Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Современная наука в теории и практике. Часть IV. Монография

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
08.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
б
S
c
o
o
o
рацита получилось две «необычные» структуры (рис. 2), возможность реализа­ции которых была признана В. Е. Найшем, известным специалистом по разра­ботке теоретико-групповых методов определения магнитных структур.
a
S
o
o
3
'
o
Рисунок 2. Модели антиферромагнитных структур, соответствующие ромбоэд- рической (а) и моноклинной (б) симметрии сегнетомагнитной фазы.
Тогда было предположено, что при МФП происходит такое изменение симметрии фазы R3c, которое допускает существование ферромагнитной ком­поненты F, то есть спонтанной намагниченности M
, вдоль тройной оси или ор-
s
тогонально плоскости симметрии группы R3c.
В первом случае при магнитном упорядочении должен происходить ФП R3c o R3 (принцип Неймана). Но симметрия R3 допускает только коллинеар­ную ориентацию полярного и аксиального векторов (M
и Ps), т. е. при МФП
s
происходит спонтанное нарушение P-четности и T-четности (аналог электриче­ского дипольного момента нейтрона). Это замечание до сих пор не восприни­мается должным образом соответствующими специалистами, которым кажется, что подобные аналогии неуместны. По этой причине результаты довольно сложной работы были опубликованы лишь в препринте [41] и диссертации [42], где ничего не говорилось об исходной цели наших исследований. Далее приво­дятся результаты выполненных автором рентгендифракционных измерений и их трактовку в рамках рассматриваемой темы.
Для обнаружения очень слабых искажений псевдокубической элементар­ной ячейки при МФП измерялись двумерные распределения интенсивностей двух дифракционных пиков, показанные на рис. 3 и 4 (индексы псевдокубиче­ской структуры, рентгеновское излучение, линия CuKD ставлял собой призму роста с размерами ~ 0.12u0.15u0.7 мм
). Монокристалл пред-
1
3
, полученную ме-
тодом газотранспортных реакций.
21
Информация об известных ФП в кристалле Fe–I борацита позволила вы­брать для измерений две температуры образца: 160 и 40 K. Самая низкая тем­пература (20 K) определялась временем использования одного сосуда Дьюара, так как каждый из приведенных на рис. 35 результатов необходимо было по­лучить в одном цикле измерений при последовательном снижении температу­ры. (Распределения интенсивностей, показанные на рис. 3, измерены в течение 36 часов.) В противном случае говорить о надежности полученных результатов не имеет смысла, потому что при термоциклировании, как правило, двойнико­вые структуры не воспроизводятся.
Рисунок 3. Двумерные распределения интенсивностей для отражения (10 10 0).
Глядя на рис. 3, можно легко понять, что до 40 K в кристалле сохраняется ромбоэдрическая симметрия R3c, а при снижении температуры до 20 K наблюда­ются заметные изменения формы линий равных интенсивностей, что является признаком структурного ФП. Но при ФП R3c o R3 изменения формы таких ли­ний для отражения (14 0 0) должно быть менее заметно, так как в этом случае па­раметры псевдокубической элементарной ячейки (a | b | c) не должны изменять­ся, что противоречит показанным на рис. 4 результатам. Таким образом, наши экспериментальные данные соответствуют ФП, при котором теряется ось симмет­рии третьего порядка, т. е. магнитная фаза имеет моноклинную симметрию.
Отметим, что подобную методику обнаружения ФП при очень малых ис­кажениях структуры исходной фазы можно использовать только при наличии в образце кристаллических двойников, процессы образования которых изучались нами в других работах.
Приведенная на рис. 5 температурная зависимость полуширины отраже­ния (14 0 0) получена следующим образом. При каждой температуре определя­лись угловые положения детектора 2
T
и кристалла Z, при которых регистриро-
22
вались максимальные величины интенсивностей. Затем при фиксированном уг-
T
измерялась полуширина пика при Z-сканировании. Cравнение рис. 5 с ре-
ле 2 зультатами нейтронографических измерений [40] приводит к однозначному вы­воду: при T ~ 33 K в FeI бораците одновременно с магнитным происходит и структурный ФП. Моноклинная симметрия магнитной фазы допускает только ортогональную ориентацию векторов M
и Ps, что подтверждают и результаты
s
макроскопических измерений [39].
