
книги из ГПНТБ / Проблемы теории и практики исследований в области катализа
..pdfния, тория, церия и др. Этот источник дает и нтенсивное избира тельное излучение в средней ИК области (от 5 до 16 мк). Другой источник - силитовый стержень - глобар длиной 10 см изготовляет ся из карбида кремния. Дает интенсивное излучение в области боль ше 16 мк, а в близкой и средней области интенсивность излучения меньше, чем у штифта Нернста.
Для фокусировки лучей в оптической системе ИК-спектрофото- метров используются только зеркала, а не линзы. Это объясняется невозможностью идготовления универсальной линзы, пригодной для всех участков в широкой области спектра.
Для диспергирования ИК-лучей обычно применяют приемы, а в некоторых приборах для решения определенных задач - дифракцион ные решетки. Призмы изготовляются из прозрачных для ИК-лучей мо
нокристаллов галоидных |
солей щелочных и щелочноземельных элемен |
|
тов {LiF,KBr, |
NaCl) |
. Кроме того,в области от границы видимо |
го спектра до 4000 см~^ используются призмы из стекла, а до |
||
3400 см"* - из кварца. |
|
|
В качестве |
приемников излучения в инфракрасной спектроско |
пии в основном применяются два типа тепловых индикаторов: термо элементы и болометры. Первые представляют собой несколько после довательно соединенных термопар, иногда называемых термостолби- . ками. В основе их действия лежит явление термоэлектричества. Спаи термопар расположены так,'что одни из них (например, четные) под вергаются действию излучения источника, а другие (нечетные) на ходятся при постоянной температуре. При этом возникает термоэлект родвижущая сила, величина которой зависит от интенсивности пада ющего излучения.
Болометр - прибор для измерения энергии излучения. Термо чувствительные элементы болометров обычно изготовляют из тонких слоев полупроводника (или металлов, диэлектриков), толщиной в несколько микрон иди долей микрона.
Под действием падающего излучения в приемниках возникает постоянный ток низкого напряжения, которое может быть измерено с пом шью гальванометра чувствительностью W""8 - 10" в . Но приме нение такого прибора крайне неудобно. Поэтому в современных при борах возникающий в приемниках излучения ток усиливается, ватем поступает на потенциометр самописца, перо которого выписывает спектральную кривую пропускания.
Более подробное описание узлов спектрофотометров и принци-
27Q
пов их действия приведено в работе /7/ и во всех инструкциях, прилагаемых к выпускаемым приборам.
Наиболее совершенным двухлучевым спектрофотометром изготов ляемым серийно отечественной оптико-механической промышленностью, является прибор ИКС-14А, предназначенный для регистрации спектров поглощения в области от 0,75 до 25 мк. Этот диапазон перекрыва ется четырьмя призмами: из стекла, фтористого лития, хлористого натрия и бромистого калия. Источник излучения - глобар, приемник - болометр, смена призм - ручная.
Из спектрофотометров, выпускаемых зарубежными фирмами, оледует остановиться на следующих двух приборах. Спектрофотометр
IP-3, фирмы "Бекман", предназначен для регистрации спектра в видимой, ультрафиолетовой и ИК-_бластях. Источник излучения - штифт Нернста, приемник при работе в ИК-области - термоэлемент. Весь прибор может быть эвакуирован, так^что поглощение атмосфер ной влаги и углекислоты исключается. Предусмотрена специальная система для циркуляции воды в стенках прибора, благодаря которой
температура прибора |
поддерживается |
постоянной. |
Инфракрасный спектрофотометр |
#/?-20 (раньше UR-IQ) выпуска |
|
ется фирмой К. Цейо |
(ГДР) и служит |
для регистрации спектра в об |
ласти от 2 до 25 мк. Монохроматор состоит из трех автоматически
сменяющихся прием - L/F, |
NaClf KBrt источник излучения - сили- |
товый стержень, приемник - |
термоэлемент. Прибор снабжен кондици |
онером воздуха и специальным программным механизмом, позволяющим автоматически регистрировать либо весь спектр, либо определенные его участки.
Приготовление образцов. Кюветы и оптические материалы для спектральных исследований
Успешное применение метода ИК-спектроскопии при каталити ческих исследованиях во многом зависит от качества образца-ката лизатора, который должен иметь достаточно большую удельную по верхность и хорошее пропускание. Последнее зависит от размера частиц катализатора.- Показано, что при диаметре частиц меньше чем длина волны ИК-лучей _. тонком слое возможно получить спектр поглощения хорошего качества. Обычно это достигается, если диа метр частиц не превосходит 5 мк. Но, как правило, простым"меха ническим размалыванием очень трудно получить частицы оптималь-
271
ного размера. В настоящее время для приготовления образцов-катали- ваторов, пригодных для ИК-спектроскопии адсорбированных молекул, существует несколько методов.
