![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Электрооборудование и автоматизация сельскохозяйственных агрегатов и установок учеб. пособие
.pdfИндуктивность с учетом воздушных зазоров |
можно определить |
||
по приближенной формуле: |
|
|
|
L = |
0,2nw*S ■ІО“8 |
(2- 12) |
|
б |
|||
|
|
где w — число витков катушки; S — сечение магнитопровода.
Так как активное сопротивление R катушки незначительно по
сравнению с индуктивным соL |
R, |
то практически |
величиной |
R |
||
можно пренебречь и считать, что |
|
|
|
|
||
Zr^cüL |
0,2яш25со |
ІО'8, |
(2-13) |
|||
|
|
б |
|
|
|
|
тогда сила тока в катушке |
|
|
|
|
|
|
|
U |
и б - ІО8 |
(2-14) |
|||
|
z |
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
Чувствительность датчика будет равна |
|
|
||||
|
dl |
и ■108 |
(2-15) |
|||
K |
- dö~0,2jTO!ASc.) |
|||||
|
|
|||||
Характеристика индуктивного |
датчика / = f (&) |
(рис. 16, |
б) |
линейна только на определенном участке. Линейность нарушается, когда активное сопротивление становится сравнимым с индуктивным. Индуктивные датчики выбирают так, чтобы в пределах зоны регули рования характеристика датчика была линейна.
Наибольшее распространение в практике получили д и ф ф е р е н ц и а л ь н ы е и н д у к т и в н ы е д а т ч и к и (рис. 16, в), у кото рых входной величиной является смещение якоря относительно сред него положения, а выходной — напряжение UH.
Для среднего положения якоря такого датчика 6г = ö2, Uu — 0. При отклонении якоря от среднего положения на выходе датчика появится напряжение UKи будет возрастать по мере увеличения откло
нения.
Характеристика дифференциального датчика показана на рис. 16, г. Для двух отклонений, одинаковых по величине, но различных по знаку, значения (/,, отличаются только фазами, которые противоположны.
Преимуществом дифференциальных датчиков перед простыми явля ются большая чувствительность и значительно меньшая погрешность от колебаний напряжения питания.
Недостатками всех индуктивных датчиков являются сильная зави симость их от частоты напряжения питания катушки, невозможность применения на высокие частоты, так как при высоких частотах резко
растут потери на перемагничивание и индуктивное сопротивление обмотки.
40
2 .4 . Е М КО С ТН Ы Е Д А Т Ч И К И
Как известно, емкость конденсатора зависит от формы и геометри ческих размеров электродов, от диэлектрической проницаемости и от расстояния между его обкладками.
Измеряемая неэлектрическая величина может непосредственно являться одним из перечисленных параметров конденсатора и, изме няясь, менять его емкость.
У емкостных датчиков входной величиной, как правило, являются линейное или угловое перемещение электродов конденсатора, их раз меры, конфигурация или диэлектрическая проницаемость, а выходной величиной — электрическая емкость конденсатора.
Рис. 17. Емкостные датчики:
а — плоский; 6 — с угловым перемещением; в — цилиндрический.
Различные примеры емкостных датчиков приведены на рис. 17. Для плоского конденсатора (рис. 17, а) его емкость, как известно, будет равна
|
V 1 |
(2-16) |
где е0 — диэлектрическая |
проницаемость пустоты; |
между |
е — диэлектрическая |
проницаемость среды, заключенной |
пластинами (электродами) конденсатора;
S — площадь пластин (электродов) конденсатора;
X — расстояние (зазор) между пластинами конденсатора.
В этом датчике входной величиной может быть е, S или х, а выходной величиной будет емкость.
Чувствительность такого датчика будет равна
(ІС EyKtS
(2-17)
dx ~~ xz'
На рис. 17, б показан емкостный датчик с угловым перемещением электродов конденсатора, емкость для него будет равна
1 - а- |
(2-15) |
41
где d — расстояние между пластинами;
S — полная площадь пластин при а — 0; а — угол поворота подвижных пластин.
