![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов
.pdf316 |
Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ |
систему нужно рассматривать как систему трех компонент:
Fe2 03 , Fe3 04 и YFe03 .
Ван Хук [75] исследовал такую систему в кислородной среде при некоторых давлениях и показал, что качественно верна модель тройной системы, представленная на фиг. 7.22. Линия пе
ресечения изобары кислорода 2-Ю4 |
Па с поверхностями ликви |
|||||||||||||||
дуса |
определяет составы |
расплавов, |
находящихся |
в |
равновесии |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
с разными |
кристалличес |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
кими |
фазами |
|
в |
воздуш |
||||||
|
|
|
|
|
|
ной |
|
среде. |
Следует |
|
ука |
|||||
|
|
|
|
|
|
зать, |
что, хотя |
|
проекции |
|||||||
|
|
|
|
|
|
каждого |
из трех |
отрезков |
||||||||
|
|
|
|
|
|
А'А, |
|
АВ |
и ВВ' |
|
в |
системе |
||||
|
|
|
|
|
|
Fe3 04 —Fe2 03 —YFe03 пря |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
молинейны, |
сама |
линия |
||||||||
|
|
|
|
|
|
А'ABB' |
не является |
|
пря |
|||||||
|
|
|
|
|
|
мой. На |
фиг. 7.23 |
пред |
||||||||
|
|
|
|
|
|
ставлено |
|
сечение |
|
трех |
||||||
|
|
|
|
|
|
мерной |
диаграммы |
|
по |
|||||||
|
|
|
|
|
|
указанной |
изобаре |
в том |
||||||||
|
|
|
|
|
|
виде, |
как |
ее |
|
определил |
||||||
|
|
|
|
|
|
Ван Хук. Она имеет вид |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
бинарной |
|
диаграммы |
с |
|||||||
|
|
|
|
|
|
«эвтектикой» в точке А и |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
«перитектикой» |
|
в |
|
точке |
||||||
|
|
|
|
|
|
В. |
Точки |
«эвтектики» |
и |
|||||||
|
|
|
|
|
|
«перитектики» |
|
в |
действи |
|||||||
|
|
|
|
|
|
тельности |
представляют |
|||||||||
|
F e 2 03 |
|
|
|
|
собой места |
пересечения |
|||||||||
|
|
|
|
|
изобары |
воздушной |
|
сре |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
Ф и г . |
7.22. Пространственная |
модель диа |
ды с инвариантными |
гра |
||||||||||||
|
граммы состояния |
И Ж Г [75]. |
ничными |
кривыми |
|
трой |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
ной |
|
системы. |
|
Ван |
|
Хук |
||||
определил изобару для давления 02 , равного |
105 Па, и |
«изо |
||||||||||||||
бару» для давления |
02 , |
соответствующего |
равновесию с С 0 2 . |
|||||||||||||
Это |
исследование фазового |
равновесия |
показывает, |
что |
гра |
|||||||||||
нат |
плавится |
инконгруэнтно |
при 1555°С |
и оказывается устой |
||||||||||||
чивой фазой |
только |
в области А—В фиг. 7.23. Составы, |
|
соот |
||||||||||||
ветствующие точкам А и В на фиг. 7.23, являются |
исходными со |
ставами; истинные составы этих расплавов, несомненно, харак теризуются недостатком кислорода, как и выросшие кристаллы граната. Следовательно, концентрация ионов Fe2 + в выросших кристаллах граната должна зависеть от температуры и давле
ния 0 2 . Ввиду инконгруэнтного плавления и проблем, |