М е т о д о с а д о ч н ы х п л е н о к применим для растворимых соединений, но может быть распространен также на нерастворимые вещества . В первом случае раствор наносят на плас
тинки из галоидной соли или из другого вещества, пропускающие ИКизлучение (/CBr, A'aClfCd^ и д р . ) . После испарения растворителя
на пластинке остается тонкий слой частиц подходящего размера. В качестве растворителей применяют ацетон, ацетонитрил, бензол, четыреххлористый углерод, циклогексанол, диоксан, этиловый и мети ловый спирт и др. Во втором случае готовят взвесь или жидкую паоту из твердого вещества, нерастворимого в данном растворителе, кото рую также наносят на пластинку из соли.
Следует отметить, что иногда получаются слои, состоящие иэ мелких кристалликов, сильно рассеивающих излучение источника. В этом случае можно попробовать приготовить раствор или взвесь в другом растворителе. Если ни один из растворителей не образу ет подходящего слоя, полезной может окаваться их емесь.
Иногда, если соединение, применяющееся в качестве каталиватора, имеет низкую точку плавления, возможно получить доста- , точно хороший слой расплавлением нескольких миллиграммов этого вещества между пластинками.
Условием применения метода осадочных пленок является не растворимость, индиферентность соляной пластинки к растворителю или растворенному веществу и достаточная прочность осажденного, слоя, позволяющая вести, если это необходимо, термическую и ва
куумную обработку |
без его нарушения. |
|
|
|
М е т о д ' |
с е д и м е н т а ц и и используют для получе |
|
ния |
частиц твердого тела определенной дисперсии. Для этого на |
||
веску |
(например, |
10 г) данного вещества |
растирают в агатовой |
ступке |
и просеивают через сито 150 меш. |
Порошок заливают дистил- |
,дированной водой (500 мл), предварительно растворив в ней неболь шое количество диспергирующих веществ: оксалита натрия (для глин), метасиликата натрия (для карбонатов, силикатов и др. неорганиче ских соединений). Хорошие результаты дает в некоторых случаях применение ацетона вместо воды и диспергирующих веществ.
Полученную суспензию энергично взбалтывают в измерительном цидшдре и оставляют стоять некоторое время для оседания более
272
крупных частиц, расчитав их размеры по закону Стокса. Затем верх нюю часть суспензии (15-20 см), содержащую частицы с подходящими размерами, сливают и центрифугируют. Осадок сушат 24 ч, затем растирают в ступке и полученный порошок в дальнейшем применяют для получения образца, нанося его на соляную пластинку ив жидкой взвеси, или путем воздушной седиментации.
М е т о д п р е с с о в а н и я образца о инертным носителем можно подразделить на два варианта: I ) метод совмест ногопрессования с КВг; 2) метод нанесения катализатора на инерт
ную подложку и прессования |
полученной смеси в таблетки. |
||
В первом случае тонко |
измельченные порошки катализатора в |
||
оптически чистого Kflr предварительно прооеянного |
черев сито |
||
250-300 меш и высушенного при 120-130° С в |
течение |
48 ч,прессу |
|
ются под большим давлением |
(до 10 т/ом^) в прозрачные диски. Для |
||
одной пластинки диаметром 20 мм необходимо |
ориентировочно 150- |
||
300 мг Kflr и 1-5 мг катализатора. Последний может |
быть приготов |
||
лен по методу седиментации. |
|
|
|
Этот метод в последнее время критикуют никоторые исследо |
|||
ватели, доказывающие, что в системе КВг- каталазатор-адсорбат |
|||
возможна химическая реакция между компонентами. Например, при |
|||
адсорбции аммиака на катализаторе крекинга, |
приготовленного в |
матрице из КВг , аммиак и галлоидная соль взаимодействуют и полу ченный спектр в действительности является сшктром бромиотого аммония.