Чувствительность такого датчика |
будет |
dC |
80eS |
К — da |
nd |
Для емкостного цилиндрического датчика (рис. |
17, в) емкость будет |
определяться по формуле: |
|
(е — 1) х + А |
(2-19) |
С — 2зх80 |
где е — диэлектрическая проницаемость среды, которой заполняется пространство между электродами.
Чувствительность датчика будет
<2-*»
' 4
Необходимо отметить, что имеется большое число измерительных органов, работа которых основана на емкостном принципе. Разработаны и разрабатываются емкостные датчики для измерения различных пара метров: влажности (почвы, зерна, цемента, угля, песка и т. п.), коли чественного состава, расхода различных сыпучих материалов, давле ний, толщины различных материалов и т. п. В последнее время широкое распространение получают емкостные датчики для измерения различных уровней вещества с цифровым отсчетом результатов изме рения, что позволяет передавать их на большие расстояния.
К недостаткам емкостных датчиков относится следующее: 1) мощ ность измеренного сигнала невелика, поэтому необходимо иметь уси лители для усиления регулирующего сигнала; 2) мощность емкостного преобразователя невелика, поэтому величина емкости составляет де сятки или сотни пикофарад; при промышленной частоте не удается полу чить значительную мощность, и емкостные датчики обычно питаются от источников повышенной частоты 10 кГц и более; 3) сильное влияние паразитных емкостей (особенно емкостей соединительных проводов относительно земли); паразитные емкости могут оказаться сравнимыми с емкостью датчика. Для устранения этого влияния используют экра
нированные соединительные провода, а сам датчик экранируют метал лическим каркасом.
2.5. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Для измерения неэлектрических величин широко применяются
ф о т о э л е к т р и ч е с к и е п р е о б р а з о в а т е л и — ф о т о э л е м е н т ы . Принцип действия фотоэлементов основан на фото электрическом эффекте, который представляет собой физическое явле ние взаимодействия излучения с веществом чувствительного элемента,
42
в результате чего энергия оптического излучения передается заряжен ным частицам вещества.
Различают фотоэлектрические преобразователи с внешним и с внут ренним фотоэлектрическим эффектом.
Внешний фотоэлектрический эффект характеризуется эмиссией электронов с поверхности вещества при поглощении им светового по
тока. |
На этом принципе работают ф о т о э л е м е н т ы с в н е ш |
|
н и м |
ф о т о э ф ф е к т о м . Общий вид такого фотоэлемента показан |
|
на рис. |
18, а. Фотоэлемент имеет вид вакуумной или газонаполненной |
|
лампы, |
анод 1 выполнен в виде кольца или пластинки, катод 2 выпол |
няется из светочувствительного слоя, нанесенного на внутреннюю поверхность колбы. Светочувствительным слоем может быть цезий или сплав сурьмы с цезием.
К промышленным типам фотоэлементов с внешним фотоэффектом относятся фотоэлементы типа: ЦГ (цезиевый газонаполненный арго ном), СЦВ (сурьмяно-цезиевый вакуумный) и ЦВ (цезиевый вакуум ный). Вольт-амперные характеристики таких фотоэлементов приве дены на рис. 18, б. Как видно из характеристик, фотоэлементы ЦВ и СЦВ имеют предел насыщения, потому что при данной освещенности количество выбиваемых свободных электронов является определен ной величиной. У фотоэлементов типа ЦГ при увеличении напряжения фототок резко возрастает за счет ионизации газа.
Внутренний фотоэлектрический эффект свойствен полупроводни кам. Фотоэлементы, принцип действия которых основан на использо вании внутреннего фотоэлектрического эффекта, называются ф о т о э л е м е н т а м и с в н у т р е н н и м ф о т о э ф ф е к т о м .
Внутренний фотоэлектрический эффект характеризуется тем, что под действием светового потока свободные электроны, изменяя свое энергетическое состояние, остаются в веществе. При этом возникают свободные заряды, способные перемещаться внутри вещества, созда вая фотоэлектродвижущую силу (на этом принципе построены фото элементы с внутренним фотоэффектом) или изменяя электропроводность (на этом принципе построены фотосопротивления).
Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом часто называют в е н т и л ь н ы м и ф о т о э л е м е н т а м и . Наиболее распространен ными вентильными фотоэлементами являются селеновые. На рис. 18, в показаны устройство и схема включения селенового фотоэлемента, а на рис. 18, г — его световые характеристики при различных сопро тивлениях нагрузки.
Элемент состоит из тонкой пленки золота /, запирающего слоя 2, селенового слоя 3 и стальной подкладки 4. На границе селена с золо том образуется запирающий слой, который, обладая детекторными свойствами, не позволяет электронам, выбитым световым потоком, возвращаться обратно. Световой поток проходит через пленку золота и создает вентильный фотоэффект, при котором электроны из освещен ного слоя переходят в неосвещенный слой, отделенный изоляционным запирающим слоем. Вследствие этого возникает разность потенциалов £ ф , которая обусловливает протекание тока / ф в нагрузочном сопро-
43
ф
Рис. 18. Фотоэлементы и их характеристики:
а — с внешним фотоэффектом; эффектом; в — с внутренним с внутренним фотоэффектом;
~ характеристики фотоэлементов с внешним фотофотоэффектом; г — характеристики фотоэлемента
офотосопротинление; е — характеристика фотосопротивления.
тивлении jRh. Чем больше R lit тем менее линейна световая характери стика.
Ф о т о с о п р о т и в л е н и я (рис. 18, д) состоят из тонкого слоя 1 селена или сернистого таллия, нанесенного на решетку 2 из проводников. Электропроводность элемента изменяется при измене нии освещенности решетки со светочувствительным слоем. Зависи мость фототока / от светового потока Ф, падающего на освещенную поверхность фотосопротивления при постоянном напряжении пита ния Uф, показана на рис. 18, е. Эта характеристика нелинейна, что является существенным недостатком фотосопротивлений.
Достоинством фотоэлементов являются простота их устройства, малые габариты, большая чувствительность и малая инерционность. К недостаткам фотоэлементов относится малая величина фототока, что требует применения усилителей; исключение составляют вентиль ные фотоэлементы. Фотоэлементы и фотосопротивления находят широ кое применение в системах автоматики сельскохозяйственного про изводства: для автоматического отключения уличного освещения, как датчики освещенности в теплицах, для измерения температуры нагретых тел (фотоэлектрический пирометр), для определения про зрачности жидкости или газов, для подсчета изделий, проходящих по конвейеру, для определения состояния поверхности объекта, для контроля пламени в топках и т. д.
Широкое применение в технике находят фотоэлектронные умножи тели, которые позволяют получить фототок большей величины, а сле довательно, более высокую чувствительность.
2.8. ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ
Измерение температуры нагретого тела или какой-либо среды можно производить различными приборами, которые выполняют роль датчиков температуры в системах автоматики.
Широкое применение в практике находят контактные термометры, термометры сопротивления, термопары, полупроводниковые термо сопротивления, термостаты, биметаллические терморегуляторы и др. В датчиках температуры используются различные свойства веществ или материалов, изменяющиеся при изменении температуры: линейное или объемное расширение, коэффициент температурного сопротивления,
термоэлектродвижущая сила и т. п. |
представляют собой |
|
К о н т а к т н ы е терм ом етры . |
Такие термометры |
|
стеклянную трубку, внутри |
которой находится |
стеклянная ампула |
с капилляром, заполненная ртутью. В ампулу впаиваются два кон такта: один из них впаян в капилляр снизу и соединен со столбиком ртути (рис. 19, а), второй (подвижный контакт) расположен сверху и мо жет перемещаться в капилляре при помощи магнитной головки, рас положенной над термометром (на рисунке не показана). При вращении головки подвижный контакт будет вращаться и перемещаться вверх или вниз. О положении подвижного контакта в капилляре судят по указателю на вспомогательной шкале прибора, каждому положению
45
подвижного контакта соответствует определенная величина сопро тивления. Контактный термометр является датчиком двухпозицион ного действия, пределы регулирования температуры от —30 до +100 °С и выше. В схемах автоматики контактные термометры применяются, как правило, с промежуточными реле, так как разрывная мощность контактов термометра составляет 2 Вт при силе тока 0,2 А.