Рисунок 4. Двумерные распределения интенсивностей для отражения (14 0 0).
Низкотемпературные фазы большинства борацитов имеют симметрию
2mm (пр. гр. Pca2 P2
, после которого направления Ps и Ms должны быть коллинеарны оси сим-
1
), и в них при МФП можно ожидать реализации ФП Pca21 o
1
метрии. Вообще говоря, сегнетомагнетики оказываются чрезвычайно интерес­ными объектами исследований, связанных с нарушением принципов инвари­антности, так как их «магнитные монокристаллы» можно получить приложени­ем электрического поля вдоль известного направления P
.
s
23
Рисунок 5. Температурная зависимость полуширины кривой
Z
-сканирования
отражения (14 0 0).
6.2. Ферромагнитные пленки. Сплав Co
67Fe31V2
используется для изго-
товления нейтронно-оптических покрытий. Для пленок такого состава, полу­ченных методом магнетронного распыления в Отделе нейтронной оптики ПИЯФ, наблюдалась плохая воспроизводимость их магнитных свойств, причи­ну которой и предполагалось установить. В конечном счете, была определена симметрия магнитной фазы [43, 44], решена задача о наведенной одноосной анизотропии [45, 46], обнаружен сильный термомагнитный эффект [43] и пред­ложена модель этого явления [45, 47].
Магнитные, рентгендифракционные и нейтронные измерения выполня­лись на пленках толщиной от 0.15 до 3 мкм, напыленных на стеклянные под­ложки толщиной 0.15 мм. Для всех образцов наблюдалась сильная одноосная магнитная анизотропия. Коэрцитивная сила в направлении ничивания H
= 15120 Э.
c
оси легкого намаг-
На первом этапе работы при отжиге пленок без приложения внешнего магнитного поля были обнаружены сильные изменения остаточной намагни­ченности M
(рис. 6), что послужило стимулом для разработки специальной ме-
r
тодики дифракционных измерений [44, 48]. Приведенные на рис. 7 и рис. 8 ре­зультаты получены на почти свободной пленке (после напыления пленки в стеклянной подложке толщиной 0.1 мм вытравливался диск Ø a 12 мм) до и по­сле отжига ее при 150qС в течение одного часа.
Максимум функции пространственного распределения плоскостей (111) кристаллитов квазикубической фазы совпадает с плоскостью пленки, а кри­сталлическая текстура магнитной фазы позволила определить искажения ее элементарной ячейки. Объяснить геометрию измерений проще всего следую­щим образом. Будем считать, что вместо пленки имеется монокристалл, плос­кость (111) которого совпадает с поверхностью пленки. В таком случае пары измерений (1, 3) и (2, 4) при M 0 (рис. 7 а) соответствуют отражениям (110) и (
10) от такого кристалла. При вращении кристалла вокруг нормалей к этим
1
плоскостям угловые положения дифракционных пиков не будут изменяться, но наличие в пленке текстуры магнитной фазы приведет к тому, что измеряемые
24
величины межплоскостных расстояний d ла M. Аналогичным образом измерены зависимости d
\
угол между плоскостями (11) и (hkl).
будут зависеть от азимутального уг-
hkl
(M) и d
200
(M). На рис. 7, 8
211
Вычисленные величины
d
d
= 0.201832(1) нм, d
īıo
= 0.2012190(27) нм, d
ıoı
= 0.201550(1) нм,
īoı
= 0.201324(1) нм
ııo
и угол
E
(8 ± 1)c соответствуют моноклинной симметрии кристалла (точечная группа 2/m), ось b элементарной ячейки (ЭЯ) которого ортогональна плоскости m и коллинеарна направлению [
10] квазикубической ЭЯ. Деформация «куби-
1
ческой» структуры вдоль направлений типа [110] 'd 0.00252 почти в 20 раз больше известной из литературных данных величины магнитострикции
O
(Величина
автору не известна.) Компоненты деформации кубической ЭЯ
110
O
100
показаны на рис. 9.
.
Рисунок 6. Остаточный момент и коэрцитивная сила в зависимости от темпе­ратуры отжига, измеренные вдоль легкой оси намагничивания. Отжиг при каж­дой температуре выполнялся в течение одного часа.
