Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов

.pdf
Скачиваний:
25
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
35.03 Mб
Скачать

316

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

систему нужно рассматривать как систему трех компонент:

Fe2 03 , Fe3 04 и YFe03 .

Ван Хук [75] исследовал такую систему в кислородной среде при некоторых давлениях и показал, что качественно верна модель тройной системы, представленная на фиг. 7.22. Линия пе­

ресечения изобары кислорода 2-Ю4

Па с поверхностями ликви­

дуса

определяет составы

расплавов,

находящихся

в

равновесии

 

 

 

 

 

 

с разными

кристалличес­

 

 

 

 

 

 

кими

фазами

 

в

воздуш­

 

 

 

 

 

 

ной

 

среде.

Следует

 

ука­

 

 

 

 

 

 

зать,

что, хотя

 

проекции

 

 

 

 

 

 

каждого

из трех

отрезков

 

 

 

 

 

 

А'А,

 

АВ

и ВВ'

 

в

системе

 

 

 

 

 

 

Fe3 04 —Fe2 03 —YFe03 пря­

 

 

 

 

 

 

молинейны,

сама

линия

 

 

 

 

 

 

А'ABB'

не является

 

пря­

 

 

 

 

 

 

мой. На

фиг. 7.23

пред­

 

 

 

 

 

 

ставлено

 

сечение

 

трех­

 

 

 

 

 

 

мерной

диаграммы

 

по

 

 

 

 

 

 

указанной

изобаре

в том

 

 

 

 

 

 

виде,

как

ее

 

определил

 

 

 

 

 

 

Ван Хук. Она имеет вид

 

 

 

 

 

 

бинарной

 

диаграммы

с

 

 

 

 

 

 

«эвтектикой» в точке А и

 

 

 

 

 

 

«перитектикой»

 

в

 

точке

 

 

 

 

 

 

В.

Точки

«эвтектики»

и

 

 

 

 

 

 

«перитектики»

 

в

действи­

 

 

 

 

 

 

тельности

представляют

 

F e 2 03

 

 

 

 

собой места

пересечения

 

 

 

 

 

изобары

воздушной

 

сре­

 

 

 

 

 

 

 

Ф и г .

7.22. Пространственная

модель диа­

ды с инвариантными

гра­

 

граммы состояния

И Ж Г [75].

ничными

кривыми

 

трой­

 

 

 

 

 

 

ной

 

системы.

 

Ван

 

Хук

определил изобару для давления 02 , равного

105 Па, и

«изо­

бару» для давления

02 ,

соответствующего

равновесию с С 0 2 .

Это

исследование фазового

равновесия

показывает,

что

гра­

нат

плавится

инконгруэнтно

при 1555°С

и оказывается устой­

чивой фазой

только

в области А—В фиг. 7.23. Составы,

 

соот­

ветствующие точкам А и В на фиг. 7.23, являются

исходными со­

ставами; истинные составы этих расплавов, несомненно, харак­ теризуются недостатком кислорода, как и выросшие кристаллы граната. Следовательно, концентрация ионов Fe2 + в выросших кристаллах граната должна зависеть от температуры и давле­

ния 0 2 . Ввиду инконгруэнтного плавления и проблем,

связанных

с восстановлением, уже давно установлено, что метод

выращива­

ния из раствора в расплаве при более низких температурах —

7. РОСТ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ЖИДКИХ РАСТВОРОВ

наиболее подходящий метод выращивания кристаллов грана­ тов. В своих первых экспериментах Нильсен и Дирборн [74] в качестве растворителя использовали расплавленную окись свин­

ца РЬО. И Ж Г насыщает РЬО при температурах от 1350

до950°С

инконгруэнтно,

 

но

при

1680

 

 

 

 

 

Fe203/Y203 >

5

(отноше­

 

 

 

 

 

ние

 

концентраций

окис­

 

 

 

 

 

 

лов ИЖГ)

он может

кри­

 

 

 

 

 

 

сталлизоваться.

 

Лучшие

 

 

 

 

 

 

кристаллы

 

ИЖГ

выра­

 

 

 

 

 

 

щены

 

при

 

отношении

 

 

 

 

 

 

Fe2 03 /Y2 03

«

12,6.