Рис. 19. Датчики температуры:
а — контактный термометр; б — манометрический; в — биметаллический; г — тер мопара; д — температурная характеристика термосопротивления.
Манометрические термометры. Принцип действия этих приборов основан на изменении давления газа или насыщенного пара низкокипя щей жидкости в замкнутой системе при изменении температуры. За мкнутая система (рис. 19, б) состоит из баллона 1, погружаемого в из меряемую среду, соединительного капилляра 2 и манометра 3, соеди ненного через систему рычагов со стрелкой 4 измерительной шкалы 5. При достижении стрелкой предельных отклонений температуры про изойдет замыкание контактов 6, и в системе автоматики появится регу лирующий сигнал.
Датчики манометрического типа позволяют осуществлять визуаль ный контроль за температурой, причем шкала датчика может быть уда
46
лена от контролируемого объекта на значительное расстояние (длина капилляра может быть до 40 м). Жидкостные манометрические датчики заполняются ртутью, ацетоном, эфиром, спиртом и их соединениями, а газовые — азотом и инертными газами.
Погрешность измерения датчиков составляет 1—2,5%, пределы из мерения ограничиваются температурами замерзания и кипения рабо чей жидкости. Недостатками таких датчиков являются значительная инерционность и повышенная чувствительность к вибрации и толчкам, которые вызывают размыкание контактов и «дергание» всей системы автоматики. Вследствие большой мощности контактов манометри ческие датчики можно применять в схемах автоматики без проме жуточных реле для управления магнитными пускателями исполни тельных механизмов.
Б им еталлические д а тч и ки . Измерительным органом этих датчиков является спай из двух полосок металлов с различными температур ными коэффициентами расширения. При изменении температуры из мерительный элемент деформируется, изгибается, причем степень де формации пропорциональна температуре. Изгиб пластинки происхо дит в сторону металла с меньшим температурным коэффициентом рас ширения. На рис. 19, в показан биметаллический датчик, у которого деформация биметаллической пластинки используется для освобожде ния пружины, воздействующей на размыкание или замыкание кон тактов. Пружина применяется для резкого замыкания и размыкания контактов. Она отсутствует в простейшем биметаллическом датчике, что приводит к «дерганию» системы автоматики.
В биметаллических датчиках температуры ДТКМ с пределами регу лирования от —30 до +50 °С и разрывной мощностью контактов 50 Вт для резкого включения контактов применяются постоянные магниты, которые резко притягивают пластинку после того, как при определен ной температуре она сдеформируется на определенную величину.
Возможные пределы рабочих температур для биметаллических дат
чиков от —60 |
до +350 °С. Чувствительность датчиков составляет |
± 1 °С и выше. |
со п р оти вл ения . Принцип действия термометров сопро |
Терм ом етры |
тивления основан на использовании свойств металлических провод ников менять свое сопротивление при изменении температуры. Наи большее распространение получили термометры с платиновыми и мед ными преобразователями.
Платиновые термометры сопротивления применяются для измере ния температур от —183 до +500 °С, а медные — не выше 100 150 °С, так как при более высоких температурах медь заметно окисляется.
В платиновых термометрах сопротивления применяется проволока без изоляции, наматываемая на каркас из слюдяных пластин; в медных используется проволока, изолированная эмалью или шелком, которая наматывается на каркас из пластмассы или керамики.
Пластина с намотанной на нее проволокой зажимается между двумя более широкими пластинами (из того же материала), которые служат для изоляции проволоки от арматуры. Весь пакет из пластин
47
вставляется в алюминиевую трубку (чехол), защищающую обмотку от механических повреждений.
