Horovitz К., Pigg J.С. // Phys. Rev. 1950. V. 78.
	P. 814.
167.	Gentry F.E., Scace R.I., Flowers J.K. Ц Proc. IEEE. 1965. V. 53.

P.355.

168.Lilienfeld J. E. - US Patent 1,745,175 (1930), приоритет от 8 октяб-

ря 1926 г.; Lilienfeld IE. - US Patent 1,900,018 (1933), приоритет от 28 марта 1928 г.

169.Shockley W., Pearson G.L. / / Phys. Rev. 1948. V. 74. P. 232.

170.Kahng D., Alalia M.M. // Solid-State Device Research Conf., Pitts-

burg, June 1960; Kahng D. - US Patent 3,102,230 (1963),	приори-
тет от 31 мая 1960 г.; Alalia M.M. - US Patent 3,056,888	(1962),
приоритет от 17 августа 1960 г.

171.Dacey G.C., Ross LM. Ц Proc. IRE. 1953. V.41. P.970.

172.Mead C.A. // Proc. IEEE. 1966. V. 54. P. 307.

173. Lee K., Choi J.-S., Sim 5.-P., Kim C.-K. / / IEEE Trans. Electron Devices. 1991. V. ED-38. P. 1905.

174.ThompsonS., Packan P., Bohr M. // Intel Technology J. 1998. № 3.

P.1.

175.Buchanan D.A. / / IBM J. Res. Develop. 1999. V. 43. P. 245.

176.Lucovsky G. Ц IBM J. Res. Develop. 1999. V. 43. P. 301.

177. Gusev E.P., Lu H.-C.,,Garfunkel E.L. et al. / / IBM J. Res. Develop.

1999. V. 43. P. 265.

178.	Kang L., Lee B.H., Qi W.-J.. et al. / /		IEEE Electron Device Lett.
	2000. V. 21. P. 181.
179. Doyle В., Arghavani R.,		Barlage D. et	al. //	Intel	Technology	J.
	2002. V. 6, № 2. P. 42.
180.	Thompson S., Alavi M.f	Hussein M. et al. //		Intel	Technology	J.
	2002. V. 6, № 2. P. 5.
181.	Taur Y. 11 IBM J. Res. Develop. 2002. V. 46. P. 213.

470	Список литературы

182.Ruch J.G. И IEEE Trans. Electron Devices. 1972. V. ED-19. P. 652.

183.Abstreiter G., Brugger H., Wolf T. et al. // Phys. Rev. Lett. 1985.

V.54. P. 2441.

184.Ismail K, Nelson S.F., ChuJ.0., Meyerson B.S. // Appl. Phys. Lett.

1993. V.63. P. 660.

185. Rim K., Hoyt J.L., GibbonsIF. // IEEE Trans. Electron Devices.

2000. V. ED-47. P. 1406.

186. Lochtefeld A., Djomehri /./., Samudra G., Antoniadls D.A. // IBM

J. Res, Develop. 2002, V. 46. P. 347.

187.Dennard R.H. - US Patent 3,387,286 (1968), приоритет от 14 июля

1967 г.

188. AdlerE„ DeBrosseJ.К., GeisslerS.F. et al. // IBM J, Res. Develop.

1995. V. 39. P. 167.

189. Mandelman J. A., Dennard R.H., Bronner G.B. et al // IBM J. Res.

Develop. 2002. V, 46. P. 187.

190. WanlassF.M. - US Patent 3,356,858 (1967), приоритет от 18 июня

1963 г,

191. Izumi К., Doken М., Ariyoski И. // Electron. Lett. 1978. V. 14.

P. 593,

192.Shahidi G.G. // IBM J . Res. Develop. 2002. V. 46. P. 121.

193.Ning Т.Н. Ц IBM J. Res. Develop. 2002. V.46. P. 181.

194.Kahng D., Sze S.M. 11 Bell Syst. Techn. J. 1967. V.46. P. 1288; Kahng D. - US Patent 3,500,142 (1970), приоритет от 5 июня

	1967 г.
195.	Frohman-Bentchkowsky D. // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18. P. 332;
	Solid-State Electron. 1974. V. 17. P. 517.
196.	Bez R., Camerlenghi E., Modelli A., Visconti A. / /	Proc.	IEEE.
	2003. V. 91. P. 489.
197.	Masuoka F., Asano M., Iwahashi H., Komuro T. //	IEDM	Techn.

Digest. 1984. P. 464.

198.deBlauwe J. // IEEE Trans. Nanotechnol. 2002. V. 1, P. 72.

199.Tiwari S., Rana F., Hanafi H. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V, 68.

P.1377.

200.Dimitrakis P., Kapetanakis E., Tsoukalas D. et al. // Solid-State

	Electron. 2004, V. 48. P. 1511.
201.	Banks G.J. // US Patent 5,218,569 (1993), приоритет от 8 февраля
	1991 г.		Lincoln A. J.,	Pao H.C. et al. // IEDM-1967,
202.	R. Wegener H.A.,		Lincoln A. J.,	Pao H.C. et al. // IEDM-1967,
	Abstracts,	p. 58;	R. Wegener H.A. -		US Patent 3,590,337 (1971),
	приоритет	от 14	октября 1968	г.;	Frohman-Bentchkowsky D. Ц

Proc, IEEE, 1970. V, 58. P. 1207.

