- •Определить класс симметрии заданных материалов, построить прямую и обратную элементарные ячейки.
- •Построить и определить размеры Зоны Бриллюэна в направлениях X, l, к для металла.
- •1.2. Для полупроводника построить прямую элементарную ячейку с указанием элементов симметрии и класса симметрии заданного полупроводника.
- •Определить концентрацию электронов для заданного металла из условия касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми и сделать суждение о применимости теории свободных электронов.
- •3. Исследовать кинетические свойства заданного металла.
- •4.Рассчитать и построить зависимость электропроводности от толщины металлической плёнки при заданной температуре.
- •5.1 Исследовать состояние вырожденного электронного газа в твердом теле от температуры, которое описывается распределением Ферми-Дирака.
- •Исследование температурной зависимости функции распределения Ферми-Дирака
- •2А. Невырожденный электронный газ
- •2Б. Невырожденный электронный газ (классическое приближение)
- •5.2 Исследовать зависимость от температуры (mcad №5).
- •5.2.1 Энергии Ферми;
- •5.2.2 Концентрации носителей заряда.
- •5.2.3 Концентрации основных носителей заряда;
- •5.2.4 Электропроводности.
- •Рассчитать зависимость энергии Ферми и термодинамической работы выхода для собственного и примесного полупроводников от температуры.
- •1. Расчёт для собственного полупроводника InSb
- •2. Расчет для примесного полупроводника InSb n-типа с донорной примесью Si
- •7. Построить энергетическую диаграмму заданной пары металл-полупроводник в выбранном масштабе для случаев: без смещения, при прямом и обратном смещениях.
- •7.1. Рассчитать и построить вольт-амперную характеристику контакта в данном диапазоне температур. (Приложение mcad №6).
- •Рассчитать концентрацию носителей заряда в заданном полупроводнике для создания омического контакта с металлом.
4.Рассчитать и построить зависимость электропроводности от толщины металлической плёнки при заданной температуре.
Электропроводность тонкой плёнки как функция толщины определяется следующим интегральным выражением:
На практике для расчёта электропроводности как функции толщины используют приближенные выражения:
Отметим, что последнее из приведённых соотношение справедливо лишь для малых значений p и γ < 0,5. Толщина плёнки определяется как
При зеркальном отражении электронов от поверхности (p =1) угол падения электронов на поверхность равен углу отражения от поверхности, и проекции импульса электрона в направлении электрического поля, приложенного к образцу, сохраняются, а, следовательно, электропроводность образца не меняется. Т.е. имеем:
Построим графики зависимости электропроводности от толщины для металла с характеристиками объемного образца и чистого (бездефектного).
В чистом металле отсутствует рассеяние на дефектах, поэтому удельное сопротивление определяется только электрон-фононным взаимодействием.
Можно оценить порядок, на который изменяется длина свободного пробега, исходя из правила Маттиессена.
;
В
«грязном» металле доминирует рассеяние
на дефектах (
),
тогда как в чистом — на фононах
.
Поскольку при комнатной температуре
обычно
на один–два порядка больше
,
то и общая длина свободного пробега
увеличивается примерно в 10–100 раз.
Примем λ для чистого металла равным
,
а толщину пленки 500*10-9
м (d~10-20λ).
Рассчитаем зависимость электропроводности плёнки от толщины 𝜌пл(𝑑) для двух значений параметра зеркальности p1 = 0.1, p2 = 0.5, p3 = 0.9 в заданном диапазоне температур.
Металл
с характеристиками объемного образца:
Рис. 17. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.1
и
(Т =300К)
Рис. 18. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.1 и (Т =300К)
Рис. 19. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.5 и (Т =300К)
Рис. 20. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.5 и (Т =300К)
Рис. 21. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.9 и (Т =300К)
Рис. 22. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.9 и (Т =300К)
Чистый (бездефектный) металл:
Рис. 23. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.1
и
Рис. 24. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.1 и
Рис. 25. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.5 и
Рис. 26. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.5 и
Рис. 27. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.9 и
Рис. 28. Зависимость электропроводности плёнки от толщины при
p1=0.9 и
Вывод:
Построенные зависимости электропроводности
от толщины показывают, что при уменьшении
толщины плёнки начинает проявляться
размерный эффект, связанный с рассеянием
электронов на её поверхности. Этот
эффект становится заметным, когда
толщина плёнки становится сравнимой с
длиной свободного пробега электронов
(
).
В этом случае вклад поверхностного
рассеяния становится существенным, и
электропроводность уменьшается по
сравнению с объёмным значением.
Степень
проявления размерного эффекта зависит
от параметра зеркальности
.
При малых значениях
(диффузное
отражение) рассеяние на поверхности
максимально, что приводит к более
сильному снижению электропроводности
при уменьшении толщины. При больших
значениях
(зеркальное
отражение) влияние поверхности ослабевает,
и зависимость электропроводности от
толщины становится менее выраженной.
Для чистого (бездефектного) металла размерный эффект проявляется сильнее, чем для объёмного образца с дефектами, поскольку длина свободного пробега в нём больше, и вероятность столкновения электронов с границами возрастает, но визуально по графику это почти не заметно из-за того, что графики строятся в логарифмическом масштабе. В результате уменьшение толщины приводит к более заметному снижению электропроводности.
Таким образом, размерный эффект приводит к ухудшению проводящих свойств тонких плёнок и усиливается при уменьшении толщины, увеличении диффузности отражения и повышении чистоты материала.