Более широко распространен второй метод приготовления ка тализатора для спектральных опытов, сущность которого заключа ется в следующем. Порошкообразный кремнезем (азросил) или
имеющие большую удельную поверхность (300-400 м 2 / г ) , пропитывают раствором какой-нибудь соли катиона, входящего в состав катализатора, разлагающейся при термической обработке. Полученный рухой порошок размалывают в определенную навеску (обыч но 45-30 мг на i см геометрической поверхности образца), прес суют под определенным давлением в таблетки. Пооледние загружают в вакуумную кювету, в которой производят соответствующие обра ботки (разложение, восстановление, окисление, откачка). Как пра вило, хорошее пропускание достигается, если вес готового кяталиватора в таблетке не превышает 10% от веса взятого носите . ля.
273
Необходимо однако отметить, что ^-AZgOVj является химически довольно активным веществом, способным адсорбировать на своей по верхности реагирующие вещества, полосы поглощения которых могут быть ошибочно отнесены к частотам колебания поверхностных соеди нений, образующихся на катализаторе. Кроме того, окись алюминия может также влиять на адсорбционные свойства самого катализатора. Поэтому прежде чем применять $—Al20s в качестве нооителя, нуж но убедиться в его индиферентности к остальным компонентам изу чаемой системы.
Аэросил является химически более инертным соединением, одна ко имеет собственные интенсивные полосы поглощения, которые иск лючают спектральную область ниже 1400 см"* из исследования. Кроме того, следует иметь в виду» что аэросил в больших количествах адсорбирует воду и некоторые другие соединения, полосы поглоще ния которых должны быть учтены при расшифровке спектра.
Для получения спектров поглощения образцы загружают в ва куумную кювету, позволяющую вести откачку, термическую обработ ку катализатора, адсорбцию газов, и паров, а также запись спект ров. В настоящее время известны кюветы самой различной конструк ции При ее выборе исследователь должен исходить из конкрет ных условий и задач эксперимента.
Общее требование, предъявляемое к спектральной кювете и к сочлененной с ней вакуумной установке, заключается в обеспечении стерильных условий для опытов, т . е . в исключении возможности по падания паров посторонних веществ на катализатор, в результате чего в спектре могут появиться так называемые паразитические по лосы поглощения, не имеющие никакого отношения к изучаемому процесоу (пары вакуумной смазки со шлифов, кранов, масло из насосов я д р . ) . Поэтому желательно иметь цельноспаянные установки, или вместо обычных вакуумных кранов применять металлические вентили, затворы и др.
Весьма ответственным этапом и сложной операцией является выбор и способ крепления оптически прозрачных пластинок - "око шек" к вакуумным кюветам. При этом также следует исходить иэ кон кретных условий эксперимента. Как видно ив табл.16 (см.также
До?), пластинки ва КВг a |
NaCI пропускают в Щрокш спектраль |
|
ном диапазоне, поэтому они являются наиболее универсальными и |
||
часто применяемыми. Однако |
из-за большой растворимости в |
во |
де и склонности к помутнению они крайне неудобны и в случае |
при- |
274
сутс.твия паров воды или других агрессивных веществ не применимы. UF и CaF2 значительно меньше растворяются в воде, поэтому им можно отдать предпочтение, если изучаемые частоты находятся в пределах пропускания этих пластинок.
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
16 |
|
Наиболее часто используемые характеристики вещесвв |
||||||
|
|
|
для оптических |
материалов |
|
|
Вещество |
Область пропускания |
Раствори |
Твердость |
|||
|
|
мк |
см-1 |
мость , |
по Кнупу, |
|
|
|
г/100 г Н20 |
кГ/мм2 |
|||
ХВг |
0,21-28 |
49750-357 |
53,48 |
6,0 |
|
|
MaCl |
0,20-15 |
50000-667 |
35,70 |
15,0 |
|
|
Lit. |
0,11-6 |
90910-1667 |
0,27 |
99,0 |
|
|
CaF2 |
0,12-8,5 |
90090-1176 |
0,0016 |
158,0 |
|
|
(ПВг-Тт |
° ' 6 |
- 9 0 |
1 6670-250 |
0,05 |
40,0 |
|
«5/ |
1-22 |
|
10000-450 |
1150,0 |
|
|
Менее распространенными материалами, но обладающими некото |
||||||
рыми преимуществами,являются пластинки из монокристаллов |
бромисто |
|||||
го таллия-йодистого |
таллия {.KR3 - 5 ) , |
бромистого таллия - |
хлорис |
того таллия. {KRS |
-6) и кремния. Они пропускают |
в широком спект |
|
ральном диапазоне |
и плохо или вовсе |
не растворяются в воде. Кро |
|
ме того, пластинка из кремния может |
быть спаяла |
с .кюветой (ив |
стекла пирекс), и поэтому позволяет записывать спектры при повы шенных температурах без охлаждения места соединения окошка с кюве той. Недостатки этих пластинок - их высокая стоимость и меньшая- * величина пропускания 50-60$.
