Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электротехника. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
08.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
61
ный рост тока . Это приводит к увеличению тока
через балласт-
ный резистор
, а значит, и к возрастанию падения напряжения на
этом резисторе (
).
Таким образом, дополнительная часть входного напряжения компенсируется на балластном сопротивлении, и выходное напряже­ние остается практически неизменным, что и обеспечивает эффект стабилизации.
В случае, когда входное напряжение остается постоянным, а ток нагрузки изменяется, например от Iн до минимального значения

, ток, протекающий через стабилитрон, увеличивается на вели-
чину разности  

. При этом напряжение на нагрузке Uн оста-
ется практически стабильным, что является ключевой характеристи­кой параметрического стабилизатора.
Для обеспечения устойчивой и надежной работы стабилизатора необходимо, чтобы ток через стабилитрон находился в пределах до-
пустимого диапазона от

до 

. Это позволяет поддерживать
стабильное выходное напряжение и предотвращать выход из строя полупроводникового элемента вследствие чрезмерного тока.
Исходя из этого, балластное сопротивление Rб выбирается таким образом, чтобы обеспечить оптимальный режим работы стабилитро­на. Его значение рассчитывается по формуле:

 
 

где I
стном
представляет собой номинальный ток стабилизации, опреде-
ляемый как половина разности между максимальным и минимальным допустимыми токами стабилитрона:


 


при условии,что


62
Такой подход к расчету балластного сопротивления обеспечива­ет устойчивую работу стабилизатора при изменяющихся нагрузочных условиях и гарантирует его эффективное функционирование в задан­ном режиме.
Принцип действия светоизлучающих диодов (LED) основан на явлении излучательной рекомбинации носителей заряда в области p-n перехода. При подаче прямого напряжения через переход происходит инжекция неосновных носителей — электронов и дыр, которые ре­комбинируют с выделением энергии в виде фотонов. В результате та­кого процесса формируется излучение, которое может находиться как в видимой, так и в инфракрасной части спектра.
Для преобразования невидимого инфракрасного излучения в ви­димый свет на поверхность полупроводника наносится люмино­фор — специальный материал, поглощающий инфракрасное излуче­ние и переизлучающий его в определенном цветовом диапазоне. Цвет свечения зависит от состава люминофора и может быть, например, зеленым, красным, синим или голубым.
К числу важных преимуществ светоизлучающих диодов относятся:
– низкое энергопотребление;
– высокая насыщенность и чистота цвета;
– устойчивость цветовых характеристик к изменению темпера­туры и времени наработки.
Диод Шотки представляет собой полупроводниковый прибор, созданный на основе контакта между металлом и полупроводником. На границе этих материалов формируется запирающий переход, об- ладающий свойством односторонней проводимости. Разность потен­циалов на этом контакте получила название барьера Шотки.
Особенностью такого перехода является его малая емкость, обу­словленная узкой зоной объемного заряда и малой площадью контак­та — обычно она не превышает 1 пФ. Кроме того, в отличие от обыч­ных p-n переходов, в диоде Шотки отсутствует процесс инжекции не­основных носителей, а значит, исключены эффекты их накопления и рассасывания в базе.
63
Это обеспечивает очень высокую скорость переключения, кото­рая определяется лишь временем перезарядки барьерной емкости и со­ставляет доли наносекунды. Благодаря этому диоды Шотки находят широкое применение в высокочастотных и импульсных устройствах, где важна минимальная задержка реакции и стабильность работы.
Порядок выполнения работы
6.1. Экспериментальное исследование выпрямительного диода.
6.1.1. Для проведения экспериментального анализа выпрямитель-
ного диода VD1 на постоянном токе соберите необходимую электриче­скую схему. Соедините гнезда Х2 и Х6 перемычкой, чтобы замкнуть соответствующую цепь. Для измерения анодного тока подключите миллиамперметр между гнездами X1 и X10, установив предел измере­ния прибора на значение 100 мА (коэффициент шкалы × 1 000). Напряжение на диоде измеряйте с помощью мультиметра, подклю­ченного между гнездами Х3 и Х14, переведя его в режим измерения постоянного напряжения. После завершения сборки схемы включите электропитание лабораторного стенда и установите переключа­тель SA1 в положение «+», чтобы подать положительное напряжение на исследуемый элемент.
6.1.2. Проведите снятие вольт-амперной характеристики выпря-
мительного диода VD1 на постоянном токе. Сначала исследуйте пря­мую ветвь характеристики, установив переключатель SA1 в положе­ние «+», а затем — обратную ветвь, переключив SA1 в положение «–». При каждом положении переключателя постепенно увеличивай­те входное напряжение с помощью потенциометра RP1, начиная с нулевого значения. Одновременно фиксируйте показания тока и напряжения на диоде. Результаты измерений заносите в табл. 1.6.4 (прямая ветвь) и 1.6.5 (обратная ветвь). После завершения измерений отключите питание стенда и установите потенциометр RP1 в началь­ное (нулевое) положение.
64
Таблица 1.6.4
Проводимые испытания для построения ВАХ
выпрямительного диода в прямой последовательности
1 2 3 4 5 6 7 8
9