связанных |
с восстановлением, уже давно установлено, что метод |
выращива |
ния из раствора в расплаве при более низких температурах —
7. РОСТ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ЖИДКИХ РАСТВОРОВ
наиболее подходящий метод выращивания кристаллов грана тов. В своих первых экспериментах Нильсен и Дирборн [74] в качестве растворителя использовали расплавленную окись свин
ца РЬО. И Ж Г насыщает РЬО при температурах от 1350 |
до950°С |
||||||||||||||
инконгруэнтно, |
|
но |
при |
1680 |
|
|
|
|
|
||||||
Fe203/Y203 > |
5 /з |
(отноше |
|
|
|
|
|
||||||||
ние |
|
концентраций |
окис |
|
|
|
|
|
|
||||||
лов ИЖГ) |
он может |
кри |
|
|
|
|
|
|
|||||||
сталлизоваться. |
|
Лучшие |
|
|
|
|
|
|
|||||||
кристаллы |
|
ИЖГ |
выра |
|
|
|
|
|
|
||||||
щены |
|
при |
|
отношении |
|
|
|
|
|
|
|||||
Fe2 03 /Y2 03 |
« |
12,6. |
|
Оки |
|
|
|
|
|
|
|||||
сел РЬО очень летуч, и |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
при |
|
большом |
|
избытке |
|
|
|
|
|
|
|||||
Fe2 03 первичными выде |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
ляющимися |
в виде |
осад |
|
|
|
|
|
|
|||||||
ка |
|
фазами |
|
являются |
|
|
|
|
|
|
|||||
Fe2 03 и PbFei2 0i9 |
(магни- |
|
|
|
|
|
|
||||||||
топлюмбит), который |
пре |
|
|
|
|
|
|
||||||||
пятствует |
росту |
И Ж Г |
у |
|
|
|
|
Орто- |
|||||||
поверхности. Таким |
обра |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
ферри/л-1 |
|||||||||||
зом, |
|
И Ж Г |
зарождается и |
|
|
|
|
гранат |
|||||||
растет |
ниже |
поверхности |
|
|
|
|
|
|
|||||||
в условиях |
очень малых |
|
|
|
|
|
|
||||||||
пересыщений, |
|
образуя |
|
|
|
|
|
|
|||||||
при |
этом |
кристаллы луч |
|
|
|
|
|
|
|||||||
шего |
качества |
и |
больше |
|
|
|
|
|
|
||||||
го |
размера. |
Закатанные |
О |
5 |
10 15 20 25 |
30 35 |
W |
45 50 |
|||||||
по |
|
краям |
платиновые |
Окись железа |
r3 Fe5 0l 2 |
YFe03 |
|||||||||
крышки |
у тиглей |
препят |
|
|
Мольное содержание Y2 03 , |
% |
|||||||||
ствуют |
испарению |
(луч |
Ф и г . |
7.23. |
Диаграмма |
состояния |
И Ж Г |
||||||||
ше |
|
даже |
|
приваривать |
|||||||||||
|
|
|
|
[75]. |
|
|
|
||||||||
крышки, |
но |
сварка |
не |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
всегда применяется). Температура не должна намного превы шать 1350°С, так как выше этой температуры становится за метной реакция
РЬО |
РЬ + у 0 2 |
(7.13) |
и образующийся РЬ сплавляется с Pt, что приводит к разруше нию тигля. Для увеличения срока службы нагревателя из SiC предпочтительнее работать при температурах ниже 1250 °С. В ранних работах по И Ж Г практиковали резкое охлаждение расплавов от температуры, близкой к 900 °С, до комнатной. За тем кристаллы отделяли от основной массы расплава вы щелачиванием в HN0 3 . Далее разделение фаз осуществляли
318 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
магнитным методом при температурах выше и ниже соответ ствующих температур Кюри.