 

Оки­

 

 

 

 

 

 

сел РЬО очень летуч, и

 

 

 

 

 

 

при

 

большом

 

избытке

 

 

 

 

 

 

Fe2 03 первичными выде­

 

 

 

 

 

 

ляющимися

в виде

осад­

 

 

 

 

 

 

ка

 

фазами

 

являются

 

 

 

 

 

 

Fe2 03 и PbFei2 0i9

(магни-

 

 

 

 

 

 

топлюмбит), который

пре­

 

 

 

 

 

 

пятствует

росту

И Ж Г

у

 

 

 

 

Орто-

поверхности. Таким

обра­

 

 

 

 

 

 

 

 

ферри/л-1

зом,

 

И Ж Г

зарождается и

 

 

 

 

гранат

растет

ниже

поверхности

 

 

 

 

 

 

в условиях

очень малых

 

 

 

 

 

 

пересыщений,

 

образуя

 

 

 

 

 

 

при

этом

кристаллы луч­

 

 

 

 

 

 

шего

качества

и

больше­

 

 

 

 

 

 

го

размера.

Закатанные

О

5

10 15 20 25

30 35

W

45 50

по

 

краям

платиновые

Окись железа

r3 Fe5 0l 2

YFe03

крышки

у тиглей

препят­

 

 

Мольное содержание Y2 03 ,

%

ствуют

испарению

(луч­

Ф и г .

7.23.

Диаграмма

состояния

И Ж Г

ше

 

даже

 

приваривать

 

 

 

 

[75].

 

 

 

крышки,

но

сварка

не

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

всегда применяется). Температура не должна намного превы­ шать 1350°С, так как выше этой температуры становится за­ метной реакция

РЬО

РЬ + у 0 2

(7.13)

и образующийся РЬ сплавляется с Pt, что приводит к разруше­ нию тигля. Для увеличения срока службы нагревателя из SiC предпочтительнее работать при температурах ниже 1250 °С. В ранних работах по И Ж Г практиковали резкое охлаждение расплавов от температуры, близкой к 900 °С, до комнатной. За­ тем кристаллы отделяли от основной массы расплава вы­ щелачиванием в HN0 3 . Далее разделение фаз осуществляли

318 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

магнитным методом при температурах выше и ниже соответ­ ствующих температур Кюри.

Окись свинца отнюдь не идеальный растворитель при выра­ щивании граната. Нильсен [76] изменил состав растворителя РЬО, добавив к нему 57 мольных % PbF2 . Это уменьшило вяз­ кость расплава, увеличило растворимость ИЖГ, исключило магнитоплюмбит как соосаждаемую фазу и дало возможность проводить выращивание при более низких температурах. Од­ нако гранат все еще насыщал раствор инконгруэнтно, а высокая летучесть PbF2 создавала экспериментальные трудности. Ли-

нарес

[77] установил, что гранат

конгруэнтно насыщает раство­

ритель

состава ВаО — 0,6 В 2 0 3 .

Дополнительные преимущества

этого растворителя состоят в малой упругости пара в исследуе­ мой системе, в большей плотности кристаллов ИЖГ, чем рас­ творителя (в связи с чем рост чаще происходит под поверх­ ностью), растворитель не содержит РЬ2 + , так что исключена опасность образования вредных паров свинца и восстановления

Р Ь 2 + до металлического

свинца. Ван Ютерт с сотрудниками [78]

в своих экспериментах

с большим успехом использовали раство­

ритель состава РЬО — PbF2 — В 2 0 3 . Они нашли, что небольшие добавки таких двухвалентных положительно заряженных ка­ тионов, как Са2 + , уменьшают число образующихся зародышей и увеличивают размеры выращиваемых кристаллов. Для выращи­ вания больших кристаллов граната используется шихта следую­ щего примерного состава:

Y 2 0 3 -

1694 г

Fe2 03 - 2397

г

C a O -

4 г

PbO - 6021

г

P b F 2 -

4926

г

B 2 0 3 -

279

г

Кристаллы гранатов выращивают из шихты вышеуказанного состава в интервале температур 1300—950°С, используя метод медленного охлаждения (скорость охлаждения ~0,5°/ч). Ниже 950°С гранат заметно растворяется, а поэтому при достижении этой температуры расплав выливают из тигля через отверстие, которое проделывают в тонкой платиновой диафрагме, вварен­ ной в стенку тигля, используя при этом печь, подобную изобра­ женной на фиг. 7.21. Чтобы в образовавшихся кристаллах гра­ ната не возникали термические напряжения, кристаллы затем охлаждают in situ. Полезно применять вращение тигля в печи, так как при этом ускоряется процесс растворения в период установления равновесия .и выравнивается асимметрия тепло­ вого поля во время роста. Небольшой отрицательный перепад