25
Рисунок 7. Межплоскостные расстояния: а) d пленки для
\
90q (2, 4) и \ 35q (1, 3); б) d
Рисунок 8. Величины d
\
20q (1), \ 62q (2) и \ 90q (3).
211
002
после отжига образца для
до (1, 2) и после (3, 4) отжига
110
до (1) и после (2) отжига пленки.
Рисунок 9. Деформация кубической элементарной ячейки.
26
Как уже говорилось, сам факт моноклинной симметрии магнитной фазы оказывается бесспорным доказательством нарушения Т-четности при соответ­ствующем МФП, что, вообще говоря, ничего нового для физики магнитных ма­териалов не дает. Только нарушение принципа Т-инвариантности, для обнару­жения признаков которого мы начали использовать поляризованные нейтроны, позволяет внятным образом объяснить взаимосвязь экспериментальных данных с условиями изготовления образцов. Это обстоятельство и определяло основное направление работ, начатых в 1999 г. Измерения выполнялись на установках малоуглового рассеяния (реактор ВВР-М, Гатчина).
Уже в первых опытах [49, 50] был обнаружен интересный факт: в одних образцах наблюдались однонаправленные магнитные текстуры, в других од­ноосные. Наличие магнитных доменов с противоположными направлениями намагниченностей (одноосная текстура) связано, похоже, с пространственной ориентацией соответствующих кристаллитов моноклинной фазы.
Более интересным оказался вопрос о направлении оси легкого намагни­чивания (ЛО), так как напыляемые пленки находятся в слабом магнитном поле (~ 20 Э) магнетронной системы, а направление этого поля и ЛО для пленок сплава Co
67Fe31V2
совпадают. Для решения этой задачи нами изменялась гео-
метрия пучков напыляемых частиц, и наблюдалось плавное падение степени анизотропии с последующим изменением направления ЛО [51]. На ориентацию ЛО влияют, конечно, и другие факторы, так как для многослойной системы FeCo/Ti–Zr ЛО ортогональна направлению магнитного поля. Сравнение рис. 6 и рис. 7, 8 показывает, что рост остаточной намагниченности при отжиге плен­ки связан с изменениями кристаллической текстуры моноклинной фазы. Эта текстура редко воспроизводится при изготовлении образцов, что и приводит к соответствующему отличию их физических свойств. С другой стороны, сопо­ставление результатов измерений, выполненных на образцах с разными исход­ными кристаллическими текстурами, позволяет обнаружить общие закономер­ности изучаемых явлений.
Для примера приведем результаты измерений индукции при отжиге пле­нок, которые получены методом «вращения вектора поляризации» [45, 47, 52]. Плоскости пленок устанавливались ортогонально пучку поляризованных нейтронов, вдоль направления которого прикладывалось «ведущее» магнитное поле H ~ 3 Э. Пленки отжигались в печке, вакуумный объем в которой запол­нялся гелием.
До ~ 200qС для двух образцов видны качественные отличия в поведении индукция (рис.10), что трудно понять без информации об исходных магнитных текстурах (одноосной и однонаправленной). Подобные экспериментальные данные позволили перейти к уточнению известных моделей термомагнитного эффекта.
В традиционных схемах механизм получения постоянного магнита мето­дом термомагнитной обработки (ТМО) объясняются следующим образом. Ис­ходная заготовка в большинстве случаев представляет собой размагниченное состояние. Приложение внешнего магнитного поля приводит к перестройке до­менной структуры с образованием намагниченного состояния и к появлению
27
упругих напряжений на границах бывших доменов. После отжига эти напряже­ния исчезают, что приводит к стабилизации однонаправленной магнитной тек­стуры. Понятно, что без учета действительной симметрии магнитной фазы вряд ли удастся предложить нечто иное.
Наблюдать изменения кристаллической текстуры магнитной фазы в про­цессе термической обработки практически невозможно, но поведение средней величины индукции при отжиге образца (рис. 10) указывает на сложный харак­тер таких изменений. В нашей схеме конечный результат ТМО объясняется упорядочением направлений осей b моноклинной фазы. Для описания меха­низма такого упорядочения, аналогичного процессу рекристаллизации, исполь­зуем следующую модель. При МФП в монокристалле парамагнитной фазы об­разуется двойники моноклинной фазы, для которых имеется 12 возможных вращательных направлений (в терминологии А. В. Шубникова) оси b. При нагреве такого «поликристалла» в магнитном поле H (аналог локальной вели­чины индукции в пленке) тепловые колебания ионов кристалла станут сравни­мы с их смещениями из положений кубической решетки, и начнется перестрой­ка структуры двойников, в результате которой оси b «выберут» минимальный угол с направлением H. В идеальном случае должен получиться монокристалл моноклинной фазы, если H приложено вдоль одного из направлений типа [110].