Окись свинца отнюдь не идеальный растворитель при выра щивании граната. Нильсен [76] изменил состав растворителя РЬО, добавив к нему 57 мольных % PbF2 . Это уменьшило вяз кость расплава, увеличило растворимость ИЖГ, исключило магнитоплюмбит как соосаждаемую фазу и дало возможность проводить выращивание при более низких температурах. Од нако гранат все еще насыщал раствор инконгруэнтно, а высокая летучесть PbF2 создавала экспериментальные трудности. Ли-
нарес |
[77] установил, что гранат |
конгруэнтно насыщает раство |
ритель |
состава ВаО — 0,6 В 2 0 3 . |
Дополнительные преимущества |
этого растворителя состоят в малой упругости пара в исследуе мой системе, в большей плотности кристаллов ИЖГ, чем рас творителя (в связи с чем рост чаще происходит под поверх ностью), растворитель не содержит РЬ2 + , так что исключена опасность образования вредных паров свинца и восстановления
Р Ь 2 + до металлического |
свинца. Ван Ютерт с сотрудниками [78] |
в своих экспериментах |
с большим успехом использовали раство |
ритель состава РЬО — PbF2 — В 2 0 3 . Они нашли, что небольшие добавки таких двухвалентных положительно заряженных ка тионов, как Са2 + , уменьшают число образующихся зародышей и увеличивают размеры выращиваемых кристаллов. Для выращи вания больших кристаллов граната используется шихта следую щего примерного состава:
Y 2 0 3 - |
1694 г |
|
Fe2 03 - 2397 |
г |
|
C a O - |
4 г |
|
PbO - 6021 |
г |
|
P b F 2 - |
4926 |
г |
B 2 0 3 - |
279 |
г |
Кристаллы гранатов выращивают из шихты вышеуказанного состава в интервале температур 1300—950°С, используя метод медленного охлаждения (скорость охлаждения ~0,5°/ч). Ниже 950°С гранат заметно растворяется, а поэтому при достижении этой температуры расплав выливают из тигля через отверстие, которое проделывают в тонкой платиновой диафрагме, вварен ной в стенку тигля, используя при этом печь, подобную изобра женной на фиг. 7.21. Чтобы в образовавшихся кристаллах гра ната не возникали термические напряжения, кристаллы затем охлаждают in situ. Полезно применять вращение тигля в печи, так как при этом ускоряется процесс растворения в период установления равновесия .и выравнивается асимметрия тепло вого поля во время роста. Небольшой отрицательный перепад
![](/html/65386/283/html_v3MnDYvPdD.NZYT/htmlconvd-CIFLPx314x1.jpg)
320 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
расплава, имеет место дендритный рост, появляются воронкооб разные формы роста и наблюдается слоистый рост. Как прави ло, в наиболее широко используемых методах кристаллизации не наблюдается больших температурных градиентов вблизи
растущей |
поверхности, которые могли бы уменьшить концентра |
|||
ционное |
переохлаждение. Включения |
расплава (часто |
парал |
|
лельные |
растущим граням) |
обычны |
для кристаллов ИЖ Г и |
|
ИАГ. Материал наивысшего |
качества |
обычно образуется |
на по |
следних стадиях процесса охлаждения, когда большие поверх ности растущих граней способствуют уменьшению пересыщения. Неоднородный цикл охлаждения, с очень медленным охлажде нием в начале процесса, направленным на уменьшение пересы щения, в период, когда площадь поверхности роста еще очень мала, должен повысить совершенство кристаллов. Меньшие ско рости охлаждения в начале процесса будут также уменьшать число зародышей и тем самым увеличивать средний размер рас тущих кристаллов. Для уменьшения числа присутствующих за родышей может оказаться полезным температурное цитирова ние (см. разд. 6.4) с чередованием роста и растворения, так как в период нагревания небольшие зародыши полностью раство ряются. В результате образуется больше крупных кристаллов.
Железо в окисленном состоянии, отличающемся от Fe3 + , сильно ухудшает магнитные свойства ИЖГ и его пропускание в области 1,14 мкм [79]. В выращиваемых кристаллах на оки сленное состояние железа могут оказать влияние примеси, ком пенсирующие заряд. Двухвалентные положительно заряженные примеси увеличивают коэффициент распределения Fe4 + :
С3(ра спл) ~Г" Fe(pacM) |
Са(П олож Fe) ~\~ Fe(n o J I O ) K р е ), |
(7.14) |
||||
тогда как четырехвалентные положительно заряженные |
примеси |
|||||
увеличивают коэффициент распределения Fe2 + : |
|
|
||||
|
спл) |
*" 51(полож Fe) + Р е ( п о л о ж ре)- |
(7.15) |
|||
Вуд и Ремейка [79] исследовали |
эти реакции, используя |
погло |
||||
щение света в области 1,14 |
мкм, которое, как |
было показано, |
||||
пропорционально |
концентрации |
ионов железа |
с валентностью, |
|||
не равной трем. Ионы С а ^ и Si 4 + — обычные |
примеси, попадаю |
|||||
щие в кристаллы |
из исходного |
реактива и |
из |
футеровки му |
фельной печи. Показано, что, как и должно быть, гранат, акти вированный Са2 + , имеет р-тт проводимости, тогда как гранат, активированный Si, — n-типа. Получающиеся кристаллы граната характеризуются самыми малыми значениями проводимости, са мыми высокими значениями оптического пропускания и самыми низкими величинами ферромагнитного резонанса, когда на одну молекулу Y3 Fe5 0i2 приходится 0,006 атомов Si4 + . Таким обра-
7. РОСТ КРИСТАЛЛОВ из жидких РАСТВОРОВ |
321 |
зом, ионы Si4 + , очевидно, компенсируют ионы Fe4 + , образую щиеся за счет реакции с не поддающимися контролю следами Са 2 + или за счет каких-либо других процессов.
