Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электроника Ч2

.pdf
Скачиваний:
62
Добавлен:
22.03.2015
Размер:
2.56 Mб
Скачать

 

 

 

 

51

 

 

 

 

Анализ передаточной характеристики позволяет выделить три харак-

терных участка (они обозначены римскими цифрами). На участке I через

транзистор протекает только неуправляемый обратный ток коллекторного

перехода. Сопротивление Rкэ

>> Rк . Практически все напряжение источника

Ек падает на сопротивление Rкэ, т.е. Uкэ = Ек Iкэо Rк

Ек .

 

 

 

 

Uкэ[В], Iк

Uкэ[В]

 

 

 

 

 

I

Uкэ II

III

 

 

 

 

 

 

 

T

 

 

 

 

Iк

Rк

 

 

Iк

Iкн

 

 

 

Eк

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iб

 

 

 

 

Uкэн

 

 

 

 

 

 

 

Uбэ[мВ]

t

t

t

 

 

 

 

Uсм

 

 

 

 

 

 

 

 

Uбэ

 

Uк э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

а)

 

 

 

б)

 

 

 

Рис. 21.2. Простейшая схема усилительного каскада а) и

 

 

 

 

передаточная характеристика каскада б)

 

 

На участке II напряжение на коллекторе транзистора можно изменять

в пределах Uкэн Uкэ Ек , а ток в пределах Iкэо Iк (Ек

Uкэн )/ Rк . Эти

изменения являются результатом регулировки параметров Uбэ, и Iб мало-

мощного источника сигнала. Например, Uбэ = 100мВ , а

Uкэ = 5В . Отно-

шение Uкэ / Uбэ обозначают КU и называют коэффициентом усиления по напряжению. В нашем примере КU=50. Кроме того, увеличение напряжения

Uбэ приводит к пропорциональному уменьшению напряжения Uкэ, т.е. знаки

приращений входного и выходного сигналов противоположны. Такие уси- лители называют инвертирующими.

На участке III Uкэ = Uкэн = const . Транзистор теряет свойства уси-

лительного элемента.

52

Передаточная характеристика позволяет рассмотреть различные ре- жимы работы усилительного каскада (классы усиления). При работе в клас-

се «В» напряжение Uбэ = Uвх (см. график пунктирной линией на рис. 21.2,

б). На выход передается сигнал только одной полярности. При подаче на

вход двухполярного сигнала часть информации будет потеряна.

При работе в классе «А» напряжение Uбэ = Uвх + Uсм (см. график сплошной линией на рис. 21.2, б). Здесь Uсм напряжение смещения, посто- янная величина, не зависящая от Uвх. Когда Uвх = 0, Uбэ = Uсм. Такой режим называют режимом покоя, а токи Iб, Iк и напряжения Uбэ и Uкэ называют то-

ками и напряжениями покоя и обозначают Iбп; Iкп; Uбэп; Uкэп. Напряжение смещения Uсм выбирают так, чтобы рабочая точка транзистора Т находилась в середине линейного участка II. В этом случае любое приращение входного

напряжения Uвх

вызовет пропорциональное инверсное приращение выход-

ного напряжения

Uвых = −КU Uвх , где КU коэффициент усиления кас-

када по напряжению.

При работе в классе D на вход каскада подается большой сигнал (см. график штрих пунктирной линией на рис. 21.2, б). Передаваемый сигнал ог- раничивается сверху и снизу. Такой режим широко применяется в импульс- ной технике.

2.1 Схемы смещения и температурной стабилизации

Чтобы обеспечить усиление каскада в классе А, на базу транзистора необходимо подать напряжение смещения Uсм. Это обеспечивают специ- альные схемы, которые называют схемами смещения. Рассмотрим наибо- лее часто применяемые схемы.

Схема смещения с фиксацией тока базы (рис. 21.3, а). Фиксация тока базы Iб достигается, когда в цепь базы включается резистор Rб с большим сопротивлением.

53

Для цепи базы справедливо равенство Ек = Uбэ + Iб Rб . Следова-

тельно,

Iбп

=

Ек Uбэ

Ек

.

(21.1)

R

 

 

 

 

R

 

 

 

б

 

б

 

В (21.1) Uбэ << Ек , и им можно пренебречь. Следовательно, ток покоя базы определяется величиной внешнего сопротивления Rб , не зависит от параметров транзистора и является фиксированной величиной.