320 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

расплава, имеет место дендритный рост, появляются воронкооб­ разные формы роста и наблюдается слоистый рост. Как прави­ ло, в наиболее широко используемых методах кристаллизации не наблюдается больших температурных градиентов вблизи

растущей

поверхности, которые могли бы уменьшить концентра­

ционное

переохлаждение. Включения

расплава (часто

парал­

лельные

растущим граням)

обычны

для кристаллов ИЖ Г и

ИАГ. Материал наивысшего

качества

обычно образуется

на по­

следних стадиях процесса охлаждения, когда большие поверх­ ности растущих граней способствуют уменьшению пересыщения. Неоднородный цикл охлаждения, с очень медленным охлажде­ нием в начале процесса, направленным на уменьшение пересы­ щения, в период, когда площадь поверхности роста еще очень мала, должен повысить совершенство кристаллов. Меньшие ско­ рости охлаждения в начале процесса будут также уменьшать число зародышей и тем самым увеличивать средний размер рас­ тущих кристаллов. Для уменьшения числа присутствующих за­ родышей может оказаться полезным температурное цитирова ­ ние (см. разд. 6.4) с чередованием роста и растворения, так как в период нагревания небольшие зародыши полностью раство­ ряются. В результате образуется больше крупных кристаллов.

Железо в окисленном состоянии, отличающемся от Fe3 + , сильно ухудшает магнитные свойства ИЖГ и его пропускание в области 1,14 мкм [79]. В выращиваемых кристаллах на оки­ сленное состояние железа могут оказать влияние примеси, ком­ пенсирующие заряд. Двухвалентные положительно заряженные примеси увеличивают коэффициент распределения Fe4 + :

С3а спл) ~Г" Fe(pacM)

Са(П олож Fe) ~\~ Fe(n o J I O ) K р е ),

(7.14)

тогда как четырехвалентные положительно заряженные

примеси

увеличивают коэффициент распределения Fe2 + :

 

 

 

спл)

*" 51(полож Fe) + Р е ( п о л о ж ре)-

(7.15)

Вуд и Ремейка [79] исследовали

эти реакции, используя

погло­

щение света в области 1,14

мкм, которое, как

было показано,

пропорционально

концентрации

ионов железа

с валентностью,

не равной трем. Ионы С а ^ и Si 4 + — обычные

примеси, попадаю­

щие в кристаллы

из исходного

реактива и

из

футеровки му­

фельной печи. Показано, что, как и должно быть, гранат, акти­ вированный Са2 + , имеет р-тт проводимости, тогда как гранат, активированный Si, — n-типа. Получающиеся кристаллы граната характеризуются самыми малыми значениями проводимости, са­ мыми высокими значениями оптического пропускания и самыми низкими величинами ферромагнитного резонанса, когда на одну молекулу Y3 Fe5 0i2 приходится 0,006 атомов Si4 + . Таким обра-

7. РОСТ КРИСТАЛЛОВ из жидких РАСТВОРОВ

321

зом, ионы Si4 + , очевидно, компенсируют ионы Fe4 + , образую­ щиеся за счет реакции с не поддающимися контролю следами Са 2 + или за счет каких-либо других процессов.

2. Титанат бария. Метатитанат бария в виде его кубической модификации известен с 1942 г. [80] как интересный диэлектри­ ческий материал1 ). Потребность в больших кристаллах куби­ ческой модификации этого соединения для исследований сегнетоэлектричества послужила стимулом в развитии работ по выращиванию таких кристаллов. Согласно Мертцу [81], соот­ ветствующие фазовые превращения таковы:

Жидкость

(конгруэнтное плавление) 1 6 1 8

°с->

гексагональная (несегнетоэлектрическая)

фаза 1 4 6 0 ° с >

кубическая

типа перовскита (несегнетоэлектрическая)

,120 °С

фаза >

тетрагональная

(сегнетоэлектрическая)

фаза

>

орторомбическая

(сегнетоэлектрическая)

фаза

~ 8 0 с

->

ромбоэдрическая

(сегнетоэлектрическая)

фаза.