2. Титанат бария. Метатитанат бария в виде его кубической модификации известен с 1942 г. [80] как интересный диэлектри ческий материал1 ). Потребность в больших кристаллах куби ческой модификации этого соединения для исследований сегнетоэлектричества послужила стимулом в развитии работ по выращиванию таких кристаллов. Согласно Мертцу [81], соот ветствующие фазовые превращения таковы:
Жидкость |
(конгруэнтное плавление) 1 6 1 8 |
°с-> |
гексагональная (несегнетоэлектрическая) |
фаза 1 4 6 0 ° с > |
|
кубическая |
типа перовскита (несегнетоэлектрическая) |
,120 °С
фаза >
тетрагональная |
(сегнетоэлектрическая) |
фаза |
— |
> |
орторомбическая |
(сегнетоэлектрическая) |
фаза |
~ 8 0 с |
-> |
ромбоэдрическая |
(сегнетоэлектрическая) |
фаза. |
|
|
Превращение гексагональной фазы в кубическую |
сопровож |
дается деформацией, образованием двойников и поликристал лов; поэтому для выращивания желательно использовать метод, который позволял бы прямо получать кристаллы кубиче ской модификации. Рейз и Рой [82] определили соответствую щую область диаграммы состояния ВаО—ТЮг (фиг. 7.25) и по казали, что температура перехода кубической модификации в гексагональную снижается при добавлении ТЮг и что куби ческая фаза ВаТЮз является равновесной фазой в области концентраций ТЮг от 55 до 69%. Линц (см. разд. 5.4) получил кубическую модификацию BaTi03 методом вытягивания из рас плава, содержащего около 5% избытка ТЮ2 относительно со става, отвечающего стехиометрии ВаТЮ3 . Однако большинство ранних работ по ВаТЮ3 выполнено на кристаллах, полученных по методу Ремейки [67] из раствора в расплаве KF. Применяли другие растворители, в том числе ВаС12 и BaF2 , но KF ока зался лучше, так как, во-первых, он не очень сильно взаимо действует с Pt; во-вторых, плотность ВаТЮ3 больше плотности KF, а поэтому затруднено зарождение кристаллов у поверх ности раздела воздух — расплав, и, в-третьих, KF легко выще лачивается водой. По стандартной методике Ремейки, расплав
KF, |
содержащий |
30 вес.% |
ВаТЮ3 —70 |
вес.% KF, в течение |
||
8 ч |
нагревают в |
тигле |
с герметично закатанной |
крышкой от |
||
1150 |
до 1200 °С. Затем |
печь |
сравнительно |
быстро |
(20—50°С/ч) |
|
•) См. ТАКЖЕ [148, |
149].— Ярил. ред. |
|
|
|||
Н |
Зак, 718 |
|
|
|
|
|
322 |
Р. ЛОДИЗ. |
РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ |
охлаждают |
до температур |
900—1000 °С. Расплав декантируют, |
а кристаллы охлаждают до комнатной температуры в отжиго-
вой печи со скоростью |
10—50°/ч. Их механическим путем |
отде |
|||||||||
ляют от расплава и затем промывают |
горячей водой. Типичный |
||||||||||
1800 г— |
|
|
|
|
габитус двойника-«бабоч- |
||||||
|
|
|
1 |
ки» показан |
на фиг. 7.26. |
||||||
|
Жидкость |
|
Нильсен |
и др. [83] ус |
|||||||
|
|
|
|
|
|
тановили, |
|
что |
двойники |
||
1700 |
|
7,в77-/7.(ВаТ103)гекс |
могут образовываться при |
||||||||
|
|
|
|
|
разных условиях и из раз |
||||||
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
+ жидкость |
ных |
растворителей, |
если |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
1600 |
|