Величина сопротивления проволоки термометра зависит от темпе ратуры окружающей среды и определяется по формуле:
|
Я< = Я о[1+«(*-*о», |
(2-21) |
где Ro — начальное сопротивление, соответствующее t0\ |
|
|
Rt — сопротивление |
проволоки, соответствующее |
измеряемой |
температуре t\ |
коэффициент сопротивления, для металлов |
|
а — температурный |
||
а = 0,0037 ч-0,065. |
|
|
Чувствительность термометра сопротивления будет |
равна |
|
|
|
( 2-22) |
Термометры сопротивления работают при малых токовых нагруз ках, чтобы тепло, выделяемое при протекании тока по проволоке термо метра, было возможно малым по сравнению с теплом, получаемым от среды с измеряемой температурой.
Поскольку интенсивность расхода тепла при этом зависит от многих факторов (геометрических размеров и формы проводника и арматуры, к которой кренится проводник, состава, плотности, теплопроводности окружающей среды, скорости перемещения и т. п.), термометры сопро тивления могут применяться и для измерения других величин — ско рости, плотности и состава газовой или жидкой среды.
Полупроводниковые термосопротивления. Полупроводниковые тер мосопротивления, или терморезисторы (ПТР), имеющие температурный коэффициент в 8—10 раз больший, чем у металлов, в последнее время получили широкое распространение в системах автоматики регулиро вания температуры.
Основной характеристикой терморезисторов является их темпера-• турная характеристика, выражающая зависимость сопротивления от температуры. Эта зависимость в рабочем диапазоне температур опре деляется соотношением
в
(2-23)
R, = Ае т,
где Rt — сопротивление при измеряемой температуре;
Т— температура, К;
Аи В — коэффициенты, постоянные для данного сопротивления. Значение коэффициентов А и В можно определить из следующих
выражений:
5 = |
т, г2 |
|
R , |
г2—гj |
(2-24) |
||
|
|
|
|
|
|
|
в |
|
А- * и |
е |
т |
|
|
(2-25) |
48
В качестве R(l используется обычно сопротивление терморезистора при 20 °С (Д20), которое называется нормальным сопротивлением. В качестве R^ удобно взять сопротивление, соответствующее 100°С (Rm). В этом случае выражение (2-24) приводится к виду:
|
ß=1365 1n-^-. |
(2-26) |
Значения |
R2Q и R lQQдаются в справочниках. |
|
Чувствительность полупроводникового терморезистора |
|
|
|
K==^W = aRt- |
(2-27) |
Величину |
ос называют температурнымкоэффициентом |
терморе |
зистора |
|
|
|
“ = - £ • |
(2-28) |
Величины |
сопротивления терморезистора и егокоэффициента а |
значительны, что обеспечивает высокую точность измерения небольших отклонений температуры.
Температурная характеристика полупроводникового термосопро тивления приведена на рис. 19, д. Промышленность выпускает десятки типов термосопротивлений, предназначенных для использования в раз личных целях. Для регулирования и измерения температуры в преде лах от —70 до 4-120 °С могут использоваться медно-марганцевые (ММТ) и кобальто-марганцевые (КМТ) терморезисторы.
При использовании полупроводниковых термосопротивлений, как и при использовании термометров сопротивления, в качестве измери тельных схем пользуются мостовыми измерительными схемами.
Термоэлектрические термометры — термопары. Принцип действия термоэлектрических термометров (рис. 19, г) основан на том, что при нагреве одной из точек соединения двух различных металлов в их цепи появляется термо-э. д. с., определяемая разностью температур двух мест соединения проводников,
Et—f |
(2-29) |
Горячий спай термопары 1 помещается в среду, температура кото рой измеряется, холодный спай 2 (свободные концы термопары) — в среду с постоянной температурой, равной нулю (например, в таю щий лед). Термо-э. д. с. будет однозначно зависеть от температуры горячего спая, т. е. температуры измеряемой среды. Шкала прибора, измеряющего термо-э. д. с., градуируется непосредственно в гра дусах.
Для измерения температур наибольшее распространение получили термопары: хромель-копелевые и хромель-алюмелевые. Находят при менение термопары на константановой основе: медь-константан, железоконстантан и нихром-копстантан.
49