 

 

Превращение гексагональной фазы в кубическую

сопровож­

дается деформацией, образованием двойников и поликристал­ лов; поэтому для выращивания желательно использовать метод, который позволял бы прямо получать кристаллы кубиче­ ской модификации. Рейз и Рой [82] определили соответствую­ щую область диаграммы состояния ВаО—ТЮг (фиг. 7.25) и по­ казали, что температура перехода кубической модификации в гексагональную снижается при добавлении ТЮг и что куби­ ческая фаза ВаТЮз является равновесной фазой в области концентраций ТЮг от 55 до 69%. Линц (см. разд. 5.4) получил кубическую модификацию BaTi03 методом вытягивания из рас­ плава, содержащего около 5% избытка ТЮ2 относительно со­ става, отвечающего стехиометрии ВаТЮ3 . Однако большинство ранних работ по ВаТЮ3 выполнено на кристаллах, полученных по методу Ремейки [67] из раствора в расплаве KF. Применяли другие растворители, в том числе ВаС12 и BaF2 , но KF ока­ зался лучше, так как, во-первых, он не очень сильно взаимо­ действует с Pt; во-вторых, плотность ВаТЮ3 больше плотности KF, а поэтому затруднено зарождение кристаллов у поверх­ ности раздела воздух — расплав, и, в-третьих, KF легко выще­ лачивается водой. По стандартной методике Ремейки, расплав

KF,

содержащий

30 вес.%

ВаТЮ3 —70

вес.% KF, в течение

8 ч

нагревают в

тигле

с герметично закатанной

крышкой от

1150

до 1200 °С. Затем

печь

сравнительно

быстро

(20—50°С/ч)

•) См. ТАКЖЕ [148,

149].— Ярил. ред.

 

 

Н

Зак, 718

 

 

 

 

 

322

Р. ЛОДИЗ.

РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

охлаждают

до температур

900—1000 °С. Расплав декантируют,

а кристаллы охлаждают до комнатной температуры в отжиго-

вой печи со скоростью

10—50°/ч. Их механическим путем

отде­

ляют от расплава и затем промывают

горячей водой. Типичный

1800 г—

 

 

 

 

габитус двойника-«бабоч-

 

 

 

1

ки» показан

на фиг. 7.26.

 

Жидкость

 

Нильсен

и др. [83] ус­

 

 

 

 

 

 

тановили,

 

что

двойники

1700

 

7,в77-/7.(ВаТ103)гекс

могут образовываться при

 

 

 

 

 

разных условиях и из раз­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ жидкость

ных

растворителей,

если

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1600

 

1600

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

-(ВаТ103)гекс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

!IS00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

то

Те.

р-р{Ъа.Ш3)

 

 

 

 

 

 

то

 

куб * жидкость

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

БаТ12 0^ +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1300 .(ВаТ'103)куб

Тв.р-р

(ВаТЮ3 )куй +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В а Т 1 2 0 5

 

 

 

 

 

 

 

tzoo

 

 

то

 

 

 

 

 

 

 

 

(ВаТЮ3 ) ку6 +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В а Т 1 д 0 7

 

 

 

 

 

 

 

 

50

 

 

60

70

 

 

 

 

 

 

 

ВаТЮ3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Мольное

содержание Т1О2, /•

 

 

 

 

 

 

Ф И Г . 7.25. Диаграмма

состояния

системы

Ф и г .

7.26.

Габитус кристал­

 

ВаО — Т Ю 2

[82].

 

 

лов

ВаТЮз

[83].

 

только

в начале зародышеобразования в

тигле

имеется

избы­

ток твердого ВаТЮ3 . Необходимо также, чтобы заметное число

частиц этого избыточного

титаната бария имело размер менее

10 мкм. Метод Ремейки

обеспечивает значительный избыток

твердого ВаТЮ3 в начале цикла охлаждения, образующийся за

счет сильного испарения

в

период прогревания

(фиг. 7.27).

Если же избытка BaTi03

нет, то

неизбежно

образование не­

больших кубических кристаллов.

Штриховые

участки кривых

на фиг. 7.27 проведены лишь

предположительно1 ),

и здесь, ве-

') Недавно установлено (Дж. Нильсен, частное сообщение), что фиг. 7.27 справедлива только для инертной атмосферы. Д а ж е на воздухе происходят медленные реакции с материалами тиглей.

