- •19. Мікроскопічна теорія Бардіна-Купера-ш. Рівняння бкш для щілини та його нетривіальне рішення.
- •13. Фонони кристалічної гратки, їх характеристики.
- •10. Коливання лінійного ланцюжка атомів різного сорту;
- •2. Кинетическая теория электропродн. И дифузии электронов в тт.
- •7. Кінетичні явища у магнітному полі
- •3. Кінетичне рівняння Больцмана
- •11. Розрахунок температурної залежності теплоємності в моделі Ейнштейна. Температура Ейнштейна
- •12. Розрахунок температурної залежності теплоємності в моделі Дебая. Температура Дебая
- •15. Теплове розширення твердих тіл
- •4. Електропровідність металів
- •9. Коливання лінійного ланцюжка атомів одного сорту;
1. Розподіл Фермі-Дірака для електронів. Енергія Фермі.
Розглянемо ідеальний Фермі-газ, який складаеться з невзаемодіючих електронів. Будемо вважаті також, що електроні не взаемодіють з граткою. Для такого ідеального електроного газу діє формула розподілу електронів Фермі:
Зміст фунції: визначення вірогідності того, що у ансамблі електронів знайдеться електрон з енергіей Е при температурі Т.
Де – химический потенциал, який представляе собою енергію Гіббса,яка приходиться на одну частинку.
Т – температура
визначаеться з умови, що повна кількість електронів у системі дорівнюе N:
V – обем у К-просторі, який приходиться на один. стан.
Вигляд функці\ Фермі-Дірака при Т = 0
Перейдемо до сверічніх коордінат і запишемо інтеграл
d3p=4πp2 dp
Розраховуючи інтеграл отримаемо граничній імпульс:
–граничний імпульс Фермі не залежить від масси єлектрона і така ситуація зберігаеться навіть при врахуванні взаемодіїміж між єлектронами.
Енергія електрона(енергія Фермі)
Усі стани при Т=0 менші єнергії Фермі зайняті, а вищі – пусті.
Зявляеться шар електронів над поверхнею Фермі. У провідності напівпровідників приймае участь шар єлектронів вищі енергії Фермі.
Температурна залежність хімічного потенціалу визначаеться по формулі:
При зростанні температури хімічний потенціал зменшуеться. При Тхімічний потенціалстае відємним
18.Основні принципи мікроскопічної теоріі:
1)між єлектронами надпровідника має місце притягнення в наслідок коливання кристалічної градки.
2)Електрони поблизу рівня Фермі можуть утворювати зв’язні стани – куперовські пари.
А)Фрьоліх довів, що електрони можуть притягуватися одне до одного у 1939р.
Нехай є 2 електрони з квазіімпульсами і, спінами, то вони можуть взаємодіяти з кристал. градки , після цьогопереходить в стан,а в.
Поведінка електронів у кристалі з квазіімпульсами і.
Електрони можуть взаємодіяти з фононами з імпульсом q
І етап є 2 електрони з і.
ІІ етап ,q,.
ІІІ етап 2 електрони в станах і
Розглянемо поляризовану градку в околі електронів.
Градка більш інерційна,ніж електрон підсистеми.
1 електрон поляризує градку, а 2 притягується до цієї поляризації і виходить так ніби 1 електрон притягується до іншого.
Матричний елемент взаємодії електронів:
- частота яка відповідає різниці енергії в початковому і кінцевому стані.
Знак «-» обумовлений появою притягнення.
Приятяжіння замінює відштовхуваність і утвоює куперівські пари.
І стан: к1 і к2 і (проміжковий стан) ,.
II стан кінцевий і
З урахуванням притягнення і кулонівського відштовхування,сумарний матричний елемент такої взаємодії:
,де – фрьоліховський елемент, x–величина зворотня до радіусу дебаївського екранування.
Якщо цей процес явл. пружним, то .
Маємо притяжнення у чистому вигляді
Б) Куперівські пари
У 1956р. показав, що електрони поблизу поверхні Фермі можуть створювати пари при скіль завгодно малої взаємодії.Такі пари мають спін 0 або 1 і наз. бозонами.
Розрахуємо енергію такої пари:
Хвильву функцію шукали у вигляді:
Згідно з принципом Паулі , якщо .