, В

, мА
Таблица 1.6.5
Проводимые испытания для построения ВАХ
выпрямительного диода в обратной последовательности
1 2 3 4 5 6 7 8
9

, В

, мА
6.2. Экспериментальное исследование однополупериодного вы-
прямителя на полупроводниковом диоде.
6.2.1. Для получения осциллограмм анодного тока i и напряже-
ния на диоде u подключите один из входов осциллографа к шунту X12, а второй вход — к гнезду Х3. Установите режим синхронизации осциллографа по сети переменного тока. Включите электропитание стенда и переведите переключатель SA1 в положение «~», соответ­ствующее режиму переменного тока. Потенциометр RP1 установите в крайнее правое положение, чтобы обеспечить максимальное входное напряжение.
6.2.2. С помощью осциллографа зарисуйте формы кривых анод-
ного тока iа и напряжения на диоде Ua, предварительно определив масштабы изображения по времени, току и напряжению. При этом учтите, что сопротивление шунта Rш равно 10 Ом, что позволяет определить ток по измеренному напряжению на шунте с использова-
65
нием закона Ома. Также определите значение максимального обрат­ного напряжения, возникающего на диоде в течение периода работы.
6.2.3. Для получения осциллограммы напряжения на нагрузке
Uн подключите один измерительный щуп осциллографа к гнезду Х3, а второй к гнезду X10. Зарегистрируйте форму кривой напряжения на нагрузке, указав масштабы по времени и напряжению. По окончании измерений отключите питание модуля и лабораторного стенда.
6.3. Экспериментальное исследование диода Шотки.
6.3.1. Собрать схему для исследования диода Шотки (VD2) на
постоянном токе. Выполнить пункты 6.1.1 и 6.1.2 для диода Шотки. Результаты занести в табл. 1.6.6–1.6.7.
6.3.2. Сравнить вольтамперные характеристики обычного вы-
прямительного диода и диода Шотки.
Таблица 1.6.6
Проводимые испытания для построения
ВАХ диода Шотки в прямой последовательности
1 2 3 4 5 6 7 8
9

, В

, мА
Таблица 1.6.7
Проводимые испытания для построения
ВАХ диода Шотки обратной последовательности
1 2 3 4 5 6 7 8
9

, В

, мА
66
6.4. Экспериментальное исследование стабилитрона.
6.4.1. Собрать схему для исследования стабилитрона на посто-
янном токе аналогично пункту 6.3.1. Построить график зависимости
выходного напряжения  от тока

. Результаты занести в
табл. 1.6.8.
Таблица 1.6.8
Проводимые испытания для построения
ВАХ стабилитрона
1 2 3 4 5 6 7 8
9

, В

, мА
6.4.2. На основании построенной вольт-амперной характеристи-
ки стабилитрона определите значение напряжения стабилизации Uст, соответствующее рабочему участку характеристики, а также величи­ну дифференциального сопротивления rд, которое рассчитывается как отношение приращения напряжения к приращению тока на этом участке.
6.4.3. Для исследования работы параметрического стабилизато-
ра напряжения соберите соответствующую схему. Установите пере­мычки между гнездами Х10–Х1 и Х5–Х9. Подключите мультиметры к гнездам Х10–Х11 и Х4–Х15 для измерения тока и напряжения в цепи. Переключатель SA1 модуля переведите в положение «–», соответ­ствующее режиму стабилизации отрицательного напряжения.
6.4.4. Постепенно изменяя входное напряжение с помощью по-
тенциометра RP1, измерьте зависимость выходного напряжения ста­билизатора от входного напряжения в диапазоне его изменения. По-
лученные данные представьте в виде функции 󰇛

󰇜
и занеси­те в табл. 1.6.9. Эта зависимость позволяет оценить степень стабили­зации и эффективность работы схемы при колебаниях.
67
Таблица 1.6.9
Проводимые испытания для построения
кривой стабилизации
1 2 3 4 5 6 7 8
9