1600 |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
% |
-(ВаТ103)гекс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
!IS00 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
то |
Те. |
р-р{Ъа.Ш3) |
|
|
|
|
|
|
|||
то |
|
куб * жидкость |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
БаТ12 0^ + |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1300 .(ВаТ'103)куб |
Тв.р-р |
(ВаТЮ3 )куй + |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
В а Т 1 2 0 5 |
|
|
|
|
|
|
|
tzoo |
|
|
то |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(ВаТЮ3 ) ку6 + |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
В а Т 1 д 0 7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
60 |
70 |
|
|
|
|
|
|
|
ВаТЮ3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Мольное |
содержание Т1О2, /• |
|
|
|
|
|
|
|||
Ф И Г . 7.25. Диаграмма |
состояния |
системы |
Ф и г . |
7.26. |
Габитус кристал |
||||||
|
ВаО — Т Ю 2 |
[82]. |
|
|
лов |
ВаТЮз |
[83]. |
|
|||
только |
в начале зародышеобразования в |
тигле |
имеется |
избы |
ток твердого ВаТЮ3 . Необходимо также, чтобы заметное число
частиц этого избыточного |
титаната бария имело размер менее |
10 мкм. Метод Ремейки |
обеспечивает значительный избыток |
твердого ВаТЮ3 в начале цикла охлаждения, образующийся за
счет сильного испарения |
в |
период прогревания |
(фиг. 7.27). |
||
Если же избытка BaTi03 |
нет, то |
неизбежно |
образование не |
||
больших кубических кристаллов. |
Штриховые |
участки кривых |
|||
на фиг. 7.27 проведены лишь |
предположительно1 ), |
и здесь, ве- |
') Недавно установлено (Дж. Нильсен, частное сообщение), что фиг. 7.27 справедлива только для инертной атмосферы. Д а ж е на воздухе происходят медленные реакции с материалами тиглей.
7. РОСТ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ЖИДКИХ РАСТВОРОВ |
323 |
роятно, в кристаллах BaTi03 , особенно при повышенных |
тем |
пературах, должны присутствовать какие-то твердые растворы других фаз. В работах Де Вриза и Сирса [86, 87] довольно под робно рассматривается образование зародышей и рост кри
сталлов-двойников |
и указывается, что двойник-«бабочка» |
обра |
зуется, вероятно, в |
том случае, когда кристаллы, > ограненные |
|
плоскостями (100), |
двойникуются по плоскости (111). |
Такой |
1700 |
|
|
1600 |
|
|
1500 |
^ ' " ( В а П О з ) гене |
|
«о 1400 |
. ^ |
|
|
|
(Ва.Т103 ) куб
|
|
KF +(ВаТ103 )куб |
|
|
|
||
KF |
10 |
20 30 |
чО |
50 60 |
70 |
80 |
90 100 |
|
|
Мольное |
содержание |
ВаТ10 3 ,% |
|
||
Ф И Г . |
7.27. |
Растворимость |
ВаТЮ 3 |
в КТ |
[84, |
85]. |
двойник будет иметь входящие углы, которые будут выклини ваться, проходя через образование «бабочки». Первоначальный зародыш, вероятно, представляет собой кубик, расколовшийся так, что открывается плоскость (111), и если в расплаве нет достаточно малых частиц ВаТЮ3 , которые обеспечивали бы появление открытых плоскостей (111), то ступени, необходимые для зарождения двойника, не могут образоваться.
Условия, в которых выращивают ряд других кристаллов из раствора в расплаве при медленном охлаждении, приведены в табл. 7.4.