Обычно пластинки прикрепляют к кювете при помощи различных клеев, вамазок или смол ( БФ, суперцемент, эпоксидная и глифталевые смолы, пицеин и др . ), обеспечивающих вакуумноплотное присое динение окошек. Следует однако иметь в виду, что некоторые из этих материалов имеют довольно высокую упругость пара (например, пи цеин), который может адсорбироваться на катализаторах, приводя
кпоявлению паразитических полос поглощения.
Взаключение нужно отметить, что в настоящее время универ сальных правил для получения оптимального катализатора и хороше го ИК-спектра адсорбированных на нем молекул нет. Все эксперимен тальные условия: выбор методики получения и концентрации катади-
275
затора и носителя, давления и продолжительности прессования таб леток подбираются эмпирическим путем. Поэтому успех частично за висит от изобретательности и опыта экспериментатора.
Электрофизические свойства поверхности катализаторов
Для выяснения механизма гетерогенных каталитических реак ций вахзую информацию дают физические методы исследования. С их помощью устанавливаются корреляции между электрофизическими свой ствами катализатора и их изменениями в процессах адсорбции и ка тализа с одной стороны, а также адсорбционными и каталитическими свойствами образцов - с другой _ 1 1 , 12, 13_7.
Существование таких корреляций вытекает из электронной тео рии катализа, основоположником которой был Л.В.Писаржевский. В настоящее время эта теория получает дальнейшее развитие в трудах Ф.Ф.Волькенштейна, В.Ф.Киселева,.К.Хауффе и других _Г4, 15/.
Основные положения электронной теории катализа развиваются в применении к полупроводникам, поскольку, во-первых, теория по лупроводников сегодня более развита, чем теория металлов, а вовторых, к полупроводникам относится большинство применяемых в
практике катализаторов. Поэтому прежде всего остановимся на энер гетической характеристике полупроводников.
Твердые полупроводники характеризуются зонной энергетичес кой структурой.,В свободных атомах электроны имеют не любые, а строго определенные, дискретные значения энергии. Создание твер дого тела рассматривается как процесс сближения.большого числа атомов _Т_7; при таком сближении, как показывает квантовая тео рия, происходит взаимодействие энергетически одинаковых электро нов, при этом из ft' одинаковых уровней у далеко разделенных атомов в твердом теле образуется энергетическая зона, состоящая из N близко расположенных различных уровней (рис.87).В этих зонах условия для движения электронов определяются соотношением чис ла энергетических уровней и числа электронов, находящихся на этих уровнях. Там, где есть перекрытие зон, число уровней больше числа электронов и есть возможность для перемещения последних.
Процессы, связанные с прохождением электрического тока, обыч но рассматривают для двух 8он: валентной зоны и первой зоны воз бужденных состояний, или зоны проводимости (рис.88,а). Эти две
276
зоны разделены между собой зоной запрещенных энергетичес ких состояний. Ширина запрещен ной зоны в твердых телах ко леблется от 0 до 8 эв.
Состояние электрона в твердом теле описывается вол новым уравнением Шредингера, в которое входит величина X- расстояние от поверхности
вглубь кристалла. Решение это го уравнения при граничном ус ловии ХО дает состояние элект рона на поверхности твердого тела. Две области существенны
Рис.87.Энергетический сцектр твердого тела.