7. РОСТ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ЖИДКИХ РАСТВОРОВ

323

роятно, в кристаллах BaTi03 , особенно при повышенных

тем­

пературах, должны присутствовать какие-то твердые растворы других фаз. В работах Де Вриза и Сирса [86, 87] довольно под­ робно рассматривается образование зародышей и рост кри­

сталлов-двойников

и указывается, что двойник-«бабочка»

обра­

зуется, вероятно, в

том случае, когда кристаллы, > ограненные

плоскостями (100),

двойникуются по плоскости (111).

Такой

1700

 

 

1600

 

 

1500

^ ' " ( В а П О з ) гене

 

«о 1400

. ^

 

 

 

(Ва.Т103 ) куб

 

 

KF +(ВаТ103 )куб

 

 

 

KF

10

20 30

чО

50 60

70

80

90 100

 

 

Мольное

содержание

ВаТ10 3 ,%

 

Ф И Г .

7.27.

Растворимость

ВаТЮ 3

в КТ

[84,

85].

двойник будет иметь входящие углы, которые будут выклини­ ваться, проходя через образование «бабочки». Первоначальный зародыш, вероятно, представляет собой кубик, расколовшийся так, что открывается плоскость (111), и если в расплаве нет достаточно малых частиц ВаТЮ3 , которые обеспечивали бы появление открытых плоскостей (111), то ступени, необходимые для зарождения двойника, не могут образоваться.

Условия, в которых выращивают ряд других кристаллов из раствора в расплаве при медленном охлаждении, приведены в табл. 7.4.

Выращивание в процессе испарения

Метод испарения расплава дает преимущества, обусловлен­ ные изотермическим ростом. Если соединение устойчиво в дан­ ном расплаве в узкой температурной области, так что метод

11*

Таблица 7.4

Типичные кристаллы, выращенные из растворов в расплавах солей

Соединение Формула

Иттрий-же­

Y 3 F e 6 0 1 2

лезистый гра­ нат (ИЖГ )

Титанат ба­

ВаТЮз

рия

 

Титанат

ба­

ВаТЮз

рия

 

 

Иттрий-алю­

Y 3 A 1 6 0 1 2

миниевый

гра­

 

нат (ИАГ)

 

 

Сапфир

или

А 1 2 0 3

окись галлия

Ga 2 0 3

Ниобат нат­

NaNb0 3

рия

 

Окись берил­

ВеО

лия

 

Окись

маг­

MgO

ния

 

 

Сапфир

 

А 1 2 0 3

Окись

ни­

NiO

келя

 

 

«Окись

ба­

ВаО • 6Fe2 03

рия и железа»

Растворитель Метод Условия

РЬО

Медленное

Установить

равнове­

 

охлаждение

сие при

1370°С; охла­

 

 

ждать

со

скоростью

 

 

1—5°С/ч

 

KF

Испарение

Установить

 

равнове­

 

и охлаж­

сие при

 

1200°С;

охла­

 

дение

ждать

со

скоростью

 

 

20—40°С/ч до

 

 

 

 

~ 8 5 0 ° С ,

слить

рас­

 

 

плав; промыть

Н 2 0

Т Ю 2

Вытягива­

ТЮз/ВаО >

1 в рас­

 

ние из

плаве

 

 

 

 

 

 

расплава ')

 

 

 

 

 

 

РЬО — PbF 2

Медленное

Установить

равнове­

 

охлаждение

сие при

 

1150°С;

охла­

 

 

ждать

со

скоростью

 

 

4—5°С/ч

до

750 °С

PbF2

NaF—Nb2 C03

L i 2 0 — М 0 О 3 или PbF2

PbF2

PbF2

PbF2

Na 2 C0 3

То же

Установить равнове­

 

сие при

1200°С; охла­

 

ждать

до

900 °С со

 

скоростью

3 °С/ч

 

 

Установить

равнове­

 

 

сие при

1300°С;

охла­

 

 

ждать

до

200 °С

со

 

 

скоростью

20 °С/ч

 

Испарение

Разные,

см. литера­

и

медлен­

туру

 

 

 

 

 

ное

охлаж­

 

 

 

 

 

 

дение; ме­

 

 

 

 

 

 

тод темпе­

 

 

 

 

 

 

ратурного

 

 

 

 

 

 

градиента

 

 

 

 

 

 

Испарение

Температура

 