203. Kahng D., Sundburg W.J., Boutin D.M., Ligenza J.R. 11 Bell Syst.

Techn. J. 1974. V. 53, P. 1723.

204.Shockley W. 11 Proc. IRE. 1952. V. 40. P. 1365.

205.Hooper W.W., Lehrer W.l. 11 Proc. IEEE. 1967, V. 55, P. 1237.

471 Список литературы

206.	Mimura Т., Hiyamizu S., Fujii Т., Nanbu К. //	Jap. J. Appl. Phys.
	1980. V. 19. L225.
207.	Skealy J.R., Kaper V., Tilak V. et al. // J. Phys.: Condens. Matter.
	2002. V. 14. P. 3499.
208.	Yamashita Y., Endoh A., Shinohara K. et al. / / IEEE Electron
	Device Letters. 2002. V. 23. P. 573.	W. // Appl. Phys.
209.	Zeng A., Jackson M.K., van Hove M., DeRaedt	W. // Appl. Phys.
	Lett. 1995. V. 67. P. 262.

210.ZuleegR., Hinkle V.O. // Proc. IEEE. 1964. V. 52. 1245; TesznerS., Gicquel R. Ц Proc. IEEE. 1964. V. 52. 1502; Nishizawa J., Terasa-

ki Т., Shibata J. 11 IEEE Trans. Electron Devices. 1975. V. ED-22.

P. 185.

211.Bozler C.O., Alley G.D. // Proc. IEEE. 1982. V, 70. P. 46.

212. Секен К.,	ТомпсетM. Приборы	с переносом	з а р я д а .	Пер. с ан-
гл. - М . : М и р , 1978. - 327 с.
213. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Полупроводниковые			приборы	с зарядо-
вой связью . М., Сов. радио, 1976,		144 с; НосовЮ.Р., Шилин В.А.
О с н о в ы физики работы приборов с зарядовой с в я з ь ю . — М.: Нау-
ка, 1986. -	318 с.

214.Boyle W.S., Smith G.E. // Bell Syst. Techn. J . 1970. V. 49. P. 587.

215.Boyle W.S., Smith G.E. - US Patent 3,792,322 (1974), приоритет

от 19 апреля 1973 г.
216. Барб Д.Ф., Кэмпана С. — В сб.:				Достижения в технике передачи
и в о с п р о и з в е д е н и я		и з о б р а ж е н и й .		Т. 3. Под ред. Б.Кейзана. Пер.
с англ. -	М.: Мир,	1980. -	С. 180-305.
217. Пресс Ф. П. Ф о т о ч у в с т в и т е л ь н ы е				приборы с зарядовой связью. —
М . : Р а д и о	и связь,	1991. —	2 6 4 с.


218.	Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. —
	М.: Сов. радио, 1975. - 288 с.
219.	Ridley В.К.,	Watkins Т.В. / / Proc. Phys. Soc. 1961. V. 78. P. 293.
220.	Hilsum C. / /	Proc. IRE. 1962. V. 50. P. 185.
221.	Gunn J.B. 11 Solid State Commun.		1963. V. 1. P. 88; Gunn J.B. //
	IBM J. Res. Develop. 1964. V. 8.		P. 141; Gunn J.B. - US Patent

3,365,583 (1968), приоритет от 12 июня 1964 г.

222.Kroemer Н. / / Proc. IEEE. 1964. V. 52. P. 1736.

223.Alekseev E., Pavlidis D. 11 Solid-State Electron. 2000. V. 44. P. 941.

224. HauserJ.R., Glisson Т.Н., Littlejohn M.A. / / Solid-State Electron.

1979. V. 22. P. 487.

225. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная элек-

трическая неустойчивость в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. - 414 с.

226.Copeland J. А. // Proc. IEEE. 1966. V. 54. P. 1479; CopelandJ. A. //

J.Appl. Phys. 1967. V. 38. P. 3096.

227.Eisele H. // Electron. Lett. 1998. V.34. P. 2412.

228.Llewellyn F.B., Bowen A.E. // Bell Syst. Techn. J. 1939. V. 18.

P.280.

<<< < Предыдущая 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 4647 / 4947 48 49 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

#
17.11.2019603.65 Кб14Лабораторные работы 3-4.DOC
#
05.09.2019200.19 Кб6Лабораторные работы по геодезии Воробьев(1).doc
#
21.11.2018387.58 Кб8Лабораторные работы по геодезии Воробьев.doc
#
09.11.2019606.21 Кб15ЛАБОРАТОРНЫЕ физиолого-биохим основы зерна.doc
#
01.04.20252.87 Mб1ЛабРаб.docx
#
28.03.201541.31 Mб752Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов.pdf
#
01.05.2025179.2 Кб0Лек 15 КОНКУРЕНТОСПОСОБНОСТЬ ТОВАРА.doc
#
28.03.20153.35 Mб279Лек. ПО КОНДИТ.doc
#
18.09.2019297.04 Кб9Лекции 1 курс 2 семестр.rtf
#
01.05.2025631.81 Кб0Лекции 260501 Бычкова.doc
#
01.07.2025245.76 Кб0ЛЕКЦИИ БЖД ЭО14.doc