Выращивание в процессе испарения
Метод испарения расплава дает преимущества, обусловлен ные изотермическим ростом. Если соединение устойчиво в дан ном расплаве в узкой температурной области, так что метод
11*
Таблица 7.4
Типичные кристаллы, выращенные из растворов в расплавах солей
Соединение Формула
Иттрий-же |
Y 3 F e 6 0 1 2 |
лезистый гра нат (ИЖГ )
Титанат ба |
ВаТЮз |
рия |
|
Титанат |
ба |
ВаТЮз |
рия |
|
|
Иттрий-алю |
Y 3 A 1 6 0 1 2 |
|
миниевый |
гра |
|
нат (ИАГ) |
|
|
Сапфир |
или |
А 1 2 0 3 |
окись галлия |
Ga 2 0 3 |
Ниобат нат |
NaNb0 3 |
рия |
|
Окись берил |
ВеО |
лия |
|
Окись |
маг |
MgO |
ния |
|
|
Сапфир |
|
А 1 2 0 3 |
Окись |
ни |
NiO |
келя |
|
|
«Окись |
ба |
ВаО • 6Fe2 03 |
рия и железа»
Растворитель Метод Условия
РЬО |
Медленное |
Установить |
равнове |
|
|
охлаждение |
сие при |
1370°С; охла |
|
|
|
ждать |
со |
скоростью |
|
|
1—5°С/ч |
|
KF |
Испарение |
Установить |
|
равнове |
|||
|
и охлаж |
сие при |
|
1200°С; |
охла |
||
|
дение |
ждать |
со |
скоростью |
|||
|
|
20—40°С/ч до |
|
|
|||
|
|
~ 8 5 0 ° С , |
слить |
рас |
|||
|
|
плав; промыть |
Н 2 0 |
||||
Т Ю 2 |
Вытягива |
ТЮз/ВаО > |
1 в рас |
||||
|
ние из |
плаве |
|
|
|
|
|
|
расплава ') |
|
|
|
|
|
|
РЬО — PbF 2 |
Медленное |
Установить |
равнове |
||||
|
охлаждение |
сие при |
|
1150°С; |
охла |
||
|
|
ждать |
со |
скоростью |
|||
|
|
4—5°С/ч |
до |
750 °С |
PbF2
NaF—Nb2 C03
L i 2 0 — М 0 О 3 или PbF2
PbF2
PbF2
PbF2
Na 2 C0 3
То же |
Установить равнове |
||
|
сие при |
1200°С; охла |
|
|
ждать |
до |
900 °С со |
|
скоростью |
3 °С/ч |
|
|
Установить |
равнове |
||||
|
|
сие при |
1300°С; |
охла |
|||
|
|
ждать |
до |
200 °С |
со |
||
|
|
скоростью |
20 °С/ч |
|
|||
Испарение |
Разные, |
см. литера |
|||||
и |
медлен |
туру |
|
|
|
|
|
ное |
охлаж |
|
|
|
|
|
|
дение; ме |
|
|
|
|
|
|
|
тод темпе |
|
|
|
|
|
|
|
ратурного |
|
|
|
|
|
|
|
градиента |
|
|
|
|
|
|
|
Испарение |
Температура |
|
выше |
||||
|
|
1150 °С |
|
|
|
|
|
Медленное |
Установить |
равнове |
|||||
охлаждение |
сие при 1400°С; |
охла |
|||||
|
|
ждать |
до |
900 °С |
со |
||
|
|
скоростью |
1 °С/ч |
|
|
||
То же |
Установить |
равнове |
|||||
|
|
сие при 1200°С; |
охла |
||||
|
|
ждать |
до |
900 °С |
со |
||
|
|
скоростью |
3°С/ч |
|
|
||
|
|
Установить |
равнове |
||||
|
|
сие при 1375 "С; |
охла |
||||
|
|
ждать |
до |
1Ю0°С |
со |
||
|
|
скоростью |
0,75 °С/ч |
|
Примечания
Кристаллы размером до нескольких санти метров; первым кри сталлизуется магнетоплюмбит, Y можно за менить другими ред кими землями; см. разд. 3 и 4 о других методах
Пересыщение ча стично обусловлено ис парением KF; двойни ки типа «бабочка»
Рост на затравках, наросший слой толщи ной до нескольких см
Кристаллы размером несколько см; см. гл. 5, разд. 4 о выращива нии методом Чохраль ского
Пластинки размером до 1 см; метод приме ним для крайних чле нов; приводит к обра-
зованию в твердом растворе модификации 6-А12 03
Пластинки с разме рами 1 X 1 X 3 мм
Кристаллы размером до 2 см
Кристаллы размером до 2 см
Пластинки размером до 3 см
Кристаллы размером до 0,5 мм
Кристаллы размером до 1,2 см
Литература
[74]
[67]
[88]
[89]
[64]
[90]
[91,92]
[74]
[64]
[64]
[93]
') Так как состав расплава отличается от состава твердой фазы, метод лучше рассматривать как выращивание на затравку из ра сплава (см. разд. 7.4).