, В

, мА
6.4.5. Определить коэффициент стабилизации стабилизатора

на участке стабилизации:





6.5. Исследование влияния величины напряжения на светоизлу-
чающем диоде на световую эмиссию.
6.5.1. Для проведения эксперимента соберите электрическую
схему для исследования светоизлучающего диода VD3 на постоянном токе. Методика сборки аналогична той, которая использовалась при исследовании выпрямительного диода в пункте 6.3.1. После заверше­ния подключений включите модуль диодов, установив переключа­тель SA1 в положение «+», и постепенно увеличивайте входное напряжение от нуля с помощью потенциометра RP1.
6.5.2. В процессе изменения напряжения измеряйте значения
тока, протекающего через светодиод, и напряжение на его выводах. Одновременно фиксируйте визуально ощущаемую интенсивность свечения, характеризуя ее как отсутствующую, слабую, среднюю или ярко выраженную. Полученные данные занесите в табл. 1.6.10 для последующего анализа вольт-амперной характеристики и оценки по­рога включения светодиода.
68
Таблица 1.6.10
Светоизлучение светодиода


Светоизлучение
Контрольные вопросы
1. Раскройте различия между полупроводниками р-типа и
n-типа, обусловленные характером преобладающих носителей заряда и технологией легирования исходного материала.
2. Объясните форму вольт-амперной характеристики р-n перехо-
да, указав, какие физические процессы происходят в переходе при прямом и обратном включении, и почему наблюдается нелинейная зависимость тока от напряжения.
3. Опишите особенности вольт-амперной характеристики стаби-
литрона и объясните, в чем заключается его отличие от обычного ди­ода. Укажите полярность напряжения, при которой стабилитрон ра­ботает в штатном режиме стабилизации.
4. Дайте сравнительную оценку вольт-амперных характеристик
выпрямительного диода и диода Шотки, выделив ключевые различия, обусловленные особенностями конструкции и физикой процессов в переходе.
5. Охарактеризуйте принцип действия неуправляемого выпрями-
теля, объяснив, каким образом происходит преобразование перемен­ного напряжения в пульсирующее постоянное, и какие элементы схе­мы обеспечивают данный процесс.
6. Объясните, с какой целью строятся временные диаграммы то-
ков и напряжений в схеме выпрямительного устройства, и каким об-
69
разом они отражают фазовые соотношения и форму сигнала на раз­личных участках цепи.
7. Перечислите и поясните основные параметры, характеризую-
щие работу стабилитрона, включая напряжение стабилизации, диф­ференциальное сопротивление и допустимые значения тока.
8. Определите минимальное значение входного напряжения, при
котором еще возможно эффективное функционирование параметри­ческого стабилизатора напряжения, и объясните, что происходит при снижении напряжения ниже этого порога.
9. Дайте определение коэффициента стабилизации и раскройте
его физический смысл как меры устойчивости выходного напряжения стабилизатора к колебаниям входного напряжения или нагрузки.
10. Объясните, от каких факторов зависит интенсивность свече-
ния светоизлучающего диода, и каким образом электрические пара­метры цепи влияют на его световые характеристики.
70
II. ПРАКТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ
ОБЩИЕ МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ
ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ПРАКТИЧЕСКИХ РАБОТ
Успешное выполнение практических зада в отведенное по рас­писанию время возможно лишь при условии тщательной и система­тической предварительной подготовки. Эффективность практической работы напрямую зависит от степени теоретической и организацион­ной готовности студента.
Перед каждым занятием необходимо ознакомиться с графиком проведения практических работ и определить свою очередность. Важно внимательно изучить методическое описание предстоящей ра­боты, выявив ее основную цель и конкретные задачи, подлежащие экспериментальному решению.
Теоретическая подготовка включает повторение соответствую­щего материала лекционного курса, а также работу с рекомендован­ной литературой, позволяющую глубже понять физическую сущность изучаемых явлений и процессов. На этой основе студент должен под­готовить в своей рабочей тетради все необходимые элементы: элек­трические схемы, таблицы для записи наблюдений, расчетные фор­мулы и пояснения к ним.
Завершающим этапом подготовки является предварительное формулирование ответов на контрольные вопросы, представлен­ные в методических указаниях. Это способствует закреплению теоретических знаний и обеспечивает более осознанное выполне­ние эксперимента.
Студенты, не прошедшие указанную подготовку, к выполнению практической работы не допускаются.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]