Схема смещения с фиксацией напряжения базы приведена на (рис. 21.3, б). Для цепи базы в этой схеме справедливо равенство:

Ек = (Iб + Iд )R1 + IдR2 .

Из равенства очевидно, что

Iд R2 = Uбэ = Ек − (Iд + Iб ) R1 ,

(21.2)

где Iд - ток делителя.

Чтобы напряжение смещения Uбэ не зависело от параметров входной цепи транзистора, ток делителя Iд необходимо выбирать значительно боль-

ше тока базы Iб. Обычно Iд = (5 ÷ 10) Iб . Тогда

Uбэ = Ек Iд R1

(21.3)

и не зависит от тока базы. Большое значение тока делителя

Iд приводит к

необходимости дополнительных затрат энергии источника питания. Это не- достаток схемы. Общим недостатком рассмотренных схем является зависи- мость режима работы транзистора от температуры окружающей среды (тем- пературные изменения токов базы и коллектора, коэффициента передачи тока базы β).

Для устранения температурной зависимости в цепь смещения можно включить элементы коррекции, сопротивление которых зависит от темпера- туры, например, терморезистор или диод. Значительно чаще применяют

54

схемы стабилизации с отрицательной обратной связью (ООС). Рассмотрим

наиболее широко применяемую схему температурной стабилизации с ООС по току в цепи эмиттера (рис. 21.3, в).

 

 

Eк

 

 

 

Eк

 

 

1

Eк

1'

Rб

Rк

 

R1

 

Rк

 

R1

Rк

 

 

 

 

Cр

 

Cр

Cр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Cр Iб T

 

Cр

Iд

T

 

Cр

Iб T

 

 

 

 

 

 

 

+Iб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U вых

 

Uвх

Uбэ

U вых

 

 

Uбэ

Uвых

 

Uбэ

Iэ

Cэ

Rн

 

 

U вх R2

 

 

Uвх

R2

Rэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iд

 

 

 

Iд

 

 

 

 

а)

 

 

 

б)

 

 

 

в)

 

 

Рис. 21.3. Схемы смещения с фиксацией тока базы а), с фиксацией

напряжения базы б) и схема с ООС по току в цепи эмиттера в)

 

В качестве элемента ООС в схеме используется резистор Rэ . Сопро-

тивление участка база - эмиттер транзистора Rбэ,

резисторы Rэ

и

R2 обра-

зуют замкнутый контур. Для этого контура справедлив второй закон Кирх-

гофа, согласно которому Uбэ + UR UR

= 0 . Отсюда

 

э

2

 

 

 

Uбэ

= UR

 

UR .

(21.4)

 

2

э

 

Выражение (21.4) раскрывает физику стабилизирующего действия

ООС. Так, если под воздействием дестабилизирующего фактора ток базы Iб

начнет возрастать, то увеличится и ток эмиттера Iэ = (β + 1)Iб ,

а значит, и

UR = Rэ Iэ . Но это приведет к уменьшению напряжения Uбэ

настолько,

э

 

 

 

 

чтобы ток базы принял прежнее значение. Таким образом, ООС всегда пре- пятствует любому изменению тока эмиттера, а значит, и тока базы тем эф- фективнее, чем больше значение Rэ. Но это значит, что ООС будет препят- ствовать и приращению тока коллектора под воздействием входного сигна- ла, резко уменьшая коэффициент усиления каскада.

Чтобы не допустить возможного уменьшения коэффициента усиления каскада с ООС, параллельно Rэ включают емкость Сэ. Значение емкости вы-

55

бирают из условия Хсэ << Rэ на минимальной частоте сигнала. В этом слу-

чае переменная составляющая (сигнал) будет замыкаться по Сэ, а медленно изменяющиеся составляющие температурной нестабильности - по Rэ. Кас- кад сохраняет высокий коэффициент усиления и стабильность свойств в широком диапазоне температуры окружающей среды.

2.2. Схема замещения и основные показатели каскада с ОЭ.

Усилительные каскады оцениваются по ряду параметров и характери- стик. К ним относятся коэффициенты усиления КU, КI, КP; входные и вы- ходные сопротивления; полоса пропускания; АЧХ и ФЧХ; амплитудная ха- рактеристика и т.п. Определяются эти параметры и характеристики в про- цессе анализа схем усилителей. Основными методами анализа являются

графоаналитический метод или метод линеаризации схем замещения. Пер-

вый из названных методов полезен, когда амплитуда приращений соизме- рима с напряжением смещения, второй когда !U<<U0. Графоаналитиче- ский метод анализа основан на использовании ВАХ транзисторов и позво- ляет получить более точные результаты. Этот метод будет рассмотрен на практических занятиях.