–енергія куперівської пари, що відраховується від енергії Фермі.
–енергія одного електрона, що відраховується від енергії Фермі.
Вирішуємо рівняння і отримуємо:
,
, –плотность електронних состояний на ур. Фермі.
Якщо «-», то має місце притягування і максимальне притягування куперівських пар буде для тв. водорода
т.я. і чим вище т-ра.
Однак в реальному п/п багато куперівських пар.
19. Мікроскопічна теорія Бардіна-Купера-ш. Рівняння бкш для щілини та його нетривіальне рішення.
Для рішення задачі о системі купера враховують БШК використовують метод вторинного квантування()
рівняння БШК для щілини
- одинична щілина,яка утворюется при переході в надпровідній стан.
Рішення:
1)
2)
Частка електронів, які можуть зв’язувати в пари,визначается єлек.
-кількість єлек. які створюють пари.
13. Фонони кристалічної гратки, їх характеристики.
Фонон – квант коливального поля(живе тільки у гратці).
Фонону у кристалі відповідає квазіімпульс ? Але оскільки кристал обмежений, то в ньому існують стоячі хвилі, тобто в умовах термодинамічної рівноваги не відбувається переносу імпульсу. Якщо кристал збуджувати, то зявляються хвилі, які переносять енергію та імпульс.
Вираз для квантового осцилятора:
Е =
Фонони – бозони з нульовим спіном, які підкоряються статистиці Бозе – Ейнштейна:
Хімічний потенціал 𝝃, 𝝃=0.
Кількість фононів у стані з частотою wпри температурі Т описується розподілом Бозе-Ейнштейна.
Характеристики фононів:
1.кількість станів фононів, які мають частоту в інтервалі w;w+dw
2.кількість фононів у відповідному інтервалі частот
3.енергія фононів у відповідному інтервалі частот
4.повна кількість фононів у кристалі при температурі Т
Якщо позначити , то
5.сумарна внутрішня енергія кристала
Розглянемо кількість фононів при різних співвідношеннях:
Резюме:
1. Т=0К – вакуум фононів
2. Т- ідеальний газ фононів(не взаємодіють)
3. Т>>- неідеальний газ фононів, які взаємодіють
23. Модель Ейнштейна(1911р)
Припущення:
1.Вважав, що для діелектричнихнапівпровідників теплоємністьдає динаміка кристалічн. решітки. Не враховує акустичної гілки дисперсії.
!!!!!Использовать для сравнения!!!!
2. енергія одного атомного осцилятора,= const
3. – дисперсія
4.
–середня енергія одного осцилятора.
Знайдено значення середньої енергії осцилятора у випадку високих і низьких температур.
->
–високі температури
–низькі температури
Загальний випадок:
–температура Ейнштейна.
10. Коливання лінійного ланцюжка атомів різного сорту;
Силові сталі будемо вважати однаковими по обидві частинки атома.
М>>m
Виберемо 2 атоми і позначимо амплітуди їх коливань
Рішення у вигляді:
Якщо підставити рішення у систему отримаємо систему алгебраїчних рівнянь
Рішення системи буде не тривіальним,коли детермінант системи=0
Отримаємо з-н дисперсії:
Розглянемо q=0
Розглянемо
Розкладемо корінь у ряд ы обмежимося першим ы другим членами.
Для малих q має лінійну залежність.
Нехай ,
Розглянемо випадок ∞ довгих хвиль
а)
б) нескінченно коротких
Підставимо значення частот для(вип.а) у систему алгебраїчних р-нь (у сис. а) і отримаємо для акустичної гілки(коли ω=0).
У загальному 3D випадку:
S-кількість ат. у примітивній комірці кристалу.
У кристалі без центру симетрії пружні оптичні хвилі створюють поляризацію і ел. поле які змінюються у часі і просторі відповідно до руху атомів.
Коли коливання народжує поперечну хвилю поляриз.поле=0
Для повздовжніх хвиль поле ≠0
Частоти повздовжніх коливань більші за частоти поперечних.
Можуть утв збудження, які мають частково механічну, а частково електричну природу, які назив фоновими поляритонами.З’являються гібридні утворення –поляритони.