Соединение |
Формула |
|
Берилл |
B e A l 2 S i s O i S |
|
Алюминат |
M g A l 2 0 4 |
|
магния |
|
|
Ванадат |
Y V 0 4 |
|
иттрия |
|
|
Цирконат |
PbZr0 3 |
|
свинца |
|
|
Феррит маг |
M g F e 2 0 4 |
|
ния |
|
|
Разные |
H f 0 2 , |
T i 0 2 , |
окислы |
T h 0 2 ) |
Ce02 , |
|
Y C r 0 3 H A 1 2 0 3 |
|
Редкоземель |
RFe03 , |
|
ные ортофер- |
R — редкие |
|
риты |
земли |
Растворитель
L i 2 0 — M o 0 3
В 2 О э или PbO—PbF2
PbF2
V 2 0 5
PbF2 или PbCl2
PbP 2 0 7
PbF2 |
или |
BiF, + |
B 2 0 3 |
PbO
|
|
|
|
|
|
|
Продолжение |
табл. 7.4 |
||
Метод |
|
Условия |
|
|
Примечания |
Лите |
||||
|
|
|
ратура |
|||||||
Медленное |
Установить |
равнове |
|
Происходит |
|
рост на |
[94] |
|||
охлаждение |
сие при 975 °С; |
охла |
затравку |
|
|
|
||||
|
ждать |
до |
790 °С со |
|
|
|
|
|
||
|
скоростью |
6 °С/ч |
|
|
|
|
|
|
||
Испарение |
Температура |
выше |
|
Кристаллы |
размером |
[74] |
||||
|
1450°С |
|
|
|
|
до |
2 см |
|
|
|
Медленное |
Установить |
равнове |
• Кристаллы размером |
[64] |
||||||
охлаждение |
сие при |
1200°С; |
охла |
до 2 мм |
|
|
|
|||
|
ждать |
со |
|
скоростью |
|
|
|
|
|
|
|
3°С/ч до 900 °С |
|
|
|
|
|
|
|||
Испарение |
Температура 1200 °С |
|
Кристаллы |
размером |
[95] |
|||||
|
|
|
|
|
|
до |
0,3 мм |
|
|
|
Медленное |
Установить |
равнове |
|
Кристаллы |
размером |
[96] |
||||
охлаждение |
сие при |
1310 °С; |
охла |
до |
3 мм |
|
|
|
||
|
ждать |
со |
|
скоростью |
|
|
|
|
|
|
|
4,3°С/ч |
до |
900 °С |
|
|
|
|
|
||
Испарение |
Испарение |
при |
|
|
Кристаллы |
размером |
[97] |
|||
|
1300°С |
|
|
|
|
1—10 мм |
|
|
|
|
Медленное |
Установить |
равнове |
|
«Небольшие» |
кри- |
[98] |
||||
охлаждение |
сие при |
1300°С; |
охла |
сталлы |
|
|
|
|||
|
ждать |
со |
|
скоростью |
|
|
|
|
|
|
|
30°С/ч |
до |
~ 8 5 0 ° С |
|
|
|
|
|