Когда входной сигнал мал (!U<<U0), полезен метод линеаризации схем замещения. Оценка параметров выполняется по переменной состав- ляющей. При этом напряжение источника питания, напряжение смещения не учитываются, так как для переменной составляющей внутреннее сопро- тивление названных источников равно нулю. Их зажимы можно считать замкнутыми накоротко. Для схемы рис. 21.3, в RЭ по переменной состав- ляющей также равно нулю, так как оно зашунтировано емкостью СЭ. Обыч- но R1>>R2, и его влияние можно не учитывать. С учетом оговоренных усло- вий схема замещения усилительного каскада с ОЭ (рис. 21.3, в) приведена на рис. 21.4.

56

1

 

 

 

 

 

 

 

 

Ср

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

&

 

 

 

 

 

h

I

 

1

 

 

 

&

 

 

R

 

h

 

б

R

R

 

С

 

U

1

 

2

11

21

 

к

 

н

экв

U

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h22

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

транзистор

вых. цепь

 

 

нагрузка

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 21.4. Схема замещения каскада с общим эмиттером по переменной составляющей

В этой схеме h11=Rбэ;

1

= RКЭ . Значение Сэкв определяется емкостью

 

 

h

22

 

 

 

 

монтажа, емкостью p-n перехода коллектор-база транзистора и емкостью нагрузки. Наличие в схеме реактивных элементов обуславливает зависимость её параметров от частоты. Для количественной оценки такой зависимости введены понятия частотная характеристика и полоса пропускания усили-

тельного каскада.

Частотная характеристика определяет зависимость модуля коэффициента усиления каскада от частоты – АЧХ (рис. 21.5, а) и зависимость от частоты разности фаз реакции и воздействия – ФЧХ (рис. 21.5, б).

К(ω)

 

ϕ (ω)

 

 

 

 

π

 

ωв

 

 

 

2

ω0

ω

 

π

ωн

 

 

 

ω 2

 

 

 

ωн

ωв

 

 

 

 

Полоса пропускания усилителя - это полоса частот от ωн до ωв, в пределах которой модуль коэффициента усиления изменяется в допустимых пределах.

57

Основные показатели усилительного каскада оцениваются в области средних частот. Для средних частот сопротивлением СР и проводимостью

Сэкв можно пренебречь, т.к. ХСр << Rн << ХСэкв . С учетом этого схема заме-

щения усилителя в области средних частот приходит к виду рис. 21.6.

&

 

 

 

 

h21 Iб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

&

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для схемы рис. 21.6

RВХ

=

R2 Rбэ

;

RВЫХ

=

RК RН

.

 

 

 

 

R + R

 

 

R

+ R

 

2

бэ

 

 

К

Н

Обычно Rкэ 104 Ом >> Rк, и его влиянием на значение выходного сопротивления пренебрегаем. Тогда можно записать, что

 

 

 

 

U2

= −h21 Iб .

 

 

 

 

 

 

 

 

Rвых

Подставляя вместо

I б

=

U1

, а вместо Rвых – его значение, легко по-

 

 

 

 

 

RВХ

лучить выражение для оценки коэффициента усиления каскада по напряжению в области средних частот

K

 

=

U2

= −h

 

RВЫХ

= −

β RK

 

RH

;

0

 

 

 

 

 

 

U1

21

 

RВХ

 

RВХ

RK + RH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К0

= КU

ХХ

γ Н ,

(21.5)

 

 

 

 

 

58

где KU XX

= −

β RK

– коэффициент усиления каскада в режиме холостого

RВХ

 

 

 

 

хода, γ Н

=

 

RН

 

– коэффициент потерь сигнала в выходной цепи.

RK + RН

 

 

 

Последнее выражение показывает, что в области средних частот ко-

эффициент усиления каскада по схеме с ОЭ зависит от параметров нагруз-

ки, но не зависит от частоты.