для катализа: Х=0 (поверхность) и X |
10 см (приповерхностный |
слой). |
|
Зона прободимости
У//Щ/////
|
|
анцчптормш |
|
|
|
Валютная SOHQ |
-1 |
|
|
|
|
W77/7777 |
f |
||||
M777W |
Т/777777777 |
|
|
|
|
а |
|
б |
|
|
|
Рис.88. Зонная структура: |
полупровод |
||||
а - |
беспримесного полупроводника; б - |
||||
ника |
с донорными примесными атомами; в |
- |
полупро |
||
водника с акцепторными примесными атомами. |
|
||||
Сс |
- уровень Ферми; • |
- электрон; о |
- вакансия. |
Поверхность полупроводника - это граница двух фаз: твер дое тело - газ. Подход к этой границе со стороны газовой среды существен для катализа. Среда воздействует на поверхность и объем твердого тела. Влияние среды осуществляется через ад сорбцию, вследствие чего сдвигается уровень Ферми и изменяют ся электрофизические свойства катализаторов в процессах адсорб-
277
ции и катализа. Для каталитических процессов существенно положе
ние уровня Ферми на поверхности. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
Если в энергетической зоне имеется |
Н1 |
|
уровней, на кото |
|||||||||||
рых расположено |
п |
электронов, |
то |
отношение |
|
^ -/f£) |
назы |
||||||||
вается функцией"распределения |
электронов |
по энергиям |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(1У,1) |
где |
су. |
- уровень |
электрохимического |
потенциаща |
или уровень |
||||||||||
Ферми. При |
Г-О |
: /(.£^-1 |
|
при |
£. |
< |
£ р |
и |
f(e.) = 0 |
при |
|||||
|
|
|
Если |
температура отлична |
от |
нуля |
( |
7yi0), |
то зна- |
||||||
чению |
<*• = £р |
соответствует |
/ |
/ ^ |
J |
- |
j - |
Зависимость |
/ ( £ ) от |
||||||
с". |
|
для двух различных |
Г |
|
показана на рис.89. Условие £ . = |
||||||||||
т* |
£р |
соответствует йодному |
(Т*0) |
|
или половинному |
(TJO) |
|||||||||
заполнению |
энергетических |
уровней. |
|
|
|
|
|
|
|
Носителями тока в полу проводниках являются элект роны в зоне проводимости и вакансии - дырки - в валент ной зоне. Для создания элект рического тока в полупровод нике необходимо перевести часть электронов из валент- , ной зоны в зону проводимости, сообщив им анергию, равную ширине запрещенной зоны. В этом случае каждому освобож денному электрону будет со
ответствовать в валентной зоне дырка - носитель р положительным зарядом и массой m . Такой полупроводник называется собственным, положение уровня Ферми для него может быть представлено в виде
F |
2 4 |
(1У. |
2) |
|
|
||
где U - ширина запрещенной зоны; |
и т_ массы дырки и |
|
|
элзкгрона |
|
|
|
278
Поскольку массы близки по величине, то вторым членом в (2) можно пренебречь. В собственном полупроводнике уровень Ферми рас положен посередине запрещенной зоны.
Применяемые в каталитических процессах полупроводники являют ся примесными. Энергетические уровни примесей могут располагать ся в запрещенной зоне, при этом положение уровня Ферми изменяет- • ся. Если примесь донорного типа, поставляющая электроны полупро воднику, то уровень Ферми сдвигается ко дну зоны проводимости. Такой полупроводник называется электронным, или полупроводником п -типа. Если же примесь захватывает электроны полупроводника,
то уровень Ферми сдвигается ближе к верху валентной зоны. Это слу чай акцепторной примеси, а полупроводник - дырочный, шп /э-ти- па. Энергетические схемы электронного и дырочного полупроводни ков представлены на рис.88,б, в.
Положение уровня Ферми на поверхности может отличаться от положения в объеме твердого тела вследствие изгиба энергетичес ких зон на поверхности, обусловленного избытком: или недостатком заряда. Это бывает, например, при внедрении примесей только в поверхностный* слой или при хемосорбции. В плаче изменения поверх ностного энергетического состояния хемосорбирозанные частицы прин ципиально не отличаются от структурных дефектов. Отличие их ооо-
тоит в том, что при определенных условиях хешсорбированные |
час |
тицы могут обмениваться с газовой фазой. |
|
Но если положение уровня Ферми на повер;шости может изме- • |
|
няться при адсорбции, то в свою очередь разнэе положение £ |
, |
определяемое структурой образца, будет определять количество хемосорбированных частиц. В этом смысле уровень Ферми выступает как регулятор хемосорбционных и каталитических свойств /147.
Если реакция идет на поверхности твердого тела, то электро ны твердого тела оказываются вовлеченными в каталитический про цесс. При этом знаки варяда поверхности изменяются так, как буд то электроны перешли от каталиватора к адсорбату или наоборот.
Однако понятие "электронный переход" в катализе имеет следующий смысл. Если,на полупроводнике р -типа адсорбируется акцептор ная молекула (кислород, например), то она образует в запрещен ной зоне свой локальный энергетический уровень, на котором токализуется электрон (рис.90). Тогда на освободившийся уровень пе реходит электрон из заполненной зоны и увеличивается количество дырок в валентной воне. Формально это выглядит так, как если бы електрон перешел к ^ '• ®2+ е """* ^ *
279