Рисунок 10. Режимы отжига и значения индукции для двух пленок.
Поведение интенсивностей малоуглового рассеяния (МР) подтверждает основную идею такой схемы, так как интенсивность J
на рис. 11 пропорцио-
0
нальна средним размерам областей однородной намагниченности, а ее ход по­вторяет температурную зависимость индукции на рис. 10 а. (Поляризованные нейтроны позволили одновременно измерять индукцию и малоугловое рассея­ние.) Дополнительная информация содержится в интенсивностях рассеянных нейтронов. (Интенсивность J направления прямого пучка, при 2
, показанная на рис. 11, измерялась вблизи
1
T
~ 13′.) Такая корреляция намагниченности
и параметров малоуглового рассеяния позволяет определять оптимальные ре-
28
жимы термообработки массивных образцов, на которых использовать малоуг­ловое рассеяние нейтронов для измерения намагниченности невозможно.
Измерения на массивных образцах необходимы и для изучения влияния упругих напряжений на процесс упорядочения кристаллической текстуры мо­ноклинной фазы, что, по-видимому, наиболее ярко проявляется при повторном нагреве пленки, отожженной при 220qС (рис. 12.)
Рисунок 11. Изменения интенсивностей в прямом (J
) и рассеянном (J1) пучках
0
нейтронов.
Рисунок 12. Повторный нагрев пленки после ее отжига при 220qС.
Для трех состояний пленки приведем и гистерезисные кривые (рис. 13), измеренные индукционным методом при частоте 50 Гц
29
Рисунок 13. Гистерезисные кривые, измеренные вдоль легкой и трудной осей намагничивания: исходное состояние (а), после отжига пленок при 220qС (б) и 500qС (в).
Для определения магнитных текстур пленок наиболее удобным методом оказалась рефлектометрия поляризованных нейтронов, для использования ко­торой необходимы пленки на толстых подложках (D ~ 5 мм). Общая схема раз­ных вариантов изменения зеемановской энергии нейтронов при малоугловом рассеянии [53] позволяет объяснить многие экспериментальные данные.
Далее используются нестандартные обозначения интенсивностей, кото­рые соответствуют состояниям измерительной установки. Для получения опре­деленной ориентации спина нейтрона S к пленкам прикладывалось малое вер­тикальное магнитное поле, которое не изменяло их текстуры. Малоугловое «рассеяние» измерялось в горизонтальной плоскости.
Для исходного состояния
S↑↑H измеренный после рассеяния результат S↑↑H обозначим символом J(00), а S↑↓H символом J(01). Для исходного состояния S↓↓H получим, соответ­ственно, J(11) и J(10). Отдельные пики обозначаются символами (mn). Состоя- ние S↑↑H определяется после измерения интенсивностей отражений намагни- ченной пленкой: для зеркальных отражений J(00) » J(11).
Приведенные на рис. 14 интенсивности J(01) и J(10) измерены на пленке толщиной d = 2.5 мкм. Образцы такой толщины использовались ранее во всех опытах по изучению механизма термомагнитного эффекта. Сплошные линии аппроксимация функциями Гаусса, которая позволяет вычислить параметры отдельных пиков. Угловые положения максимумов зеркальных отражений 2
T
зер
~ 78′ определялись после обработки результатов измерений интенсивностей J(00) для образца и прямого пучка. Интегральные интенсивности Q(mn) всех пиков (01) и (10) меньше 10% величины Q(00). Для однонаправленной магнит­ной текстуры незеркальные отражения J(01) и J(10) находятся по разные сторо­ны от зеркальных, а величины их смещений от положений зеркальных пиков
'(2
T
) пропорциональны намагниченности образца.
Намагниченность пленки пропорциональна «поляризационному отноше­нию»
S = (J(00) J(11))/(J(00) + J(11)), (4)
30