выше

 

 

1150 °С

 

 

 

 

 

Медленное

Установить

равнове­

охлаждение

сие при 1400°С;

охла­

 

 

ждать

до

900 °С

со

 

 

скоростью

1 °С/ч

 

 

То же

Установить

равнове­

 

 

сие при 1200°С;

охла­

 

 

ждать

до

900 °С

со

 

 

скоростью

3°С/ч

 

 

 

 

Установить

равнове­

 

 

сие при 1375 "С;

охла­

 

 

ждать

до

1Ю0°С

со

 

 

скоростью

0,75 °С/ч

 

Примечания

Кристаллы размером до нескольких санти­ метров; первым кри­ сталлизуется магнетоплюмбит, Y можно за­ менить другими ред­ кими землями; см. разд. 3 и 4 о других методах

Пересыщение ча­ стично обусловлено ис­ парением KF; двойни­ ки типа «бабочка»

Рост на затравках, наросший слой толщи­ ной до нескольких см

Кристаллы размером несколько см; см. гл. 5, разд. 4 о выращива­ нии методом Чохраль­ ского

Пластинки размером до 1 см; метод приме­ ним для крайних чле­ нов; приводит к обра-

зованию в твердом растворе модификации 6-А12 03

Пластинки с разме­ рами 1 X 1 X 3 мм

Кристаллы размером до 2 см

Кристаллы размером до 2 см

Пластинки размером до 3 см

Кристаллы размером до 0,5 мм

Кристаллы размером до 1,2 см

Литература

[74]

[67]

[88]

[89]

[64]

[90]

[91,92]

[74]

[64]

[64]

[93]

') Так как состав расплава отличается от состава твердой фазы, метод лучше рассматривать как выращивание на затравку из ра­ сплава (см. разд. 7.4).

Соединение

Формула

Берилл

B e A l 2 S i s O i S

Алюминат

M g A l 2 0 4

магния

 

 

Ванадат

Y V 0 4

иттрия

 

 

Цирконат

PbZr0 3

свинца

 

 

Феррит маг­

M g F e 2 0 4

ния

 

 

Разные

H f 0 2 ,

T i 0 2 ,

окислы

T h 0 2 )

Ce02 ,

 

Y C r 0 3 H A 1 2 0 3

Редкоземель­

RFe03 ,

ные ортофер-

R редкие

риты

земли

Растворитель

L i 2 0 — M o 0 3

В 2 О э или PbO—PbF2

PbF2

V 2 0 5

PbF2 или PbCl2

PbP 2 0 7

PbF2

или

BiF, +

B 2 0 3

PbO

 

 

 

 

 

 

 

Продолжение

табл. 7.4

Метод

 

Условия

 

 

Примечания

Лите­

 

 

 

ратура

Медленное

Установить

равнове­

 

Происходит

 

рост на

[94]

охлаждение

сие при 975 °С;

охла­

затравку

 

 

 

 

ждать

до

790 °С со

 

 

 

 

 

 

скоростью

6 °С/ч

 

 

 

 

 

 

Испарение

Температура

выше

 

Кристаллы

размером

[74]

 

1450°С

 

 

 

 

до

2 см

 

 

 

Медленное

Установить

равнове­

• Кристаллы размером

[64]

охлаждение

сие при

1200°С;

охла­

до 2 мм

 

 

 

 

ждать

со

 

скоростью

 

 

 

 

 

 

3°С/ч до 900 °С

 

 

 

 

 

 

Испарение

Температура 1200 °С

 

Кристаллы

размером

[95]

 

 

 

 

 

 

до

0,3 мм

 

 

 

Медленное

Установить

равнове­

 

Кристаллы

размером

[96]

охлаждение

сие при

1310 °С;

охла­

до

3 мм

 

 

 

 

ждать

со

 

скоростью

 

 

 

 

 

 

4,3°С/ч

до

900 °С

 

 

 

 

 

Испарение

Испарение

при

 

 

Кристаллы

размером

[97]

 

1300°С

 

 

 

 

1—10 мм

 

 

 

Медленное

Установить

равнове­

 

«Небольшие»

кри-

[98]

охлаждение

сие при

1300°С;

охла­

сталлы

 

 

 

 

ждать

со

 

скоростью

 

 

 

 

 

 

30°С/ч

до

~ 8 5 0 ° С

 

 

 

 

 

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