постоянной величиной (не зависящей от частоты), то полученные выражения с точностью до постоянного множителя аналогичны выражениям эквивалентных активного и реактивного сопротивлений параллельного колебательного контура. Графическая зависимость RВН1 и X ВН1 от ξ2 показана на рис. 14.6.

Аналогичные рассуждения можно провести и для второго контура :

Вносимое активное сопротивление характеризует величину активной энергии, передаваемой из первичного контура во вторичный. Реактивное вносимое сопротивление при резонансе вторичного контура равна нулю. При изменении частоты в обе стороны от резонансной реактивное вносимое сопротивление по абсолютной величине сначала увеличивается, а затем уменьшается, имея максимумы при единичных значениях обобщенной расстройки.

Рис. 14.6

По своему закону реактивное вносимое сопротивление противоположно реактивному сопротивлению вторичного контура. Поэтому реактивное вносимое сопротивление может как уменьшить, так и увеличить собственное реактивное сопротивление первичного контура. При больших расстройках как активное, так и реактивное вносимые сопротивления стремятся к нулю, что равносильно размыканию вторичного контура.

Настройка связанных контуров. Виды резонансов

Настройка связанных контуров производится в целях получения во вторичном контуре максимально возможного тока I2 max max (максимум-

максиморум) и, следовательно, выделения на его нагрузке максимальной активной мощности.

Дляполучениямаксимальновозможноготокавовторичномконтуре I2 max max осуществляется настройка связанных контуров, которую можно производить

изменением реактивных сопротивлений контуров X1 , X 2 и величины сопротивления связи X СВ при неизменных значениях ω , R1 , R2 и Em .

Данные регулировки можно производить раздельно и совместно. В связи с этим различают следующие способы настройки контуров : первый и второй частные резонансы, полный и сложный резонансы.

Дляанализапервичныхспособовнастройкисвязанныхконтуровобратимся к их схемам замещения (рис. 14.7).

П е р в ы й ч а с т н ы й р е з о н а н с . При данном способе настройки изменяется только величина сопротивления X1 в первичном контуре. Это

достигается изменением емкости C1 конденсатора (см.рис.14.1,а), т.е. X1 =VAR ,

X 2 = const , X СВ = const .

В этом случае в первичном контуре (см. рис. 14.7,а) будет

из вторичного.

Рис. 14.7

Из соотношения (14.14) следует, что при первом расчетном резонансе реактивное сопротивление первичного контура равно нулю, т.е. X1 + X ВН1 = 0 .

При первом частном резонансе ток во вторичном контуре, определяемый соотношением (14.7), принимает максимальное значение (но не максимуммаксиморум) :

где R1 , R2 -сопротивление потерь (см. рис. 14.1) первичного и вторичного

контуров.

Настройка связанных контуров вторым способом сложного резонанса осуществляется аналогичным образом : последовательной подстройкой X 2

(обеспечивается второй частный резонанс) и X СВ ( X1 = const ).

Привторомчастномрезонансеток I2 max (см.выражение(14.16))можетбыть определен с помощью соотношения

где hСВ′′ = X СВ Ζ11 .

Откуда легко найти выражение оптимального сопротивления связи X СВОПТ′′ , при котором во вторичном контуре обеспечивается максимально возможный ток

I2 max max

Подставляя выражение (14.21) в соотношение (14.20), получаем уже

Таким образом, при обоих способах настройки в сложный резонанс максимально возможное значение тока во вторичном контуре одинаково.

П о л н ы й р е з о н а н с. При применении данного способа производится настройка сначала первичного контура в первый частный резонанс при очень слабой связи, затем вторичного контура во второй частный резонанс. После выполнения подобных настроек X1 = 0 , X 2 = 0 . Затем, увеличивая связь между

контурами, добиваются получения тока I2 max max .

Таким образом, при настройке данным способом X1 = 0 , X 2 = 0 , X СВ =VAR . Запишем выражение модуля тока во вторичном контуре :