В области верхних частот пренебрегаем сопротивлением СР , но сопротивление емкости Сэкв необходимо учитывать. Тогда

 

 

β RВЫХ

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

jω Cэкв

 

 

 

KВ

( ) = −

 

jω Cэкв

 

 

= −

β RВЫХ

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

jω Cэкв (1 + jω RВЫХ

Cэкв )

 

 

 

 

 

 

1

 

 

RВХ

 

 

 

RВХ

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RВЫХ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

jω Cэкв

 

 

 

 

 

 

 

Обозначим произведение R ·С

 

=τ , причем, τ

 

=

1

. Тогда

экв

в

 

вых

В

 

ωв

 

 

 

 

 

 

 

 

KВ ( )

=

К0

 

 

 

 

 

1+ jωτ B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Модуль коэффициента усиления определяется выражением:

К

В ( )

 

=

 

K0

 

=

 

 

K0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1+ (ωτ B )2

 

 

ω 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ωB

 

(21.6)

(21.7)

Очевидно, что с ростом частоты ω модуль коэффициента усиления

|КВ(jω)| уменьшается.

В области нижних частот существенное влияние оказывает сопротивление емкости конденсатора CP. Влиянием Сэкв пренебрегают. Выражение для коэффициента усиления принимает вид:

59

КН ( )

 

=

 

 

K0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

,

(21.8)

 

 

 

 

 

 

1

+

 

 

 

 

 

 

 

ω τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н

 

где τ Н = СР (RK + RH ) = 1 .

ω H

Таким образом, в области нижних частот, с уменьшением частоты коэффициент усиления падает. Сопротивление емкости конденсатора СР вместе с Rвых образует делитель напряжения. С уменьшением частоты сопротивление XCp увеличивается. Увеличивается и падение напряжения на нем. Напряжение на RВЫХ падает.

3.УСИЛИТЕЛЬ ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ

Усилитель по схеме с общим коллектором (ОК) (рис. 21.7, а) обладает большим значением Rвх и малым Rвых. Этим он выгодно отличается от каскада с общим эмиттером. Однако коэффициент усиления по напряжению КU

<1, поэтому каскад с ОК нашел применение как буферный. Он включается между маломощным источником сигнала и каскадом с ОЭ либо между каскадом с ОЭ и низкоомной нагрузкой.

В схеме каскада с ОК резистор Rб образует цепь смещения с фиксацией тока покоя базы. Коллектор транзистора подключен к источнику питания Ек. В эмиттерную цепь введен резистор Rэ. Он обеспечивает стабилизацию режима работы транзистора за счет ООС по току. Нагрузка RH подключается к эмиттерной цепи через разделительный конденсатор СР. Последний исключает попадание постоянной составляющей тока эмиттера в нагрузку. При таком включении приращение входного и выходного сигналов совпадают по знаку. Значит, усилитель по схеме с общим коллектором неинвер-

тирующий.

60

Входная цепь по переменной составляющей включает участок базаэмиттер с сопротивлением Rбэ, резистор Rэ и параллельно соединенный с ним резистор RH. Поэтому

U вх = Iб Rбэ + I э (Rэ // RH ).

Обозначим

Rэ' = (Rэ // RН ) = Rэ RН .

Rэ + RН

Тогда

Uвх = Iб [Rбэ + (β +1)Rэ' ].

Теперь легко определить входное сопротивление каскада:

R =

Uвх

= R + (β +1)R'

(21.13)

 

вх

I

 

бэ

э .

 

вх

 

 

Например, пусть в схеме рис. 21.7, а известны величины: Rбэ = 103Ом;

β = 50; Rэ = RН = 400Ом.

Тогда по (21.13) Rвх = 11200 Ом.

Определим коэффициент усиления по напряжению:

 

 

 

U

вых

 

I

э

R'

(β + 1)R'

 

 

 

К

 

=

 

=

 

 

э

=

э

 

< 1.

(21.14)

U

 

 

I

 

 

 

R + (β + 1)R'

 

 

U

вх

б

R

 

 

 

 

 

 

 

 

вх

бэ

э

 

 

Для приведенного примера КU = 0,91.

Чтобы обеспечить наилучшие условия передачи мощности сигнала в нагрузку, значение Rэ, как правило, принимают равным RH.

В заключение отметим, что сигнал на выходе каскада с ОК повторяет форму входного сигнала (КU близок к единице, инверсия отсутствует). Именно поэтому за каскадом закрепилось название эмиттерный повтори-

тель.